"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 리소그래피 wafer priming 삼성전자 경력 반도체 8대공정

"웨이퍼공정" 검색결과 2,321-2,340 / 2,703건

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반도체용어총정리

)● Recticle : 전자회로가 기록되어있는 투명판. 웨이퍼와는 보통 5:1비율● Mask : 전자회로가 기록되어있는 투명판. 웨이퍼와는 1:1비율● Steper(=mask aligners ... )● PR : photoresist(감광제)● diffusion- dopants를 넣는 공정의 한 방법● Ion implantation- dopants를 넣는 공정의 한 방법 ... wafer와 같은 방향으로 단결정 layer를 성장시키는 박막증착기법중의 하나- CVD, MBE, VPE 중의 하나의 방법으로 Expitaxy를 이룸● Intrinsic Material

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.02

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[공학]LED

이 가능하다.2. Vertical LED사파이어 기판위에 GaN/InGaN 에피층을 성장시킨 다음 사파이어를 레이저를 사용하여 분리를 하고, p-GaN층에 Si 웨이퍼 ... 를 bonding한 후 그 이후공정은 flip chip과 동일하게 설계한다. 사파이어조차 통과하지 않고 GaN을 통해 곧바로 빛이 방출되고, Si 기판을 사용하기 때문에 열전도도가 높 ... 에 발광면적 을 키울수가 있고, power chip 설계도 가능하다.5. 3inch 사파이어 웨이퍼 사용일본 및 미국의 소수업체에서 적용하고 있는 방법으로 특히 power chip 생산

리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.07.06

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건식도금(pvd, cvd)

기체이때 방전에 CF4가 CF4 → CF3++F*?로서 F*와 Si이 반응하여 SiF4로 되어 증발하므로 Si그림 1-4 J.A. Thornton의 스퍼터막의 모형wafer가 에칭 ... 스퍼터링의 장ㆍ단점장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 면적에 걸친 고른 박막의 증착이 가능.b. 박막의 두께 조절이 용이.c. 합금 물질의 조성 ... ) 증착 속도 가 매우 느림.c. 유기물 고체인 경우 ionicbombarment를 저해시키거나품질이 떨어짐.d. 공정이 저진공상태에서 수행되므로 다른 불순물에 의한 오염 가능

리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.17

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저탄소 녹색성장

폴리실리콘은 엘지화학이 생산하고 웨이퍼는 실트론, 태양전지와 모듈은 엘지전자. 사업개발 프로젝트는 LG CNS, 발전소 건설 및 운영은 LG 솔라에너지가 담당하는 수직 계열화를 추진 ... 것으로 보고 단계별 수소공급 방안을 수립하고 있다.라 LEDLED는 반도체 공정기술과 광, 조명, IT 기술의 융합으로 최근 급성장하고 있는 차세대 유망 신산업으로 다양한 산업

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.18

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[반도체]세계 반도체 산업 시장의 현황과 전망

DRAM 생산시설의 경우, 막대한 투자자금이 소요되기 때문에 최적투자규모와 투자시점의 결정이 경쟁우위의 확보에 핵심요소가 된다. 그리고 생산라인의 건설, 장비반입, 공정의 set-up ... 한 양상을 보이고 있어 산업매력도는 높다고 할 수 없다.(2) 잠재적 진입자의 위협DRAM산업은 경제규모를 갖추기 위해 막대한 투자, 특허 등 기술 장벽, 매우 정교한 공정기술 ... 들의의 공정기술로 재구축하고 있는 상황인데, 이것이 끝나면 삼성전자를 능가하는 생산능력을 갖추게 될 것이다. 한편 한국의 현대전자가 LG반도체를 인수함으로써 생산능력의 기준으로 보

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.10.18

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[전자공학]Solar Cell, 태양전지

활성화 효과* 지역 이미지 창출 효과* 산업자극효과◆ 태양열◆ 핵심 요소 기술? 태양전지v 기초v 동작 원리 및 구성v 종류v 제조 공정◆ p-n JunctiovP형 반도체실리콘 ... 실리콘 태양전지 )◆ 제 2 세대 : 박막 태양 전지◆ 제 3 세대 : 염료 감응형, 유기 고분자형◆ 태양전지 제조공정? 단결정 실리콘 태양전지v고순도 실리콘(99.999%) 가열v ... 실리콘 wafer 제조vP-n Junction (800~1000˚C)v반사 방지막(ZnO) 형성? 비정질 실리콘 태양전지vSiH4등의 기체를 진공상에서방전 (200~300˚C)v투명

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.06

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[경영전략, 경영학원론] 삼성반도체

의 단독 공장 투자로서는 역대 최대 규모다. 후지쯔는 이 공장에 65∼90나노미터(10억분의 1 미터) 기술 공정을 도입, 월 1 만장의 웨이퍼를 가공할 수 있는 능력을 갖추게 될 것 ... 웨이퍼를 업계 처음으로 도입, 본격 가동에 들어간 93년 삼성은 세계 메모리 업체 1위에 올랐다.○ 90년대 D램 사업에 새롭게 진출한 대만은 4개 업체를 상위 10위 안에 진입 ... 가를 잡아라-광고 및 판촉투자도 대도시를 중심으로 집중3. 경쟁자 현황■ 후지쯔, 300mm 반도체웨이퍼 공장 건설키로○ 후지쯔의 300㎜ 웨이퍼 시대가 문을 연다.’니혼게이자이

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.25

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[트랜지스터][전자관][반도체][집적회로]트랜지스터의 발명, 트랜지스터의 구조, 트랜지스터의 종류, 트랜지스터의 기호, 트랜지스터의 명칭, 트랜지스터의 장단점, 트랜지스터의 증폭작용, 트랜지스터의 계측법

지만 실리콘 단결정 웨이퍼에 몇 천개나 되는 트랜지스터의 펠릿(작은 조각)을 동시 진행으로 만들 수 있으므로 대량 생산이 가능해지는 것이다.플레이너형은 초소형으로 결정되므로 메사 ... 형과 같이 나중에 불필요한 부분을 제거하는 공정은 필요 없으며 고주파용에 꼭 들어맞는 트랜지스터로 된다. 안정되고 잡음이 적은 특성이 있지만, 이 타입은 다시 에피택셜 기술과 조합

리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.07.17

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개성공단 활성화를 위한 전략물자 수출 통제제도 운영방안

부에 제소한 사례도 참고할 만한 경우이다. 마이크론사는 제소대상 물품의 범위에 한국에서 웨이퍼 가공공정과 반도체 조립공정을 거친 것과 한국에서 前공정을 거치고 타국에서 後공정 ... 며, 부가가치기준 또는 특정공정기준을 보완적으로 적용한다. 관세분류변경기준이란 수입되는 원료의 관세분류와 완제품의 관세분류를 비교하여 일정단위 이상으로 변경되는 경우 실질적 변형으로 인정 ... 체계로서 어떠한 품목이라도 반드시 하나의 번호에 분류된다. 부가가치기준은 특정 물품의 전체 가치 중에서 최종 공정을 수행한 국가에서 일정한 정도의 부가가치를 창출하는 경우, 해당

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.11

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금속조직관찰

: 원자재가 고가일 때 사용, 유리, 게르마늄 wafer의 slicing, 래핑, 광택에 사용되며 피스톤 링과 기어의 래핑에도 사용 - 보론 카바이드 분말 습식형 특성: 중간정도 ... 는 고급 분말로 저급의 다이아몬드 대용 용도: 습식보다 래핑 및 슬라이싱 공정시 25% 이상의 효율이 있음 - 단결정 수지접착형다이아몬드 특성: 저렴한 다이아몬드로써 부서지기 쉬으며 긁

리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.14

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Sputter

한다.6.실험 결과 및 고찰-물질의 비저항, 면저항?박막의 평가및 분석을 하기위해 비저항과 면저학을 측정한다.?보통 웨이퍼가 제조 공정에 들어가기에 앞서 육안 및 현미경을 통해 검사 ... 되고 비저항이 측정된다. 집적회로 공정에서 가자많이 고려되는 확산에 관한 측정변수는 접합 깊이, 표면 농도및 평균비저항 등이다.-Sputter를 이용하여 ITO박막을 증착 방법

리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

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실리콘

기호 Si로 표시되는 규소를 의미하며, 물질로서는 암회색의 금속상이다. 반도체용 실리콘 웨이퍼, 합금 ferrosilicon등이 이러한 Silicon의 응용제품의 예다. 한편 ... , 실리네슘이 발생하게 되는데 이를 회수하기 위하여 전기 분해를 통해 염소와 마그네슘을 환원해야 한다. 또한 이 공정은 에테르를 용매로 사용해야 하는데 에테르는 휘발성과 가연성을 가지 ... 디염화실란(M2), 메틸트리염화실란(M1), 트리메틸염화실란(M3), 테트라염화실란, 메틸디염화실란 등이다. 주요 반응식을 나타내었다3)실리콘의 제조공정1. 직접법2. 디메틸디클

리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.03

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[latch up]Well formation in cmos

내 존재하는 Solvent제거 -. Align / Exposure -. WEE (Wafer Edge Exposure) – Wafer Edge의 Resist 제거 -. PER ... Coner에서 발생되는 Leakage 방지-. STI FILL – 소자간의 절연-. Nit WET Etch – Wafer Backside에 존재하는 Nitride제거-. Decify ... EtchSTI ISOLATIONAPCVD OXIDE화학물질을 기화 시켜 화학반응에 의한 증착막을 구현하는 프로세스 중 하나 온도, 압력, 부피가 가장 큰 공정 제어 요소 LP

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.12.11

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적외선 분광법(IR)

의 부분장치와 비슷한 기기로 측정 - 응용: 산업 및 농산물의 정량 분석 및 공정조절 2) 중간적외선 영역 (mid IR) : 2.5~50㎛ - 1980년 초: 회절발을 기초 ... 의 복사선에 대해서 이상적 ○ 파이로전기(pyroelectric) 검출기 - 매우 특별한 열적 및 전기적 성질을 가지고 있는 절연체(유전물질)인 파이로전기 물질의 단결정 웨이퍼(s

리포트 | 47페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.01

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[화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서

하고 가격이 싼 트랜지스터를 양산할 수 있다.(3) 반도체 제조 공정과 정의※ 반도체 제조공정 (전공정 - 후공정)? 전공정은 웨이퍼위에 회로를 만드는 과정, 후공정은 기판위에 만들어진 ... 구조에 있어서는 게이트 절연막이 된다.이들 산화막이 형성에는 청정한 분위기의 확산로가 쓰여지며, 철저하게 세정을 실시한 웨이퍼가 사용된다.3. 불순물도입공정 : 이온 주입법 ... 1. 실험제목? 박막 재료의 표면처리 및 식각 실험2. 실험목적? 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14

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[삼성] 삼성전자 반도체 사업분석

받침하는 웨이퍼가공공정의 미세화와 용량이 경쟁의 주요인이 될 것이다.따라서 이것은 막대한 공정라인의 신규 투자를 유발하는 장치산업이며, 한 단계씩 제품이 발전해 나갈 때마다 투자비용 ... 으로 끌어올리는 중요한 역할을 했다고 한다.그 예로 1983년 D램 2라인 건설당시 6인치 웨이퍼를 선택한 곳은 찾을 수가 없었다. 대부분 반도체 업체는 5인치 웨이퍼를 사용하고 있 ... 었다. 그러나 이건희 회장은 한번도 검증되지 않아 상당한 위험부담을 가진 6인치 웨이퍼를 영원히 후발로 뒤쫓아 갈 수 없다는 판단으로 선택하였다. 이 결과 생산성이 1.4배나 증가했고, 후

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.09

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[나노가공] Nano Technalogy(나노공학)

EUVLLithographyMoore's Law반도체 칩 내의 집적도는 매 18개월 마다 2배로 증가한다.Lithography제작하고자 하는 회로를 mask에 그린 후 이를 wafer ... mirrors, reducing the size of the image and focusing the image onto the silicon wafer. Each mirror ... bends the light slightly to form the image that will be transferred onto the wafer. This is just like

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.10.01

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[반도체] 반도체 공정

게 분류해 보면 3백 단계가 넘는 무수히 복잡한 공정을 거쳐 비로소 한개의 반도체가 탄생한다는 것을 알수 있다.1. 웨이퍼 제조 및 회로 설계가. 단결정 성장 : 고순도로 정제 ... 을 잘라서 웨이퍼 형태로 만들어주며 일정한 두께로 절단하는 공정으로 Slicing은 크게 두 가지 작업형태로 분류하는데 예절방식, I.D.SAW를 이용한 절단 방법이 있다. 주로 I.D ... , Abrasive, Graphite Beam Powder, Epoxy등이 Wafer표면에 잔존하게 된다. 다음 공정을 진행하기 위해서 Wafer표면에 잔존하는 물질을 깨끗이 세정

리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.01

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F E D (Field Emission Display)

되. Spindt Tip 제조공정1) 반도체 소자 제조에 사용되는 도전성 높은 실리콘 웨이퍼를 준비한다.2) 열산화 기술을 이용하여 산화막을 원하는 두께(~1μm) 만큼 얻는다.3 ... ), 또는 통상 사용되는 감광막을 1 μm 정도의 두께로 스핀 코팅 방법으로 형성한다.5) 마이크론 이하의 지름을 갖는 원형의 감광막 패턴이 생성되도록 사진 식각 공정을 수행한다. 원형 ... 패턴의 개수는 하나에서 2.5×107 개/cm2 정도의 범위를 갖는다. 처음에는 Westerberg[5,6]에 의해 고안된 전자 투사 기법에 의해 사진 식각 공정이 행해졌다. 하지

리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.13

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기존 PRAM의 문제점 해결방안

Sputtering으로 증착하였다. 또한 4인치 웨이퍼상의 균일한 GSTB박막을 얻기위해 각 건은 약 30도정도 기울였으며 웨이퍼는 균일한 두께와 붕소의 양을 얻기 위해 증착하는 동안 회전을 시키 ... 의 증착은 Ar가스를 이용하여 공정압력 10m Torr에서 실시하였다4point probe method를 이용하여 in situ로 면저항을 측정하였다.Fig 10은 개략도이다. 4개

리포트 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24

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