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"웨이퍼공정" 검색결과 2,121-2,140 / 2,701건

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  • 10년후 자신이 경영할 회사소개및 경영 비전과 로드맵
    고주파 부품 연구개발 (재료·설계·공정 및 측정평가에 이르기까지 Total Solution 제공)→ 신소재, 신기능 부품 연구◎ 신소재, 신기술 융합부품 연구에 주력하여 미래 ... 제품과 유비쿼터스를 접목시켜 미래 생활에 바탕이 된다.- 기술/특허/제품⇒ 기술◎ 다이아몬드 웨이퍼 제작 기술인조 다이아몬드의 용도를 폭발적으로 확장시켜, 실리콘을 대체할 다이아몬드 ... 웨이퍼 칩을 개발1. 실리콘 반도체보다 열전도가 좋아 열 방출이 쉽다.2. 반도체의 수명이 연장된다.◎ 초소형 피코 칩그 이상의 가공기술은 없을 거라고 확실시되던 나노(Nano
    리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.12.25
  • 환경 호르몬의 영향과 대책
    를 비롯한 각종 식품용기DDT살충제아트라진농약아미톨농약엔도살판농약브로모프로페인실리콘 웨이퍼 세척작업3.1 환경호르몬의 발생원인< 표 2. 환경호르몬 발생물질과 원인 >3.2 환경 ... - 친환경적인 생산 공정 설립- 환경친화적 상품 개발- 제품의 생산, 폐기 과정에서 철저한 안정성 평가와 실험 시행- 개발 상품의 정보를 투명하게 공개- 안전성과 위해성에 관한 정보
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.26
  • [반도체공정] 플라즈마 에칭 장비의 구조
    department which transfer wafer from cassette to reaction chamber Vacuum department which is kept vacuum ... Chuck that can be kept wafer's temperature changelessly at process progress Gas supply system that ... productsChuckM-ChuckUni-polar ESCWhile process is proceeded, it is device that catch WaferNeed wafer topside
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.09
  • ITO,ITO glass,,박막 증착 기술,전착(electro deposition)
    코팅기술 덕분이다.TN/STN 용 Coating Glass[ITO 코팅 GLASS 특성]1. 원판 GLASS의 Surface를 Fine-polishing 공정에 의해 200A ... 에 충돌, 부착막이 생긴다.CVD증착하고 싶은 필름을 가스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 가스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다.장점 : 고순도 film 형성 가능, 재료 ... process를 통하여 절연막을 형성하는 기술로서 평탄화 능력이 아주 우수하다. 반도체 공정에서 쓰이고 있는 대표적인 재료로서 SOG( spin on glass )와 polymide 수지막이 있다.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.20
  • 품질경영혁신 사례분석 - 삼성 LDI 사례를 중심으로(6시그마)
    에서 수십 개 까지 부착LDI 제조공정은 크게 Wafer 설계→제조→범핑→패키징→출하 등의 과정으로 진행LCD Driver IC(LDI) 시장의 동향Driver IC(LDI ... MAPPING - 공정흐름정 의반도체 제조에 사용되는 감광제 도포 및 현상장치 즉, W/F위에 규정된 형상(PATTERN)을 얻기 위한 사진 식각(PHOTO-LITHOGRAPHY)기술 중 ... .353.9공정능력의 등급공정능력의 범위공정능력의 평가특급Cpk ≥ 1.67공정상태가 매우 우수하고, 산포관리도 매우 만족스러움A 등급1.33≤ Cpk <1.67공정상태가 양호
    리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.01
  • 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴형성
    )는 설계된 회로를 웨이퍼에 전사시킬 때 빛의 조사 여부에 따라 달리 감응함으로써 미세 회로 패턴을 형성할 수 있도록 하는 노광 공정용 감광재료를 말한다. 제작된 장비와 Spin c ... 이란..- Micro 및 Nano scale의 미세패턴이나 현상을 그대로 복제하거나 각인(Imprint) 전사하는 기술- 고온 또는 가열공정이 필요 없는, 상온 저압 가공 기술 ... 의 특성과 상온, 저압공정에 따른 Mold 수명 장기화▲ 재료 및 공정의 자체개발▲ 주요 컨셉광학제품에 사용되는 빛의 파장은 보통 가시광선 영역을 이용한다. 이때 빛은 굴절률이 다른
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.30
  • 하이닉스 이천 공장 증설 문제, 지역문제관련
    이천공장 증설계획투자비 : 2010년까지 13조 5,000억 원투자내용 : 300mm 웨이퍼공장 3동 건설필요면적 : 약 7만 5,000평경제효과 : 고용유발 약 6,000명☞이천 ... 공장 증설 무산으로 청주공장 증설 결정투자비 : 3조 8,000억 원투자내용 : 300mm 웨이퍼공장필요면적 : 10만 8,000여m2 부지에 연면적 31만 2,000m2☞이천공장 ... 과는 달리 대체수원 없이 강의 중 ? 하류에 위치하여 상류의 오렴에 매우 취약하다.→ 구리 배출 문제하이닉스 반도체의 80nano 나 70nano 와 같이 미세한 공정으로 내려가면
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.16
  • 모의증권투자 보고서
    는 크게 전공정(칩 제조), 후공정(조립), 검사 및 기타 장비로 구분되며,각 공정별 투자 비중을 살펴보면, 실리콘 웨이퍼를 가공하여 칩을 만드는 전공정장비가 약 70%를 차지 ... 하고, 칩에 리드선을 붙이고 패키징하는 후공정장비가 약 8%, 공정별 각 단계마다 불량여부를 검사하는 검사장비 및 운송설비 등이 나머지 약 22%를 차지한다.반도체 장비산업은 웨이퍼 ... 직접적인 영향을 받는다. 메모리 생산라인 투자의 경우 일정 기간에 집중되는 특징을 보이므로 이 기간에 장비 납품이 집중된다. 당사처럼 회계 처리상 공정진행률이 아닌 실제 장비
    리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.05.20
  • [공학]LED의 모든것
    ,. 직류 및 교류 동작 가능 5. 전류에 의한 광출력 제어 가능LED STRUCTURELED 공정을 이해하기 위해서는 먼저 LED STRUCTURE를 이해하는 것이 필요하다.LED ... 다N LedLED ManufacturingProcessFront 공정 - Die Attach - Wire BondBack-end공정 - Mold - TrimFinal 공정 ... - Test Forming TapingChipLead frameepoxyDie Attach는 낱개의 칩을 LEAD FRAME에 장착시키는 공정으로 전기전성 접착제를 lead frame
    리포트 | 47페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.31
  • Silicon(실리콘), Al2O3(사파이어), Pyrexs Grass(파이렉스) 웨이퍼의 열팽창 계수 비교
    에서 Silicon 에는 압축 응력과 수직 응력을 받게 되어 파괴가 일어 난다 .Fig. 5 Silicon, Sapphire, Pyrex grass 의 온도에 따른 변형길이 3 개의 Wafer ... 되거나 파괴되지 않는 재료를 사용해야 하며 그 온도에서도 접합되는 재료가 변형이 일어나지 않아야 한다 .- Au 의 경우 전도대를 형성 할 수 있는 충분한 재료이다 . 하지만 두 웨이퍼간 ... 가 소성변형을 할 수 있는 구간이므로 위험하다고 볼 수 있다 . ( Ag 역시 마찬가지이다 .) Al 의 경우 반도체 공정에서 Lead 선으로 많이 사용되고 있는 전도성이 좋은 물질
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.29
  • (유체역학)최적의 펌프동력을 위한 배관의 설계
    기 위해 필요한 동력에 영향을 미치는 요인에는 관의 거칠기와 크기가 중요한 부분을 차지한다.따라서, 우리는 그 영향에 대해 분석해 얻은 결과에 의해공정에 쓰일 관을 결정하였다.2 ... 은 일반화된 범용 체크밸브로 구분하지 않고 있다. 따라서 밸브 제조업체도 이러한 웨이퍼 디스크체크 밸브 제조 전문회사로 자리하고 있어 세계적으로 제작업체가 많지 않은 특징이 있 ... 다.웨이퍼 디스크 체크밸브는 듀오체크밸브9DUO-CHECK VALVE), 플래퍼 체크밸브(FLAPPER CHECK VALVE), 워터 체크밸브(WATER CHECK VALVE)등
    리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2009.07.18
  • [연구개발][R&D][연구개발사례][R&D사례]연구개발(R&D)의 정의, 연구개발(R&D)의 결정요인, 3M과 삼성전자의 연구개발(R&D) 사례, 모토롤라의 연구개발(R&D) 사례, 연구개발(R&D)의 애로사항에 관한 분석
    화 경우 앞서 살펴본 것처럼 그것은 바로 기업의 이익감소를 의미했기 때문이다. 1985년 9월 단위공정개발팀, 디바이스(Device)개발팀, 공정구조개발팀, 테스트개발팀, 설계팀 ... 기간이 예상보다 길어졌다.또한 집적도와 속도를 개선하기 위해 256K DRAM의 더블폴리(Double Poly)공정보다 몇 단계의 첨단기술을 요구하는 트리플폴리(Triple ... Poly)공정을 개발해야 했기 때문에 설계시간은 예상보다 점점 더 길어졌다. 더욱이 회로선폭을 256K DRAM의 2미크론에 비해 1.2미크론까지 줄이고 속도도 100-120나노초
    리포트 | 17페이지 | 6,500원 | 등록일 2009.03.30
  • FeRAM의 원리 및 특징
    전자에서는 세계 최초로 4M FeRAM을 개발하여 시장 개척에 적극 나서고 있다.FeRAM에 사용되는 주요 재료로서 PZT 막은 대부분 "Sol-Gel"이라는 간단한 제조공정을 사용 ... perovskite materials(ex. Pb(Zr,Ti)O3)등을 들 수 있다. 전자는 기록/삭제의 반복에 따른 피로(fatigue)가 없는 특성 때문에 많은 연구가 행하여졌으나, 공정 ... 온도가 700℃이상으로 집적회로공정에 적용하기에는 너무 높은 단점이 있다. 후자는 높은 공정온도를 요하지 않는 장점이 있으나, Pt 전극에 집적하였을 경우 피로문제가 발생하게 된다
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17
  • [반도체] photolithography
    한 reticle의 수는 공정 단계에 따라 다르다.처음에 wafer를 자외선에 민감한 유기 재료나 photoemulsion으로 덮는다. 액체상태의 resist를 wafer위에 떨어뜨린 후 ... 위의 pattern이 wafer위의 die로 전달된다. 남은 resist를 경화시키기 위해 125℃에서 baking한 후, dopant를 주입하는 것과 같은 적절한 공정 단계 ... 은 Photolithography를 사용하여 wafer위에 만들어진다. Photolithography에 있어서 첫 과정은 pattern을 포함하는 투명한 silica(quartz) plate인
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01
  • LCD backlight unit
    ) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용 ... 게 된다.TFT-LCD는 브라운관 방식에 비해 소비전력이 낮고, 경량박형이 가능하며, 유해 전자파를 방출하지 않는 차세대 첨단 디지털 디스플레이 소자이다.② TFT-LCD의 제조공정 ... 과정TFT-LCD 제조공정은 크게 TFT 공정, Cell 공정, Module 공정 세 부분으로 나뉜다.TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition
    리포트 | 35페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.20
  • 삼성전자 반도체사업부
    자본소요량 고가의 설비투자비용 막대한 연구개발비용 절대적인 비용우위 기술적 경험효과-웨이퍼당 수율이 높아지고, 공정의 개선 생산량2배 증가시 30%의 생산비용절감잠재적 진입자제도 ... 신속한 의사결정 83년 기흥사업장 건설을 1년반에서 6개월로 단축 새로운 웨이퍼 라인 증설당시 대부분의 업체는 5 Wafer 사용 → 기흥 공장에 설비업체 인력 상주로 6 설비 ... Trouble 해결19801990200020105 Wafer6 Wafer8 Wafer12 Wafer18 Wafer5 → 6 X 1.446 → 8 X 1.788 → 12 X 2.2512
    리포트 | 40페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.13
  • [반도체공학]휴대용 디지털기기용 낸드플래시메모리 시장조사
    웨이퍼 공정 14라인을 세계 최초로 플래시 메모리 전용으로 사용함으로써 원가경쟁력 확보, (3) MLC(multi-level-cell)를 생산하여 새로운 NAND 플래시 시장의 창출 ... 가격 하락이 발생하였으나, NAND 플래시의 영업이익률은 40%을 유지하였다. 또한 삼성전자는 ’05년에 70nm공정), 300mm웨이퍼 크기의 14라인을 플래시 전용으로 가동함으로써. ... (nm)이하 미세공정을 통해 NAND 플래시 생산에 주력하고 있으므로, 후발업체들의 원가경쟁력이 많이 떨어지고 있다. 하이닉스를 주축으로 후발업체들의 시장진입이 활발하게 이루어지고 있
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.01
  • [반도체] PVD 리소그라피
    된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.2.Phothlithography 과정{(1)clean wafers세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공정 사이에서 반드시 행해야 하 ... 가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4, HCI, NH4OH, HF, H2O2 등의 약액 조합에 의해 처리된다. 웨이퍼 세척과 반도체 공정에 전반적으로 사용되는 중요한 화합물 ... , Hard Bake, Post Bake가 있다.⊙Soft Bake : Wafer에 Photo Resist를 도포하고 나서 115 C로 굽는 것⊙Hard Bake : Etch 공정
    리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18
  • 에피택시
    하는 불순물간의 상호 침투현상을 최소화 할 수 있음또한 대량생산가능 하고, 낮은 온도에서 공정할수 있으며 표면의 평탄성이 원할한 장점이 있다.하지만, 다층성장의 경우에 장치가 복잡 ... 할 수 있는 장치로서 정밀한 성장이 필요시 주로 사용한다.하지만 분자선의 충돌로 웨이퍼의 손상우려되고, MBE의 증착속도는 매우 느려서 시간이 오래 걸리며, 대기압에서는 기체분자 ... 에 이런 환경을 만들고 유지하는 것이 어렵다. 단적인 예로 대기압을 띄고 있는 chamber를 펌프를 이용하여 초고진공으로 만들려면 15일 이상이 걸린다.⊙ 참고문헌 : 초고 집적 공정
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.24
  • [공학]첨단산업과 신소재
    층을 증착시키고 다시 사진식각 공정에 의해 원하지 않는 금속층 부분들을 식각해 냄으로써 저항기 IC의 웨이퍼 제조 공정(FAB 공정)이 완결된다. 이러한 FAB 공정 이후에는 외부 ... . 첫째, 분리막 소재 자체뿐만 아니라 적용 시스템 개발도 적극 추진해야 한다. 분리막을 응용분야의 공정에 적용시키는 시스템 시장은 분리막 소재시장 규모의 약 10배에 달하는 것 ... 유eloper solution)에 쉽게 용해될 수 있는 상태로 변화하게 된다. 즉, 현상(developing) 공정이 진행된 후에는 감광막이 원하는 지역에만 남아 있게 되는 것이
    리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.19
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2025년 05월 22일 목요일
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- 작별인사 독후감