"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 리소그래피 삼성전자 경력 wafer priming 반도체 8대공정

"웨이퍼공정" 검색결과 2,401-2,420 / 2,702건

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[직접회로] 리소그라피

..PAGE:1리소그라피..PAGE:2사진식각공정(lithography)목적: 마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각광사진식각 ... :광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼표면에 형성하는 것E-beam사진식각: 전자가 갖는 파장을 이용하므로 미세패턴을 얻을수 있다.단점: 소요시간이 길고 장비가 비싸다.X-선사진식각 ... : X-선을 이용하는 것으로 마스크 제작이 어렵다...PAGE:3공정 순서표면처리->PR코팅->소프트베이크->정렬,노출->현상->하드베이크->식각->PR제거..PAGE:4감광제감광제

리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.22

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센서, 빛의 삼원색과 색의 삼원색

로 작용함으로써 저전력 구동과 함께 높은 광 응답 특성 및 광전변환의 고속화를 실현할 수 있다. 현 실리콘 공정을 이용한 최소 선폭으로 메사 (mesa)구조를 패터닝하고 정밀 ... 한 oxidation 공정을 마치고 나면 나노세선은 양자특성을 갖는 양자선이 될 수 있다. 이처럼 단순한 양자구조와 p-n 접합 포토다이오드가 아닌 전자만을 캐리어로 이용하는 고감 ... 는 크기에서 작아졌을 뿐만 아니라 정확도에서도 향상을 보여 유사한 세포계수에 사용될 수 있는 장점을 갖고 있다. 또한 수천 개의 MEMS 계수기를 단일 wafer를 이용해서 가공

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.24

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하이닉스의 추락과 회생사례

를 노렸으나, 통합으로 인한 진통으로 어려움을 겪게되며, 계속되는 D램시장의 침체와 생산공정의 비효율 등으로 엄청난 영업적자와 함께 현금 유동성의 위기를 맞게 됨- 이 무렵 회사 ... 다리 장비를 이용해 최첨단 반도체를 만드는 신기술을 개발하여 투자비용을 9500억원 절감- 이천의 M10 공장은 200㎜ 웨이퍼 생산라인(M5)으로 쓰던 것을 개수(改修 ... )하여 300㎜ 웨이퍼 생산라인으로 활용하여 신규 설치 비용대비 20% 절약- 엔지니어 수십명은 2005년 초 M10 공장이 시험 생산 체제에 들어가자 한 달 이상 퇴근도 않고 회사에서 근무

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.25

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[반도체공정] 확산공정

있을 것..PAGE:13Diffusion확산의 조건확산의 2번째 목적확산의 공정 과정확산 공정의 종류확산 장비의 종류..PAGE:14확산의 2번째 목적Wafer 표면을 특정한 양 ... 의 dopant원자로 doping한다.Wafer 표면에 dopant원자를 특정한 농도로 분배한다.Wafer내부로 dopant원자를 확산시킨다...PAGE:15확산공정의 과정초기 ... 고 온도를 올리기 위해 불활성 Gas에서 Wafer를 Flat Zone에 Load시킨다.각각의 Dopant가 Carrier Gas와 함께 Flat Zone 에 들어간다.확산 공정중 일정

리포트 | 60페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.03

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사진식각공정

사진식각공정목적: 마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각•광사진식각:광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼표면에 형성하는 것•E ... 다른 마스크 레벨과의 정렬이 잘못원인: 웨이퍼의 뒤틀림, 오염물, 구부러짐습식 식각습식 식각 : 값이저렴,공정쉬움,언더컷이 있다.•식각 정도를 알아보는 방법알루미늄이나 다결정실리콘 ... -beam사진식각: 전자가 갖는 파장을 이용하므로 미세패턴을 얻을수 있다.단점: 소요시간이 길고 장비가 비싸다.•X-선사진식각: X-선을 이용하는 것으로 마스크 제작이 어렵다.공정순서

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22

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미세유동장치의 효율적인 제작방법

하는 반응12그림 11유리와 실리콘 웨이퍼 접합13그림 12실리콘 웨이퍼 사이를 유리 필름으로 접합하는 경우13그림 13융접14그림 14융접 시 표면 활성화15그림 15플라즈마 처리 결합 ... 적으로 30μm)을 롤러에 감는다. 접착제 층은 공정 중에 녹아서 두 개의 접합면을 붙이게 된다. 이 방법은 마이크로 스케일뿐 아니라 마크로 스케일에서도 종이와 고분자를 부착하는데 많이

리포트 | 27페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.03.01

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[북한경제] 세계속의 한국과 북한경제

의 높은 가치를 지닌 산업이다.나. 플라즈마플라즈마는 차세대 디스플레이인 PDP, 항균, 코팅, 친환경표면처리 등 부품공정에서 기존에는 할수 없었던 일을 가능케 하는 첨단기술이 ... 에는 4GD 양산단계까지 발전할 것으로 전망된다. 반도체 전방산업들이 모두 미래 성장산업이어서 이에따라 반도체늬 시황도 호조예상?B. 핵심기술웨이퍼 가공기술 및 초메세 회로선폭 ... 기술에 의해 수율향상 및 비용절감효과를 거둘 수 있다. 회로설계, 미세노광기술도 핵심공정으로 반도체는 개발기술 뿐만아니라 양산기술도 매우 중요하다.?C.우리나라 사업여건자립생산시작

리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.03.21

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[반도체공정] 산화막 성장기구( Oxidation growth mechanism )

공정의 진행순서 및 기본원리를 이해하고, 그 특성을 실험을 통하여 숙지한다. 본 실험은 습식 산화법을 기본으로 하여 이론적 모델에 의한 결과와 실험결과를 비교, 고찰해 본다. 또 ... 의 성질 ](3) 산화공정에 영향을 주는 인자들1) Temperature (온도)furnace 온도가 상승하면 확산계수의 증가로 인해 oxide 성장속도가 증가.2 ... ) ][ 다결정 실리콘의 산화(건식식각, 900℃) ]3) Wafer Type (결정방향의 영향)조밀 충진면일수록 성장 속도가 빠르다.4) Dopant Effects (도핑 효과

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.13

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우리나라의 반도체 산업현황과 발전방향

한국 반도체 산업의 역사 -포장 사업기 (1965년~1974년) -웨이퍼 생산기 (1974년 ~ 1983년) -DRAM 사업 시작 (1983년 ~ 1992년) -DRAM 사업 주도 ... – IMF 이후램부분 : DDR이 시장 비중이 높아지면서 수익 창출 연구 개발 능력 인정 세계 IT 100대 기업 1위 선정 70나노급 반도체 신공정 개발 반도체 표준협회 최고기술상 수상

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.10

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[전자회로] 모스캐패시터

로 확산되나 실리콘보다 천천히 확산한다.산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다.③ 유전체공정이 끝난 후 웨이퍼지역은 산화막 위의 시간 ... 전압으로 n-type인 경우에는 역방향 전압으로 쓰이며, 전도상태와 비전도상태 사이에서 제어되는 스위칭작용을 시키는 데 매우 적합해서 디지털회로에서 유용하게 사용된다. 또한 공정 ... 형 기판에 확산 또는 주입(공정)으로 이루어지며, 얇은 산화물층은 Si표면으로부터 Al금속 게이트를 분리시킨다. 드레인-기판-소스의 결합은 직렬로 서로 반대방향으로 된 p-n접합

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.02

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반도체 lithography process (노광공정)

Proximity Type이지만 이경우 Mask 제작의 어려움은 물론 Mask 자체에서 발생되는 Stress 등으로 인하여 Wafer에서 Pattern Replacement Error를 유발 ... (Photo Acid Generator)이 강산(H+)이온을 발생시키는 단계와 PEB(Post Exposure Bake) 공정시 열에너지에 의하여, 기 발생된 강산이 촉매역할을 하

리포트 | 62페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.04

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신소재 부품 조사

에는 Outgas가 발 생하지 않음- 초음파 통과성 및 단열성이 우수부품사진및 사용 예- 반도체 및 액정 제조업체에서는 Wafer-Glass기판과 접촉하는 부품 및Vacuum Chamber ... 반도체 산업용, 고순도 공정, 코팅 재료 및 전선 피해복 분야출 처http://cafe.naver.com/mctnet.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.15

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[반도체] 에피택셜성장

..PAGE:1EPITASIAL GROWTHSOLID STATE ELECTRONIC DEVICE..PAGE:2차 례웨이퍼 공정 과정에피택셜 성장- CVD- LPE- MBE ... Inspection8-Epitaxy웨이퍼 제작 공정..PAGE:4-에피택셜 성장 (epitaxial growth)기판 웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술고순도의 결정층을 형성 ... 하는 공정웨이퍼보다 낮은 온도에서 성장- CVD : 화학 기상 증착- LPE : 용융액으로부터의 성장- MBE : 진공에서의 원자의 증착..PAGE:5격자 정합..PAGE:6MOCVD

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.13

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[재료공학,금속공학] Polishing 그리고 Gray cast iron

system② Wafer가 Load되어 공정 진행 시 Wafer의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 Chuck: Mechanical Chuck과 Electrostatic Chuck이 있 ... 다.③ 공정을 위한 Gas를 공급하는 Gas supply system④ 공정을 위해 Plasma를 발생시키기 위한 Plasma Source⑤ Plasma Source 및 Chuck ... 에 Energy를 공급하기 위한 RF System⑥ 공정의 끝을 Detecting하기 위한 EPD (End Point Detector) 등이 있다.Plasma를 발생시키는 RF

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.03

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[유기소재] 유기전자소재

어 시장규모가 년간 13%의 신장을 보이고 있으며, 80년대 후반부터 웨이퍼와 포토레지스트 등의 FAB 공정 재료의 기술혁신이 지속되어지며 제품의 다양화와 시설 및 R D 투자규모 ... 부터 시작되었으나 근래에 들어 전 세계적으로 본격적인 연구가 진행되고 있다. 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 구부리거나 접을 수 있는 전자 회로 기판 ... 은 공정 온도를 필요로 하는 경우, 또한 구부림이 가능해야 하는 경우, 특히 저가 공정이 필요한 경우 유용하게 쓰일 수 있다.광통신 소재(1)플라스틱 광섬유 고분자 광학 재료의 용도

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.30

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[전자세라믹스]초임계유체

), 전달 물성 (점도, 확산계수, 열전도도) 뿐만 아니라 용매화 및 분자 clustering 상태를 조절할 수 있다. 따라서 이러한 물성 조절의 용이성을 반응과 분리 등의 공정 ... 상승함을 알 수 있다. 이와 같은 용해 형태는 초임계 용액에 녹는 화합물에 있어 매우 보편적인 것이다. 그리고 이러한 용해 능력을 바탕으로 분리와 정제 공정 등에서 추출용매로서 초 ... 임계 용액이 사용되고 있다.● 초임계유체추출(supercritical fluid extraction)분리 공정초임계 추출 공정현재까지 사용되는 많은 추출기법들은 주로 20세기 이전

리포트 | 31페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.06.03

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태양전지

u저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 다결정실리콘 태양전지는 원재료로 저급의 실리콘 웨이퍼를 사용하는데, 따라서 ... " \t "_blank" 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지 ... 에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수밖에 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.04

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[반도체공학] SOI(Silicon On Insulator) 조사 (파워포인트)

특성 단점 제조 공정이 까다로움Gate All Around(GAA) Transistor J. P. Colinge SGT 구조를 기초로 SOI 기판을 사용한 GAA 구조 제안 ... (1990)Gate all around(GAA) transistor의 구조 (from [3]).특징 폴리실리콘이 실리콘 채널을 완전히 감싸는 구조로 제작 장점 SGT에 비해 제작공정 ... 이 기존의 MOS 공정에 가까움 MOS 보다 포화전류 약 3배 이상 단점 게이트와 소스 및 드레인의 Overlap 정전용량이 매우 증가현재 SGT와 GAA 구조를 개선한 double

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.24

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태양광 발전

은데, 그 해결방안으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 다결정실리콘 태양전지는 원재료로 저급의 실리콘 웨이퍼 ... 로부터 태양전지를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수밖에 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 방안으로 기판의 두께를 혁신 ... 적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법으로 태양전지의 대량

리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.08.23

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하이닉스 경영분석

의존 실리콘웨이퍼: 30% 국산화율 무리한 차입에 의한 투자, 경영*02,한국경제의 의해 - 하이닉스산 업 분 석 – 회 사 개 황*02,한국경제의 의해 - 하이닉스산 업 분 석 ... 투자 비메모리분야 재료,장비산업 개발인프라정부지원제조기술,인력 메모리투자/개발 생산공정 생산성공격적 투자기조 유지 생산품목의 포트폴리오 전략 다양화 차세대품목에 대한 시장 선점투자 투how}

리포트 | 35페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.10

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