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"웨이퍼공정" 검색결과 2,361-2,380 / 2,702건

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  • [반도체 관련 장비] 스퍼터 원리와 DC,RF 스퍼터
    하게되고 결국에는 얇은 박막을 형성하게 되는데 위와 같은 공정을 그림 4에 나타내었다.표 1. 스퍼터링의 장단점{장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 ... 에도 SiO2와 같은 비전도성 물질의 증착에도 사용할 수 있다. 이러한 스퍼터링의 장단점을 표 1에 나타내었다.일반적으로 스퍼터 공정은 먼저 이온들이 생성되어 타겟쪽으로 이동을 하 ... 를 저해시키거나품질이 떨어짐.d. 공정이 저진공상태에서 수행되므로 다른 불순물에 의한 오염 가능성.그림 4. 스퍼터링의 원리{(2)스퍼터링의 종류(2-1) 직류 인가 스퍼터링(D.C
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.06
  • [IMF경제위기]IMF경제위기(IMF금융위기, IMF외환위기) 원인, IMF경제위기(IMF금융위기, IMF외환위기) 영향, IMF경제위기(IMF금융위기, IMF외환위기) 대응전략, IMF경제위기(IMF금융위기, IMF외환위기) 극복 노력
    수입시기로서, 99년 이후 12인치 웨이퍼를 이용한 차세대 제품생산을 위해서 98년부터 신규투자가 필요하다. 그런데 98년 설비투자는 97년보다 30%가량 축소할 방침이지만 국내업체 ... 투자는 당분간 억제 또는 연기하여야 하며, 해외투자 역시 전면적으로 재조정하여 수익성을 제고하는 전략사업에 집중투자 전략을 구사하여야 한다.한편으로는 미세공정을 적용한 슈링크기술 ... 을 이용해 웨이퍼당 칩 생산량을 늘리고 생산수율 향상을 통해 제조원가를 절감하여야 한다. 또한 현재 사용중인 수입 반도체장비 중 독점 공급상태인 품목을 이원체제로 전환함으로써 가격
    리포트 | 24페이지 | 7,500원 | 등록일 2007.07.30
  • 신소재 용어 전기적 기능 도전성
    effect)에 관계되어 일어나는 현상을 말한다.반도전성금속과 같은 도체와 고무와 같은 절연체의 중간적인 성질* GaAs 4인치, Si 8~12인치 웨이퍼로, 화합물 반도체는 Si ... , 실리콘 고무 170sec, 페놀 수지 10~20sec, 유레아 수지 92sec 등이다.* 전기전자부품의 제조 공정 중에 아크(arc) 또는 스파크(spark)에 의한 전기 충격
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.21
  • [에너지 공학 ] 연료전지와 마이크로 채널
    를 연료전지의 산화제로 사용하는 경우에도 이산화탄소 제거 공정을 거친후 연료전지에 주입하여야 한다.Alkaline H2 + 2OH- → 2H2O + 2e- O2 + 2H2O + 4 ... 의 사의 공정들을 작은 평면형 장치 위에 집적하는 것으로서 의약산업의 신약탐색, 의료진단, drug delivery, DNA analysis Systems 등에 응용된다.(2) 초미세 ... 화학공정 시스템lab-on-a-chip 기술을 화학 및 생물공정에 적용하여 integrated system의 구현이 가능, Scale-up에 따른 위험을 감소시킬 수 있다(3
    리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.26
  • [반도체공정] 반도체packaging공정
    웨이퍼(wafer)의 뒷면을 갈아내어 두께를 얇게 만드는 공정수 mil (mil = mili-inch = 0.001 inch)1) Backgrinding2) Wafer Mount ... 웨이퍼를 다루기 좋도록 테이프를 이용해 금속프레임에웨이퍼를 고정시키는 공정..PAGE:7Packaging 제조 공정2. Wafer Sawing1) 목적- Die Attach를 하기 ... 위하여 TapeMount된 Wafer를 각 Die(웨이퍼상의 수 많은 칩들)로 분리시키기위한 공정2) 원부자재(1) TAPE : Tape와 Ring Frame을 사용하여 Wafer
    리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.07
  • [디스플레이]전자종이
    한 양의 입자 및 분산매를 넣는 일은 상당히 복잡하고 어려운 공정이다. 둘째, 이러한 캡슐들을 디스플레이 표면에 단일 층으로 빈틈없이 분포시키기 위해서는 적당한 binder의 개발 및 ... 도포 공정의 개발이 필수적이다. 따라서 최근 들어 리소그래피 기술이 발전함에 따라 encapsulation 대신 기판 위에 직접 격막 (micro-cup, micro-wall ... 을 형성할 수 있고, 추가적인 binder 개발이나 monolayer control 등의 공정이 필요 없게 된다. 또한 기계적 충격에 대해 보다 잘 견딜 수 있으며 대면적 저원가
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.12
  • [FTA]한ㆍ미 FTA협정 채결에 따른 반도체 시장 분석
    ~ '82'83 ~ '87'88~'97'98년 이후주요활동?조립기술흡수?Wafer가공기술흡수?공정기술 및설계기술흡수?자체개발?기술선도?생산구조조정(System IC)제품개발?조립 ... 생산?시계용 칩?트렌지스터?64K, 256K1M DRAM?4M, 16M,64M, 128M?256M, 1GFRAM,MCU부가가치창출부분?생산(조립)?생산(Wafer가공)?생산?연구 ... 에 이어 세계 3위의 반도체 공급국으로 성장. 특히 D램분야의 경우 우리나라는 생산능력, 공정기술, 가격 및 품질면에서 세계 최고의 경쟁력을 보유하고 있고, 256M D램 및 1G
    리포트 | 35페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.31
  • [반도체] 반도체process
    면 다음과 같이 네가지로 나눌 수 있다.1. 고순도 Polysilicon2. 웨이퍼 제조과정3. 웨이퍼 제조과정4. Package 공정2. 재료형성실리콘 반도체 소자 생산의 첫 단계 ... 표면에 반도체 소자난 IC를 형성하는 제조공정을 일컫는다.(1) 웨이퍼 용어전형적인 반도체 웨이퍼를 위의 그림에 나타내었다. 웨이퍼의 직경은 다양하다.. 칩, Die : 웨이퍼 ... 이 테스트 다이는 공정중의 품질관리를 위해 크게 만들어진다.또한 테스트 다이는 수율을 높이는데도 기여하는데, 완성된 웨이퍼의 패턴이 여러 공정의 질을 보여주기 때문이다.. Edge
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.24
  • [반도체] Cleaning process
    {Introduce모든 웨이퍼 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되 ... 고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 웨이퍼 세정 공정웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 ... 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2002.08.28
  • 삼성반도체 마케팅 성공전략 (발표 에뿔)
    체제에서 공정성과 투명성이 높은 기업만이 살아 남을 수 있다.”사외이사의 역할 - 회사 경영을 직접 담당하는 이사 외에 외부 전문가들이 이사회의 구성원으로 대주주의 전횡을 방지 ... 구축 속도 향상* 내부의 효과적인 지식공유체제로 공정 향상의 필요 지식 확보3. 사업부 수준의 전략경쟁우위와 경쟁전략신제품 개발의 속도전*신속한 대량생산체제 구축 능력을 강화 ... 개발생산비용 절감을 위한 다양한 공정혁신3. 사업부 수준의 전략비용우위와 가격경쟁전략생산라인의 복합적 활용을 통한 비용 절감* 구 생산라인에서 신제품을 만들어내는 방법 도입* 한
    리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.05.22
  • 실리콘의 제법및 활용
    하며, 물질로서는 암회색의 금속상이다. 반도체용 실리콘 웨이퍼, 합금 Ferrosilicon등이 Silicon의 응용제품의 예다. 실리콘(Silicone)은 유기기를 함유한 규소 ... 고 생성물이 부산물로 얻어진다. 이 혼합물로부터 유용한 chlorosilane을 분리하기 위해 직접법에 의한 합성공정 후 증류공정이 계속된다. 증류로 분류(分流)하기 위해서는 성분 ... 은 단독으로 혹은 적당한 비율로 혼합하여 물에 의해 가수 분해 된다. 다음 식에 표시한 것처럼 이 공정에서 silanol(SiOH)이 생성되어 이 silanol이 탈수, 축합
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.06.25
  • 한국의 국가경쟁력 (북한과 중점 비교)
    은 스해 반도체장비 관련 35개 표준을 개발하는 내용의 반도체장비 표준화 5개년 계획을 12일 발표했다. 기술표준원은 올해부터 2011년까지 반도체장비 용어, 웨이퍼 균일성 시험방법 ... 국명기술수준주요특징메모리소자기술설계기술응용미국116M DRAM 생산단계,기조기술 우위소자기술셀기술메모리집적공정기술메모리공정기술미세패턴 형성기술기반일본116MDRAM생산단계,VRAM
    리포트 | 34페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.03.26
  • SOD(Spin-on dopant)법을 이용한 p-n Junction Solar Cell 제작 (실험 사전 보고서)
    실 험 목 적? Solar Cell 의 원리를 이해하고 직접 제작하여 효율을 계산한다.실험 준비물1. Silicon Wafer (Substrate) : P type(Boron ... )에서 11%의 효율이 기록된 바 있으며 실험실에서는 17%를 상회하는 효율이 재현성 있게 기록되고 있다. CIS층은 진공증착 또는 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치 ... 로 CdS를 입히는 공정이 제안되었을 때 각각 전지의 효율이 획기적으로 증가되었다.3. 태앙전기의 효율? 태양전지의 효율을 특징 지워주는 변수로는 open-circuit voltage
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
  • 반도체 제조 공정
    1. 단결정 성장 방법단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정입니다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉 ... 의 공정 기술에 한계를 가져와 선택적 박막 증착법과 같은 새로은 공정 기술의 개발을 요구하고 있다. 이중 선택적 단결정막 성장 기술은 최근 다양한 novel Si device 구조 ... 에 응용 가능성이 시사되면서 크게 주목받고 있다. 선택적 단결정막 성장을 공정에 안정적으로 적용하기 위해서는 단결정막 성장 과정에서 절연층 표면에 핵의 형성을 억제해야 하며 그 과정
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.04.19
  • [반도체의 원리] 반도체의 원리 및 응용
    신호 즉, 전기에너지로 전환하여 저장하는 반도체소자. 캠코더(무비카메라), CCTV등의 화상저장소자로 널리 사용되고 있다.반도체 재료 웨이퍼 (wafer) 반도체물질로 만들어진 ... 이다.실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer) 오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정실리콘 박판 실리콘은 일반 ... 얇고 둥근 조각. 이 위에 집적회로를 만들어 넣게 된다. 실리콘웨이퍼의 경우 직경크기에 따라 4, 5, 6, 8, 12 inch의 크기를 사용하고 있다. 마스크 (mask) 웨이퍼
    리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.09
  • NFGM(Nano-Floating Gate Memory)기술 및 연구동향
    oxide-nitride-oxide-silicon: 게이트에서 채널 방향으로 본다. 층 구조의 첫 글자를 따서 SONOS라 부름)와 NFGM이 다. 이들의 제작공정은 기존의 플래시 기술 ... 에 의해 다양한 종류의 셀 구조(architechure)가 제안되어 왔다. 이렇게 다양한 셀 구조는 각 회사가 갖고 있는 특허 또는 공정, 설계 및 제품 기술력 그리고 시장 예측 및 ... 기대 등에 의해서 다르게 제안되었지만 현재는 셀 크기 축소화 및 공정 구현가능성 정도 등에 근거하여 구분되고 있다. 대표적인 방식으로는 randomread가 가능한 NOR
    리포트 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2007.10.08 | 수정일 2018.11.24
  • Ubiquitous + Sensor (MEMS, NEMS)
    elements, sensors, actuators, 그리고 electronics를 우리가 잘 알고 있는 Si wafer 위에 microfabrication technology ... , inductor, Switch (RF에서는 여러가지 초소형 RF 장비로의 연구개발이 이루어지고는 있으나 공정의 난점이 많아서 상용화가 더딘 편이다.)4. MEMS의 특징 ... 을 측정함으로써 주위환경의 정보를 받아들이게 된다. MEMS device는 ICs처럼 일괄처리(batch process) 기술을 이용하므로 작은 Si wafer위에 아주 복잡한 과정
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.26
  • [반도체공정] 새의 부리현상
    반도체 집적회로 공정학번 이름문제 제기? 당시 반도체 회로의 선폭을 머리카락 두께인 1㎛ 이하로는 만들지 못했다. 반도체의 성분인 실리콘이 산소와 반응하면 ‘새의 부리’ 모양 ... 으로 산화막이 만들어지면서 부피가 커졌기 때문이다.Bird's Beaksilicon이 산소와 만나 Si의 40% 소비하면서 growth 되는데 이 때, 공정관리가 잘 안되면 산화막 ... 으로 인해 차지하는 필요없는 면적을 얼마만큼 감소시키느냐가 중요 과제로 대두된다.새의 부리 현상 제어가 필요한 이유소자 분리 기술은 반도체 공정에서 가장 중요한 기술 중의 하나이며, 특히
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.26
  • cvd 와 pvd의 특징과 비교
    느냐 입니다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이지요. 반면에 CVD는 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능합니다. 다만 CVD ... 와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD ... 될 수 있다.2. CVD의 개요* CVD(화학 기상 증착법)공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UV or
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14
  • 대만경제정책의 개요(재정 금융 개방 산업 경제성장 노동 정책별)
    를 띄며 점진적 개방 원칙 세움, 그에 따라 다음과 같은 정책 수립⒜8인치 반도체 웨이퍼 공정 이전을 0.25마이크로미터에서 0.18마이크로미터까지 확대⒝석유화학 상류 업종의 대 중국 ... 는 산업 및 기술 향상을 활발하게 촉진키 위한 정부 정책과 관련 깊음, 조세정책과 직접적인 정부지출이 유인책으로 활용, 그 내용은 다음과 같음⒜기술개발과 공정 기술혁신에 대한 투자 ... 의 직접적 보호보다 공정 경쟁 환경 조성 통한 자생력 강화에 중점을 둔 대ㆍ중소기업의 균형적 발전 정책 시행, 그 내용은 다음과 같음⒜과거 융자, 생산기술, 경영관리, 시장판매 4
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.13
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2025년 05월 24일 토요일
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