"스퍼터"의 검색결과 입니다.

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sputtering 금코팅 sputtering 투명전극 스퍼터링 dc 스퍼터 장비 IGZO 반도체 공정 식각공정 진공펌프

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"스퍼터" 검색결과 141-160 / 285건

SPUTTERING

인가?스퍼터(Sputter)는 스퍼터링 방식으로 박막을 제조하는 장치이다.물리 기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동에너지를 가지는 해당물질이 물리 ... 에 에너지를 전달하여 확산시킬수 있다. 스퍼터되어 나간 원자의 주변에 있던 원자들도 원래의 위치에서 이동되거나 확산되기도 한다. 낮은 에너지를 가진 입사 이온들은 binary 또는 ... target 원자들 끼리도 운동량을 교환하기도 한다. 한편 매우 큰 에너지를 가진 이온들은 target 표면에서 중화되어 target내부로 주입되기도 한다. target에서 스퍼터 되

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.18

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[실험레포트] ICP, AAS

) 불꽃 또는 방전(Spark)을 이용하는 수도 있다.불꽃원자화법의 개략도를 아래에 나타내었다. 또 고체 시료를 흑연 도가니 중에 넣어서 증발시키거나 음극 스퍼터

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.05

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스퍼터링(sputtering)

수쉽게 만들어 질 수 있을 것 같다.스퍼터 증착막은 승화(격자원자가 공간을 튀어나가는 것)에 비해]서 20배 이상 높은 에너지를 가진 원자가 바탕에 뛰어들기 때문에 같은 바탕 온도 ... 을 사용한다. 그런 의미에서 스퍼터 증착은 플라wm마 프로세스이다스퍼터 증착은 반도체 공업 등 첨단 산업 분야에서 널리 이용되고 있다. LSI,SLSI의마이크로 칩 배선은 알루미늄 ... COVERAGE) 이런단차가 있는 곳을 스텝(STEP)이라고 하는데 이 단차를 넘어서 미크론 단위의 너비와두께의 금속막이 끊기지 않고 이어져야 한다. 이러한 문제에 대해서 스퍼터 증착은진공

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18

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[박막공학] Sputtering

한다.Fig 4. 스퍼터링의 모델도Fig 5. 스퍼터링 - 당구 게임타겟에 대한 입사 이온 1개댱에 스퍼터된 원자의 수를 스퍼터율 S라 한다. 스퍼터율은 a) 입사이온의 에너지, b ... 에서는 스퍼터가 발생하지 않느다. 문지방 값 에너지의 값은 많은 타겟 물질에 대하여 10eV대의 값이 보고되고 있다.이온이 타겟 표면의 법선에 대하여 비스듬히 입사하면 스퍼터율을 일반 ... 적으로 증가하고 어느 각도(40도 정도)에서 최대가 된다. 그러므로 이온의 입사각도를 제어할 수 있는 이온빔 스퍼터에서는 이온빔을 타겟에 대하여 비스듬히 입사시키는 일이 많다.일반

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안

증발법에 비해 조성이나 구조를 조절하기 힘든 측면이 있다 . - 진공증발법 보다 효율이 더 낮다 .CIGS 박막 증착 ( 스퍼터링 )DC 스퍼터 RF 스퍼터 CIGS 박막 증착

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| 리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26

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Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험

금속 원자 한 개 승화시 필요한 에너지: 3~5eV)→ 대부분의 에너지가 열로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.(3) 스퍼터율(sputter yield)스퍼터율: 하나의 양 ... 시켜 이 열전자가 DC 스퍼터링에서 2차 전자의 역할 수행.열전자로 기체의 이온화율 높이고 낮은 압력, 낮은 전압 스퍼터 증착 가능하나 열전자에 의한 오염과 저온 증착이 불가능하며 불 ... 증가, 스퍼터 속도 향상된다. 하지만 target 이 균일하게 소모되지 않는다.⑤ Unbalanced magnetron 스퍼터링 - 기본적으로는 magnetron 스퍼터링 장치지만

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| 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26

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박막 에칭

(plasma etching)·이온에칭(ion etching)·스퍼터에칭(sputter etching)을 총칭해서 건식에칭 이라고 한다.플라스마 에칭 - 화학적으로 활성인 가스플라스마(주로 ... 를 쫓아 낸다. 스퍼터에칭 - 이온에칭과 원리는 같은데, 이온형성과 시료에칭을 같은 공간영역에서 실시한다. 건식에칭은 선명하고 미세한 에칭을 특징으로 하고, 공정도 간략하여 이용 ... - 감광막이 두껍고 식각해야 할 박막이 매우 얇을 때 사용 - 사용되는 주파수는 5 ~ 500MHz 에서 가변적이나 대부 13.56MHz 를 사용RF스퍼터 식각장치플라즈마 식각

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| 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13

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PVD의 종류와 특성, 응용분야

에 스퍼터링 된 원자가 기판에 도달하지 못하는 경우가 발생하게 된다. 이러한 문제점들 또한 마그네트론을 사용하여 해결할 수 있다.마그네트론 스퍼터 건의 내부구조마그네트론 스퍼터링

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| 리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

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3. Thermal evaporation 예비

Deposition)과 화학적인 방법(CVD, Chemical Vapor deposition)으로 대별된다. 또한, PVD법은 진공 증착법과 스퍼터법, 이온플레이팅법으로 나눌 수 있

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.22

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Reactive magnetron sputtering을 이용한 ZnO박막증착

. 광학적 특성72.2.5. ZnO 박막 제조 기술82.2. 스퍼터링82.2.1. 스퍼터링의 원리82.2.2. 스퍼터링의 특징122.2.3. 스퍼터율(sputter yield ... 35특성에 대한 기판의 온도 영향을 조사하고자 한다. 본 실험의 목적은 유도결합형 플라즈마를 이용한 반응성 스퍼터링을 사용하여 ZnO 박막을 증착하고 특성을 분석하는데 있다. 스퍼터 ... 고, con)효과③ 열 발생④ 표면으로부터 이온 또는 중성입자 반사⑤ 이차전자 및 스퍼터 원자의 방출이렇게 타겟에서 이탈된 원자가 진공 상태에서 기판에 도달하여 박막의 성장물질이 되

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| 리포트 | 57페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.12.06

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TCO(Transparent Conductive Oxide) 의 종류 및 ITO 제조 공법에 따른 장, 단점 비교 분석

스프레이IFO84354*10205*10-4300~500스프레이FTO75351.2*10201*10-3300~500스프레이85302*10211.7*10-4500RF 스퍼터CTO90161.2 ... *10202*10-340RF 스퍼터ZO80301*10212*10-4400진공증착≥8833.11.36*10211.38*10-4350RF 스퍼터88--2.8*10-420089~401 ... *10211.4*10-4400DC 스퍼터ITO8360~705~6*10201.8*10-4400~500DIP90~93~43~8.8*10201.8*10-4350~450스프레이가시광투과율

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| 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09

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전자 주사 현미경 구조

한 목적을 위해서만 제한적으로 사용되고 있다플라즈마의 원리 & 스퍼터 코팅의 효과-플라즈마의 원리플라즈마를 제 4원소라고 한다. 고체 액체 기체 다음으로 플라즈마인데, 제3원소인 고체

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| 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.29

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태양전지의 원리 및 미래 태양전지 기술

^{2} 크기의 stainless steel 기판을 이용하여 수직 스퍼터방법으로 CIGS 박막 태양전지를 생산하고 있으며, Global Solar Energy는 인라인 증발법

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| 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.12.16

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[박막공학]박막형성의 원리

고 반응성 증착으로 절연막을 형성시키기도 한다. RF 스퍼터링을 이용하면 금속, 합금, 산화물, 질화물, 탄화물 등 거의 모든 종류의 물질을 스퍼터 증착할 수 있지만, 생성된 막이

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| 리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.27 | 수정일 2025.01.21

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display engineering

2011-12-19 디스플레이 공학 2011 년 2 학기 5TFT 제조공정의 개선방향 A. MIC 기법 - 정의 : 비정질 Si 에 금속촉매를 스퍼터나 스핀코팅 방법으로 도포 , 낮

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| 리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.21

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LOW-E 유리

6-1. 내구성(내화학성 및 내마모성)증진√기존 스퍼터 로이 유리-약한 내화학성 : 장기간 보판이 불가능-약한 내마모성 : 이송이 어렵고 대리점판매가 불가능이러한 단점은 로이 유리 ... -코팅면의 방사율 → 로이 유리의 성능을 나타내는 지표-일반적인 스퍼터 로이 유리의 방사율 → 0.1정도-파이로리틱 로이 유리의 방사율 → 0.15~0.2-더욱 낮게 하기 위한 노력이됨.

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| 리포트 | 19페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.06.28

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박막에 대해서 ...

, PVD법은 진공 증착법과 스퍼터법, 이온플레이팅법으로 나눌 수 있다. 그 중 진공 증착법은 진공(10-4Torr) 중에서 고체 또는 액체를 가열하여 분자 또는 원자로 분해한 후 ... 기판표면상에 응축시키는 방법으로, 장치 구성이 간단하고, 매우 많은 물질에 쉽게 적용이 가능하기 때문에 지금 까지 많이 사용되어 오고 있는 방식이다.스퍼터법은 진공 증착법 ... 다.스퍼터자 등의 이온입자가 큰 운동에너지를 가진 채, 고체(Target)와 충돌할 때, 방출되는 중성원자와 중성분자의 방출현상을 이용하여 박막 증착에 이용하는 방법이다.현재 박막증착

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| 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.22

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Cu film의 전기적 특성 분석 실험

을 회전 크다. - 구성이 간단하다.- 성이 복잡한 것도 적용시킬 수 있어 타깃재료성분 그대로 스퍼터 코팅이 된다.- 높은 에너지의 공정이므로 밀착강도가 높다.≫단점- 높은 Ar 압력

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.03

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[반도체] 스퍼터링

으로, discharge 내의 구성요소들의 존재는 특성 스펙트럼 파장의 조사로 알 수 있다.2) 스퍼터율( s p u t t e r y i e l d )스퍼터율(sputter yield)은 “하나

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.08

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원자흡광광도법 (AAS)

어서 증발시키거나 음극 스퍼터에 의하여 원자화시키는 방법도 있다.· 휘발성이 강한 성분의 측정에는 환원기화법이 많이 사용된다.㉡전분무 버너· 시료용액을 직접 불꽃 중으로 분무

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| 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.27

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