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sputtering 금코팅 sputtering 투명전극 스퍼터링 dc 스퍼터 장비 IGZO 반도체 공정 식각공정 진공펌프
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"스퍼터" 검색결과 201-220 / 285건

  • 자료 표지
    스퍼터링
    되는 스퍼터링 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다. 여러 가지 불활성 기체가 있으나 가격등 여러 가지 측면을 고려했을때 Ar이 적당하다. 스퍼터장치의 시스템
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.21
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  • 자료 표지
    [임상화학]【A+】산란계
    꽃 또는 방전을 이용하는 수도 있다. 또 고체시료를 흑연도가니 중에 넣어서 증발시키거나 음극 스퍼터에 의하여 원자화시키는 방법도 있다. 휘발성이 강한 성분(Hg, As, Se 등
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 56페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.15
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  • 자료 표지
    스퍼터링,비저항
    (ground) 된 anode 가 되며 target 으로부터 불과 수 인치(inch) 떨어져 있게 된다.스퍼터 가스로는 보통 Ar 가스와 충돌하여 Ar 이온을 생성하며, 이를 통하여 더 많
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.19
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  • 자료 표지
    신소재를 이용한 골프채
    감 향상을 위해 ‘ 스트로노믹 ’ 이라는 경량의 천연고무를 덧대기 시작하여 근래에는 합성수지 소재를 페이스 부분에 덧댐 예스퍼터 그루브 가공으로 백스핀을 줄이고 직진성을 향상
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09
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  • 자료 표지
    AAS
    제트 불꽃 또는 방전을 이용하는 수도 있다. 또 고체 시료를 흑연도가니 중에 넣어서 증발시키거나 음극 스퍼터에 의하여 원자화시키는 방법도 있다. 휘발성이 강한 성분(Hg, As, Se 등)의 측정에는 환원기화법이 많이 사용된다.
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.03
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  • 자료 표지
    [박막공학]이온빔의 원리와 스퍼터링
    cycle동안 챔버(chamber) 내의 길이만큼 가로지를 수있다. 그러나 고주파의 사용으로 이온을 챔버의 중간영역에서 들뜨도록 유지할수 있는데 유전물질을 에칭 또는 스퍼터할
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.27
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  • 자료 표지
    2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)
    daw RC를 위한 인터페이스 엔지니어링을 통해 높은 선택적 클린 가능(Siconi Preclean)- Ar 스퍼터 클린으로 컨텍하부 불순물 제거, 컨택 위쪽을 깍아 작은 면을 냄
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07
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  • 자료 표지
    ITO,ITO glass,,박막 증착 기술,전착(electro deposition)
    . 우수한 마그네트론 스퍼터를 적용으로 균일한 두께의 ITO 박막을 증착하여 면저항 및 식각성이 균일하다.[SPECIFICATION]Touch Panel 용 Coating Glass
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.20
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  • 자료 표지
    [반도체 공학] pvd의 종류및 증착원리
    하여 더 많은 이온과 전자들이 생성되어 더 많은 전류가 흐를 수 있기 때문에 glow discharge의 유지가 가능해지고 스퍼터되는 원자의 양이 증가하여 결국 막의 증착 속도가 증가 ... 한다는 것이다. 이온은 기체 원자를 전리(ionization)시키면 얻어지기 때문에 결국 어떤 기체를 스퍼터에 이용할 것이냐의 문제로 귀착된다. 일반적으로 반응성이 없는 불활성 ... 기체(noble gas)가 스퍼터에 이용된다. 가스의 원자량이 클수록 sputter yield가 크기 때문에 argon 이 널리 사용된다.2) RF 스퍼터링RF 스퍼터링 장치는 절연
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.09.30
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  • 자료 표지
    인쇄전자소자
    다.CVD, 스퍼터, 진공증착, 도금, 스프레이, 인쇄 등 여러 종류의 반도체 제조장치들은 박막형성재료들을 증기화하여 기판에 성막하여 노광 및 현상공정을 통해 패터닝을 하거나, 금속
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.24 | 수정일 2020.08.11
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  • 자료 표지
    AAS실험 결과리포트
    방전을 이용하기도 한다. 또한 고체 시료를 흑연도가니에 넣어서 증발시키거나 음극 스퍼터에 의해 원자화시키는 방법도 있으며, 휘발성이 강한 성분의 측정에는 환원기화법이 많이 사용
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.03
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  • 자료 표지
    [전자공학] 박막형성법과 박막특성
    ..PAGE:1박막형성법소속 :학번 :성명:..PAGE:2목 차박막 형성법 개요물리적 방법중 스퍼터법스퍼터법의 종류화학적인 방법중 CVD 방법박막의 특성PLZT 박막의 광학 ... 적 특성PZT 계 박막의 전기적 특성..PAGE:3박막 형성법의 개요막을 형성시키는 방법으로는 물리적인 방법과 화학적인 방법으로 크게 나눈다. 물리적인 방법으로는 진공증착법, 스퍼터법 ... , 이온 플레이팅법 등이 있다.화학적인 방법으로는 CVD법, 졸겔법, 액상 에피택시얼법, 용사법 등이 있다...PAGE:4물리적 방법중 스퍼터법스퍼터(sputter)법은 박막이 되
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18
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  • 자료 표지
    thermal evaporation법을 이용한 박막의 제조 레포트.
    Vapor deposition)으로 대별된다. 또한, PVD법은 진공 증착법과 스퍼터법, 이온플레이팅법으로 나눌 수 있다. 그 중 진공 증착법은 진공(10-4Torr) 중에서 고체 또는
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.15
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  • 자료 표지
    소뼈를 이용한 생체소재용 임플란트 제조
    을 거친다. 유발한 분말을 가지고 성형을 하게 되는데 두가지 모양의 몰드로 성형을 하였다. 원형 몰드는 스퍼터에 쓰이는 타겟을 만들때 쓰이고 사각 몰드는 세라믹 바를 만들 때 쓰인다
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.01.11
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  • 자료 표지
    e-beam 증착법
    가까이 묻는 방법이 이용된다.◎전자빔을 이용한 증착법◎진공 증착법은 광학박막 분야에서는 가장 일반적인 피막 기술로서 현재는 오직 이 방법만이 사용되고 있다. 이 방법에는 스퍼터 링
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.29
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  • 자료 표지
    스퍼터링
    다 방전이 불안정 절연체의 스퍼터는 불가능 : 정이온의 방전때문: 진공조 전체를 방전관으로 하여 그 속에 방전용 가스를 넣고 2극 직류의 글로 방전을 일으킨다장치 구성 - 도입
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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  • 자료 표지
    플라즈마 공정
    와의 충돌 촉진 이온화 효율 향상, 스퍼터링 효율 향상시키는 방식 - 장점 : 기판에 대한 전자 충돌 감소 증착속도 향상 스퍼터 가능 압력도 낮출 수 있다. 유전체 재료의 스퍼터링이 가능
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    | 리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.01.16
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  • 자료 표지
    [반도체]반도체 제조 공정
    반도체SiO2 Si3N4SiO2절연체스퍼터증착화학증착열산화층3-(2) 패턴 형성웨이퍼 위에 형성된 막을 부분적으로 제거하여 패턴을 형성한다 이러한 패턴형성 공정 ... : 습식 건식(플라즈마, Ion)웨이퍼 위의 층 선택적 제거패턴형성산화 : 대기압 CVD : EPI, 저압 플라즈마 촉진 증착 : 금속 스퍼터 : 금속, 절연체웨이퍼 표면에 막
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.01
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  • 자료 표지
    실리콘 산화 공정 및 메커니즘
    • 진공 증착 : SiO2 , Si + O2• 스퍼터 : coverage, stoichiometric• 플라즈마 : H containing film2) 250 ℃ < T < 600
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.01
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  • 자료 표지
    초 경 합 금 공구
    ◈ PVD 코팅 공정전극으로부터 Ti 등의 금속에 에너지 빔을 조사, 증발시키는 동시에 증발물질에도 조사하여 '이온화'시켜 코팅스퍼터(sputter) 방식아크(arc) 방식17/207
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.05
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