cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안
- 최초 등록일
- 2012.05.26
- 최종 저작일
- 2012.02
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소개글
cigs의 개요부터 원리 구성특성 장단점등을 한눈에 볼수있게 나타냈습니다.
목차
1.cigs의 개요
2.태양전지간량설명
3.CIGS원리
4.CIGS의 구성및 특성
5.CIGS박막 성장기술
6.CIGS박막의 장단점
7.CIGS고효율화 방안
8.CIGS산업동향
본문내용
기본적으로 P-N동종접합으로 태양전지에 사용
가장 산업화가 앞서가고 있는 분야
단결정 실리콘
1세대 태양전지
2세대 태양전지
CI(G)S (CuIn(Ga)Se2)와 CdTe 계열과
III-V GaAs계열이 상용화에 가장 활발
CIGS/CIS는 화합물 기반의 박막 태양전지구 리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 화합물을 사용
3세대 태양전지
장점
제조가 쉬움
채색 반투명 태양전지 셀 제작 가능
(건물일체형 응용분야 널리 활용)
색상을 다양하게 할 수 있음
(컬러 유리창호로 활용)
플라스틱처럼 휘어지게 만들기 쉬워 활용범위가 높음
가격 경쟁력 우수
단점
낮은 효율
짧은 수명
미래에 초고효율, 초저가 태양전지가 이 기술을 기반으로 실현될 것
CIGS의 원리
-PN접합 반도체는 농도 차에 의한 확산과 에너지 차이에 의한 전기장에 의해 전기적 평형 상태
Band gap 이상의 빛이 들어와 전자, 홀 쌍이 생기고 PN접합으로 생긴 전기장에 의해 이동
이로 인해 생긴 전압 차로 전력을 만들어 냄
CIGS의 원리
-밴드 갭 이상의 태양광 에너지 -전자와 정공 쌍 생성
태양전지 원리
태양전지 원리
-전자는 전극을 타고 P극으로 이동 -전자는 후면 전극을 통하여 정공
과 결합하여 소멸(원위치로 간다)
CIGS 구조
Back Contact (molybdenum)
선택조건 : 열팽창계수
전기전도도
고온안정성
CIGS 구조
Absorber layer(화합물 : p-type)
Cu,In,Ga, Se
함량조절을 통한 밴드갭 조절
Se를 S로 대체
복잡한 제조공정
CIGS 구조
Bufferlayer(CdS)
p-type 와 n-type의 격자상수차이
-접합을 위한 layer
중간에 해당하는 밴드갭
참고 자료
없음