"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)"의 검색결과 입니다.

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evaporator 스퍼터링 Cr ITO 증착 rf magnetron 반도체 공정 대학원 컨택 메일 RF-magnetron sputtering

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"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)" 검색결과 341-360 / 399건

[신소재 설계입문] PEMFC 연료전지 수소연료전지 설계 프로젝트 발표보고서

. Magnetron sputtering ) Chemical vapor deposition(CVD) Electroless deposition for Ni-Ph alloy ．．．． 표면코팅 전기 ... ] 접촉저항 문제 해결 Coating layer Coating process Stainless steel Physical vapor deposition(PVD) (eg ... 전도성 우수 모재와의 접착력 우수 모재와의 열팽창 계수 차이 요구 조건[ 분리판 ] 참고 실험 1 전력 밀도향상 TiN 코팅 실험 결과[ 분리판 ] 참고 실험 2 sample

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| 리포트 | 38페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.06.23

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[박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

▶ 스퍼터링의 정의활성화된 가스이온으로 고체표면을 충격하여 에너지 이전에 의해 표면 원자를 물리적으로 축축하여 다른 고체표면에 도금하는 공정.▶ sputtering의 발생glow ... properties, which are predictable and stable4 Versatility : the sputter process is essentially a kinetic ... , virtually any material can be introduced onto a gas discharge or sputtered from the solid5 Good

Non-Ai HUMAN
| 시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30

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Sputter

표준적인 sputter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? RF sputtering에 비해 성막 ... SputteringDC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 ... 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56

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| 리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.24

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MOS소자

: DC sputter를 이용하여 상부전극 Pt를 증착(5) lift-off: 원치않는 부분의 Pt를 아세톤을 이용하여 제거(6) C-V parameter를 이용 ... ℃ : Wet anodization, CVD, sputtering② 250~600℃ : CVD(SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2)③ 600~900℃ : CVD ... ⇒ Oxidants, wafer crystal orientation, dummy wafer,doping concentration, surface status, pressure

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25

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[공학] 건식도금에 대하여 CVD와 PVD

글로방전은 직류가 아니라도 전자를 나선상태로 만들어 주면 (고주파나, 마그네트론 등으로) 발생시킬 수 있다.음극스퍼터링의 종류는 다음과 같다.(1)직류스퍼터링(DC s ... puttering)(2)고주파 스퍼터링(RF sputtering)(3)반응성 스퍼터링(reactive sputtering)(4)막의 성장과정【3】이온도금(ion plating)(1) 이온도금 ... 이라고도 말하고 세 가지로 분류할 수 있다.. 1)진공증착법(vacuum metallizing):뒷면은 도금이 되지 않으므로 기판을 회전시켜야 한다2)음극스퍼터링(cathode s

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.01

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박막의증착

-beam, 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해왔으나? 최근에는 엑시머 (Excimer= excited ... 에 날아와 균일하게 증착되는 것이다.?????(A) Magnetron sputtering☞ Cathode에 영구 자석이 장착되어 타겟 표면과 평행한 방향으로 자장을 걸어 주는 s ... 에 sputtering 할 수 있다.?☞ 합금이나 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능하다.☞ 증착시 증착물의 조성을 바꿀 수 있다.☞ 내화 재료의 증착.☞ 아연막의 증착

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| 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.26

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[박막공학]여러가지 박막 제조 공정

은 중성 상태로 돌아가고 이온화 된 후 다시 충 돌 하는 과정을 반복함.DC sputtering DC sputter의 구조접지진공아르곤 주입구웨이퍼가열기전극 (양극)전극/타겟 (음극 ... ECR 플라즈마 CVDPVD(물리적 증착 방법) * 진공 증착 저항 가열 증착 전자빔 가열 증착 * 분자선 에피택시 * 스퍼터증착 직류스퍼터 증착 고주파 스퍼터 증착 마그네트 ... 작용들을 통해 새로운 층을 생성함.Sputtering스퍼터링의 정의 고체의 표면에 고 에너지의 입자 표면원자와 충돌 고체 표면의 원자 분자를 표면으로부터 제거하는 것 글로우 방전

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| 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16

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[공학]디스플레이 재료및 공정

함으로서 가능해 진다. 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 s ... )PVD -Vacuum evaporation-sputtering4. 리소그래피공정(Lithography Process)1)식각 - Plasma etching진공공정(vacuum ... 을 수 있기 때문에 최근 표면경화의 한 수단으로 주목을 받고 있다. PVD법을 크게 분류하면?①이온을 이용하지 않는 진공증착(evaporation), ②이온을 이용하는 스퍼터링(s

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| 리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.02.22

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[반도체 제조공정] 반도체 제조공정

을 형성한다. 이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering)이라고 한다. DC diode, RF diode, triode, magnetron, modified ... RF magnetron 스퍼터링 장치가 반응성 스퍼터링장치로 이용될 수 있다.스퍼터링 기술의 큰 약점 중 하나는 증착속도가 느려서 생산성이 떨어진다는 점이다. 스퍼터링 공정 ... . 상부전극 Pt를 shadow mask를 이용하여 증착Photolithography(사진공정)1. 시편준비2. HMDS(Hexamethyldisilazane)prime분자식

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11

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CVD&PVD

이 ion 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면의 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서는 sputtering이라고 말한다. 박말 증착 ... 역학적 평형반응에 가깝고, 반응가스 선택 가능하고, 절연체위에도 증착가능하고, 대량 생산 가능하고, Step coverage가 좋고, 기판의 in-situ etching이 가능 ... Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저

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| 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01

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필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성(optical property)에 미치는 영향

. IntroductionFIG. Schematic of low-frequency inductively coupled plasma assisted rf magnetron sputtering ... Visible photoluminescence from plasma-synthesized SiO2-buffered SiNx films: :Effect of film ... silicon has stimulated researchers to explore effective silicon-based light-emitting materials

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| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.02

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evaporator의 원리 및 이론

) E-beam source2. EvaporationForce experienced by electrons in a contained magnetic and electrostatic ... 률 (TiO2)- E-beam evaporation, ARE : 2.2~2.35 IAD : 2.35~2.5 IP, Ion beam sputter : 2.5~ 2.6장치가 비교적 간단 ... be preventedSorption pumpSorption on cooled zeolite10-2 ~ 760Initial pumpdown for oil-free systems of

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| 리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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[세라믹공학] RF Magnetron Sputtering 법에 의한 (Ba,Sr)TiO3 박막의 제조 및 전기적 특성평가

고 피로현상이 없고 누설전류 특성도 낮게 유지 될 수 있음페로브스카이트 구조(Ba,Sr)TiO3 의 기본물성실험목적RF 마그네트론 스퍼터링 박막을 기판위에 증착 ((Ba0.5,Sr0 ... 의 r.f power에서 플라즈마 발생시키고 증착압력에 맞춘 후 r.f power을 120W까지 증가 6.Pre-sputtering을 약 5분간 실시 후 서터를 열어 박막 증착 증착 ... pressure 10-2 torr Rf power 120W Substrate temperature Normal temperature Ar : O2 30 : 5 Pre-sputtering

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

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D.C Magnetron Sputterimg 으로 증착한 Cu 박막 결과 보고서

에서 우수한 특성을 나타내었다.AbstractWe deposited Cu thin film on corning 1737 Glass substrates using DC magnetron ... sputtering method. Substrate temperature and plasma power was fixed at room temperature and 100W ... special quality. When they reach at twelve minutes.1.서 론1.1 시험의 목적DC Magnetron Sputtering을 이용

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| 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.07.17

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[반도체공정] 스퍼터링

을 Magnetron sputter 장비를 이용해서(400V, 350mA) Ar gas(75sccn)를 주입해서 플라즈마 상태에서 Al을 시편에 증착시킴PR ApplicationPR액 ... The process of work마스크 제작ITO 절단기판 세척건 조스퍼터링 증착PR 도포에 칭UV 노광현 상Soft bakingHard bakingN2 ... gasSputtering 이론(1)스퍼터링이란? 플라즈마(Plasma)상태에서 이온화된 양이온 가스(Ar+)가 타겟에 강하게 충돌하여 momentum transfer에 의한 타겟물질이 기판위에 증착

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| 리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.22

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[박막공학] Sputtering

로 스퍼터링이 가능해 스퍼터링 기구를 연구하는 데에 이 장치가 사용되곤 한다.Fig. 10. DC triode sputtering deposition systemFig. 11 ... 은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착 ... 한다.Fig 4. 스퍼터링의 모델도Fig 5. 스퍼터링 - 당구 게임타겟에 대한 입사 이온 1개댱에 스퍼터된 원자의 수를 스퍼터율 S라 한다. 스퍼터율은 a) 입사이온의 에너지, b

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| 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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NH3.H2O 솔루션을 통해 조합되는 ZnO 나노 결정체 배열의 형태 변경

.H. Hong, Y.H. Shin, N.H. Lee, Deposition of ZnO thin films by magnetron sputtering for a film bulk ... , solar cell electrodes etc.수용액 접근법 - 활용된 수용액[Zn(NO3)2․6H2O/C6H12N4] - 나노 구조 배열의 큰 스케일을 조합을 얻는 방법 ... (b) 나노sheets, 그리고 (c) 담요모양의 표면을 가진 결정체들Fig 8. 다양한 모습을 가진(multiform) ZnO 의 XRD 형태들: (a) 나노튜브와 (b) 담요

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| 리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.04

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반도체공정 (Etching & Doping)

방전 형태로 두 개의 전극에 전압을 인가하여 자속 방전 유도한다. 실제적으로 magnetic field을 electric field와 수직으로 인가하는 magnetron 방전을 주로 ... 이용한다. → magnetron sputter② 용량 결합형 RF charge반도체 공정에 있어서 DC보다 RF가 훨씬 광범위하게 응용이 되는데 그 이유는 다음과 같다.A. RF ... 이 가능하나 DC의 경우는 반드시 노출이 되어야 하므로 전극 물질의 sputtering, develop 등에 의해 오염될 확률 이 높다.C. RF 방전의 이온화 효율이 일반

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| 리포트 | 29페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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[전자공학] 박막형성법과 그성질

, Magnetron sputtering, Unbalanced magnetron sputtering 등이 있다.(1) Reactive vs non-reactive process① non ... puttering yield가 높다.② reactive processDC diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron s ... ①10-1∼10-2Pa)(3) 가장 일반적인 magnetron source앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 'racetrack'형태로 sputter

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| 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18

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이온플레이팅의 원리

할 수 있다. (저항가열, e-beam, 유도가열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질 ... 에로 방출되거나, 혹은 음극표면에 침투하여 표면의 성질을 변화시킨다. 음극표면에서 방출된 원자는 다시 다음의 반응으로 이온화된다.S + e- → S+ + 2e-S + G* → S ... + + G + e (Penning이온화) ---------------------------------(3)(S : 음극물질, G* : 불안정한 가스 원자)이상과 같이 방전공간에 증발

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| 리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.02

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