MOS소자

최초 등록일
2010.07.04
최종 저작일
2010.04
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목차

실험 목적
이론
(1) Cleaning 공정
(2) Oxidation
(3) Deposition
(4) 사진식각공정(Photo-lithography)
(5) MOSFET 구조의 전기적 특성
이론적 배경
실험방법
실험결과
참고문헌

본문내용

실험 목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

이론
(1) Cleaning 공정
1) Piranha cleaning
: Si wafer를 H2SO4 : H2O2 = 4 : 1 로 만든 용액에 10min 담가두어
wafer 위의 유기물을 제거한다.
2) HF cleaning
: HF : D.I water = 1 : 10 용액에 wafer를 담궈 native oxide를 제거한다.

(2) Oxidation
반도체 공정에서 Si 기판 위에 산화제(H2O, O2)와 열에너지를 공급하여
절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정
1) 산화막의 용도
① 확산 공정 mask layer
② PN 접합 보호(Passivation)
③ 유전체로서의 응용 - ILD, IMD
④ 소자간의 격리 - LOCOS, STI
⑤ 열주기 동안 불순물 주입 mask layer
⑥ Gate capacitor, MOSFET에서의 유전체
2) 산화막 형성방법
① RT~200℃ : Wet anodization, CVD, sputtering
② 250~600℃ : CVD(SiH4 + O2 → SiO2 + 2H2)
③ 600~900℃ : CVD(pyrolysis of Si(OC2H5)4, SiH4, SiCl4)
④ 900~1200℃ : Thermal Oxidation
3) Thermal Oxidation

참고 자료

없음

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