"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)"의 검색결과 입니다.

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evaporator 스퍼터링 Cr ITO 증착 rf magnetron 반도체 공정 대학원 컨택 메일 RF-magnetron sputtering

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"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)" 검색결과 301-320 / 399건

E-Beam Sputtering

은 Ar 압력이 필요하다.- 기판이 과열되기 쉽다.? Magnetron Sputtering☞장 점- sputtering 효율이 증가- 전자의 와류운동으로 전자의 기판 및 박막에의 충돌 ... 내의 두 개의 전극 간에 고전압을 걸어주었을 때, 양전극에 생기는 방전현상이다.]2. Sputtering 의 특징.-거의 모든 원소를 sputtering 할 수 있으며 합금 ... Sputtering☞장 점- 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.- 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.- 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12

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[공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서

이용)20p4.3.2. 진공증착법-열 증발 증착법(유도열이용)21p4.3.3. 진공증착법-전자빔 증발 증착법22p4.4. 스퍼터링- 음극스퍼터링(cathode sputtering ... )24p4.4.1. 직류스퍼터링(DC sputtering)34p4.4.2. 고주파 스퍼터링(RF sputtering)37p4.4.3. 반응성 스퍼터링(reactive s ... putter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron Cyclotron Resonance)을 이용한 sputter로부터 해결이 가능

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16

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이온플레이팅

의 총칭이라 할 수 있다. mattox는 이것을 ‘증착전이나 증착과정 중에 고 에너지의 이온으로 형성되는 유속에 의해 지배되는 증착법’ 이라고 풀이 하였다.이온플레이팅도 스퍼터링 ... 과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착 공정 이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발 법으로 기상화한 뒤 reactive gas나 불활성 기체들고 함께 이온화하여 음 ... , Filtered arc 등의 개량된 아크 증발원이 개발되었다.Steered arc source는 전자기장을 이용해서 Arc spot의 움직임을 제어하는 기술이다. Arc spot이 무질서

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| 리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.03

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연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)

2 등의 reactive sputtering 으로 산화물 또는 질화물 박막의 형성이 가능하다. 단점 1)성막속도가 낮다( 10Å/sec ) -magnetron sputtering ... ,GaSbSputteringDC sputtering RF sputtering Magnetron sputtering Ion-beam sputtering금속Cu,Au,Al,Co,Ni,Fe ... , Co, W, ……WSix, W, TiN, Ti, Al, …… SiO2, Si3N4, SiON, BPSG, PSGPVDPVD는 thermal evaporation, sputtering

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17

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[공학]기초 반도체 공정

을 가리고 미리 스퍼터링(pre-sputtering)을 해야 한다. • 증착 조건의 선정은 일반적으로 실험으로 결정, 일차 제어 변수는 증착속도, target 전압, gas 압력 ... 되는 공정 T 200 ℃ : anodization : ethylene glycol + KNO3 vacuum deposition : SiO2 , Si + O2 sputtering : 용융 ... 를 시킬 수 있으면 어떤 진공 챔버에서도 sputtering 가능 • Gas의 압력이 작동중의 pump로 유지 될 수 있게끔 pumping 시스템의 흐름을 조절해야 하고, 소형 판상

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| 리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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ITO 투명전극

ITO 투명전극 조사목 차●ITO의 정의●ITO 재료 및 타겟●스퍼터링 법으로 인한 최적의 타겟●고주파 마그네트론 스퍼터링 법을 사용하여 상온에서 증착시간을 변화 시켜서 결정 ... 뢰성과 재연성이 가능한 산화물 타겟을 사용한 고주파마그네트론 반응성 스퍼터링 방법을 채택하여 고 투광성 고전도성 고품질 ITO박막을 제조 하였다. 액정표시 소자의 대형화와 컬러 ... 이었고 챔버 내의 압력은 6mtorr(standard)로 유지 되었다. 스퍼터링용 타겟으로는 고산소압 소결법으로 제조한 이론밀도의 95% 고밀도 ITO 타겟과 hot press법

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| 리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.09.29

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박막제조기술

putterDC RF Magnetron sputterIon beam sputterSputter vs. evaporationEVAPORATIONSPUTTERINGlow energy ... temperature does not need to be as highPVD SummaryCost : evaporation sputtering PLD MBEFilm quality ... : evaporation sputtering PLD MBEGrowth rate : evaporation sputtering PLD MBEChemical vapor depositionCVD

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| 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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Aluminium Sputtering

D.C. Magnetron Sputtering을 이용한 Al 박막 증착Key words : D.C. magnetron sputtering, Ohm's Law, Drude's ... theory, Sheet resistanceAbstractsD.C. magnetron sputter를 이용하여, P-type 100 si-wafer에 Aluminium을 power ... 측정을 하였다. 실험 결과, sputter system에서 power의 세기는 플라즈마 형태로 된 Ar 양이온이 갖게 되는 힘을 크게 하여 증착두께를 두껍게 하는 비례적인 결과

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.25

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CBD실험 예비레포트

puttering, magnetron, ion and laser deposition.Biotechnology- Interactions of DNA and RNA with c ... ) PVD란?PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation ... 요 이점은 분자의 label free detection을 할 수 있다는 점입니다.Thin Film thickness monitoring in thermal, e-beam, s

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.16

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ITO glass 의 개발과 용도

<ITO glass 의 개발과 용도>󰊱. ITO GLASS 란?Indium-Tin Oxide(In2O3 : SnO2(90/10))의 줄인 말

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.04

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산화물반도체,Oxide Semiconductor

을 나타내고 자외선을 흡수하며, 고온 증착의 magnetron-sputtered 박막의 경우 최대 5O hm/square의 저저항 박막 형성이 가능하지만 저온증착의 경우 저항이 증가 ... 박사 그리고 박진성박사 그룹에서는 Co-sputtering을 통한 IGZO-TFT의 성능향상에 대한 연구결과와 Bottom-gate structure의 TFT에 있어서 공정중 ... 기반의 소자는 bias stress에 의해 treshold voltage(문턱전압)이 shift하는 현상에 의해 오동작 하는 단점이 있는데 이를 개선하기 위해서는 별도의 보정회로

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| 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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[신소재]진공증착법

magnetic confinement and the resulting electron trajectories.-☞ magnetron sputtering system① electron s ... 으로 magnetron source: 앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판 ... 에만 true magnetron behavior가 존재☞ 장점① 높은 증착 속도② 낮은 sputtering 압력③ 기판 온도 감소④ 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이(7

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| 리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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스퍼터링

cathodic sputtering이다. 보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electricfield)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽 ... 있다.? 스퍼터링 율( s p u t t e r i n g y i e l d ) ?스퍼터링율(sputtering yield)은 “하나의 양이온이 음극에 충돌할 때 표면에서 방출 ... 은 PVD(Physical Vapor Deposition)으로써, evaporation, sputtering 과 같은 물리적인 힘(증발, 승화, 이온충돌 등)을 이용하여 시편에 증착

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| 리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.13

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[전자공학]Sputter

Report- Sputter -과목 :학과 : 물리학과이름 :학번 :1. sputtering의 기본 개념1.1. Sputtering 현상스퍼터링은 높은 에너지를 갖는 미립자 ... diode, RF diode, triode, magnetron, modified RF magnetron sputtering다음 두 가지 방법이 기본이다.(1) metallic c ... 에는 어렵다. ← 전자 소스가 온도에 민감④ 규모를 크게 하기 어렵다.2.5. Magnetron sputtering(1) 다른 sputtering 방법과 다른 점① 강한 자기장

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| 리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13

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반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

의 방다. 또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. sputter 방법이 갖는 단점인 낮은 성막 속도는 magnetron 이나 ECR (Electron ... , 우리는 PVD의 방법 중에서 sputtering을 사용한다. 이 기계는 학교 박막 실험실 내에 비치되어 있는 기계와 같다.Thin film deposition이라 함은 증착 ... 의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD(화학증착

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| 리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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[전자공학][공학][초전도이론][제어시스템][반도체][다이오드]전자공학의 교과과정, 전자공학과 초전도이론, 전자공학과 제어시스템, 전자공학과 반도체, 전자공학과 다이오드 분석

-Ca-Cu-O 박막을 이용한 소자 제작연구가 활발하다. 박막제작에 가장 많이 쓰이고 있는 방법은 off-axis magnetron sputtering 과 고출력 엑시머 레이저 ... 다, 류전압이 교류회로 사용에 필요할 때, 교류 전력 공급이 사용되어진다, 이 전기모듈(building block)은 교류 240 V 의 main supply를 더 낮거나 안전한 전압 ... , 즉 보통 12V로 변환시킨다, main supply를 더 낮은 전압으로의 변환은 앞부분 “전력”에서 설명했던 변압기의 사용으로 이루어진다, 예를 들면 240V의 전원을 12V

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| 리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.25

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각종증착장비에대하여...

에도 비금속, 절연체, 산화물, 유전체 등의 sputtering이 가능하며 주로 13.56 MHz의 고주파 저원을 사용한다.?Magnetron SputteringMagnetron ... putter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? RF sputtering에 비해 성막속도가 크 ... put이 되지 않는다. 이러한 단점은 RF sputtering 함으로써 해결될 수 있으며 특히 낮은 Ar 압력에서도 plasma가 유지될 수 있다.RF sputtering은 금속 이외

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.13

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[물리]스퍼터링에 의한 박막 증착, 예비보고서

실험제목: 때려내기에 의한 박막 증착실험목적: 박막 성장 방법 중의 하나인 '때려내기(sputtering)에 의한 박막 증착' 방법의 원리를 이해하고, sputtering 장비 ... 와의 비는이 된다. 따라서 양극 면적을 음극 면적보다 크게 하면 음으로 대전된의 크기가보다 커지므로 이온이 음극의 과녁과 충돌하게 된다.2.2 마그네트론 스퍼터링글로 방전 스퍼터링 ... 경우 전자가 자기장 주위에서 원운동 하는 특성을 이용하면 전자의 운동 거리를 길게 할 수 있다. 마그네트론 스퍼터링에서는위 그림과 같이 자기장을 원형 음극의 중심과 가장자리 사이

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| 리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.03

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박막증착 (박막공정)

(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 이온 플레이팅(ion plating), 아크증착(arc deposition), 이온 빔 보조증착 (ion ... 기상 증착)은 보통 evaporation, sputtering 등을 포함하는 방법으로 타겟 등을 이용하게 되는데, 타겟을 보통 박막을 증착하고자하는 재료로 되어 있다. 예를 들 ... + ions에 의해 film source 물질을 때려 떨어져 나온 물질이 wafer위에 증착되게 하는 기술. DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.13

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이온플레팅

하므로 밀도가 높고 접착력(adherence)이 우수한 coating film을 얻을 수 있다. 또 다른 특징으로 sputtering에 의한 모재 표면의 청정화이다. 즉 ... plating, Magnetron ion plating, Hollow cathode를 이용한 ion plating, rf bias ion plating등 일반적으로 plasma를 발생

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| 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02

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