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evaporator 스퍼터링 Cr ITO 증착 rf magnetron 반도체 공정 대학원 컨택 메일 RF-magnetron sputtering
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"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)" 검색결과 241-260 / 399건

  • 자료 표지
    박막증착 개론
    , 즉 이온화율에 가장 큰 영향을 받는다. 플라즈마 밀도를 향상시키기 위해 연구된 것이 마그네트론 sputtering 기술이다. 그러나 마그네트론 sputtering은 플라즈마를 타겟 ... cathode magnetron sputtering(HCM)HCM은 magnetron sputtering의 종류중의 하나다. magnetron sputtering은 강한 자기장 ... 과 Al2O3 target 을 사용할 경우 장비는 어떻게 꾸밀 것인가?반응성 sputtering은 금속 target을 이용하여 스퍼터링 할 때 불활성 가스(주로 Ar)와 동시
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.26
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  • 자료 표지
    원통형 타겟 타입 Pulsed DC Magnetron Sputtering에서 두께 변화에 따른 Al-doped ZnO 박막의 특성 변화
    한국재료학회 신범기, 이태일, 박강일, 안경준, 명재민
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    AFM 실험결과보고서
    time10, 20, 30, 40 minRF magnetron Sputtering system 실험 방법# sample : FTO glass1. 시편세척: 에탄올 10분 아세톤 10분 ... . 저진공 (3x103 torr까지) : 20min5. Ar 퍼징 : Ar 60sccm - 10min6. pre - sputtering : 타겟의 산화물이나 이물질 등을 날려버리 ... 을 통한 TCO 기반 TiO2 박막 코팅을 실시함으로써 그 원리 및 작동방법을 이해하고, AFM 및 α - step 분석으로써 실제 증착 된 박막의 표면특성을 연구하는데 그 목적
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2014.10.12
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Sputter 박막 제조법
    . Sputter 박막 제조 방법5. Sputtering의 종류5.1 DC Diode Sputtering5.2 RF Sputtering5.3 Magnetron Sputtering5.4 ... + e-(secondary)Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma ... 한 성막이 가능, step 또는 defect coverage가 좋다.- 박막의 응착력(adhesion)이 좋다.- 금속, 합금, 화합물, 절연체 등 다양한 재료의 성막이 가능하다
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.12.11
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  • 자료 표지
    진공 증착기를 이용한 Ohmic Contact 형성용 Metal 박막 증착 결보
    으로는 저항가열, 유도가열, 전자빔, 마그네트론, 반응성 증발, 아크방전등 여러 가지가 있으며, 일반적으로 증기상 증발 (vapor evaporation), 이온 스퍼터링 (ion s ... Beam Evaporation- 장점 : 증착속도가 빠르다.고융점 재료의 증착이 가능하다.Multiple deposition이 가능하다.- 단점 : X-ray 발생e-beam s ... puttering), 이온도금 (ion plating)의 3가지로 분류한다. 증발 효과를 높이고, 증발된 원자가 서로 충돌함이 없이 피처리물에 도달할 수 있도록 10-4～10-7
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09
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  • 자료 표지
    [발광디스플레이실험] Photolithography
    하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응 ... 의 증착 때문이다. 일반적으로 sputtering 방법은 증착 속도가 느리고 증착할 수 있는 두께의 한계가 있으며 alloy나 ceramic 등과 같이 여러 물질이 조합된 물질을 증착 ... (Deposition)1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14
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  • 자료 표지
    금속 박막증착
    스퍼터: 직류전원을 이용한 sputtering방법이며 구조가 간단하며, 가장 표준적인 장치이다.성장속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하며, RF sputtering에 비해 ... 성장속도가 크다.② RF 스퍼터: DC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering되지 않는다.이러한 단점을 해결해주고 전반적으로 DC ... Sheild 크기작다 ⇒ 성막면적이 크다크다 ⇒ 성막면적이 작다Reactive sputteringRF 보다 불리함적합③ 마그네트론 스퍼터: 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12
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  • 자료 표지
    RF 마그네트론 스퍼터링에서 증착거리와 증착온도가 무기 액정 배향막의 물리적 성질에 미치는 영향에 대한 연구
    한국재료학회 박정훈, 손필국, 김기범, 박혁규
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    Morphologies of Brazed NiO-YSZ/316 Stainless Steel Using B-Ni2 Brazing Filler Alloy in a Solid Oxide Fuel Cell System
    한국분말야금학회 Sungkyu Lee, Kyoung-Hoon Kang, Hyun Seon Hong, Sang-Kook Woo
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    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    Sputter Deposition
    magnetic confinement and the resulting electron trajectories.(4) magnetron sputtering system ... 의 압력이 높고, 절연체의 sputtering이 불가능Figure . (a) 전형적인 2극 직류 스퍼터링 장치, (b) 스퍼터링 장치에서의 음극(타겟)의 구조2.3. RF s ... magnetron source앞에서 본 바와 같이 magnetron target은 전형적으로 ‘racetrack'형태로 sputter erosion이 일어난다. → 고체 원판
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.02
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  • 자료 표지
    ZrO2 MIM 캐패시터의 구조, 표면 형상 및 전기적 특성
    한국재료학회 김대규, 이종무
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    [박막] RF 마그네트론 스퍼터링을 이용한 ZnO박막에 관한 연구
    , 군지연 특성을 고찰하였다.{Fig. 1 Schemic diagram of rf magnetron sputtering systems. B.G. : Baratron Gauge ... W/cm2)-100 W(1.05 W/cm2)이었으며 기판은 가열하지 않았다. 또한 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Al을 이용하여 전극폭 8 ㎛의 IDT(Inter ... 적으ig. 4에 나타냈다. 일반적으로 알곤압력이 증가하면, 플라즈마 방전전류의 증가에 의해서 증착속도가 증가하는 효과와, 스퍼터링된 입자들과 방전 가스와의 스캐터링(sc
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 3,500원 | 등록일 2004.12.05
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  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체식 가스센서 논문(P-type NiO Nanoparticles-decorated N-type Zno Nanograinednanorods를 이용한 가스센서의 수소가스 감지 특성)
    을 이용해서 진행하였다. SiO2 Wafer 위에 magnetron sputtering 공정을 거쳐 Au thin film이 코팅된 SiO2 기판을 만든다. Au 코팅을 함으로써 VLS ... sensing characteristics of NiO Nanoparticle-decorated Zno Nanograinednanorods???, ???Abstract: In ... this study, hydrogen gas detection characteristics of ZnO nanograined nanorods(NGNRs) and NiO
    논문 | 3페이지 | 8,500원 | 등록일 2023.03.09
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  • 자료 표지
    반도체공정 레포트 최종
    가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.② 성막속도가 거의 일정하다.③ 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.④ RF sputtering에 비해 성막속도 ... 다.④ 불순물 증착률이 높다.※ RF SputteringDC sputtering에서는 target이 산화물이나 절연체일 경우 sputtering이 되지 않는다. 이러한 단점은 RF ... 를 사용), 주입될 불순물을 그 위에 바르거나 또는 불순물을 가진 source 물질을 웨이퍼와 함께 노에 집어 넣어서 고온으로 가열하는 방법을 사용한다.확산공정을 하는 동안에는 목적
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.25
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  • 자료 표지
    KLN 스퍼터링용 타겟의 제조 및 코닝 1737 유리 기판위에 성장시킨 박막의 광학적 성질
    한국재료학회 박성근, 서정훈, 김성연, 전병억, 김진수, 김지현, 최시영, 김기완
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    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    LOW-E 유리
    : 완제품 상태의 판유리를 Ar기체로 채워진진공 chamber에 고전압을 걸어 이온화된Ar양이온이 target코팅물질에 강한 운동에너지로 충돌(sputter)하여 target ... 분-E 유리Hard Low-E 유리제조방법-마그테크론 스퍼터링(Magnetron Sputtering)-표면에 Ag, Au 등과 같은 적외선반사특성이 우수한 금속을 진공증에서 얇 ... 적 안정성이 뛰어남유리 공정도주석조 확대도건축재료와 구법 4. Low-E 유리의 제조공법4-2. 진공 증착밥(Magnetron Sputtering, Soft-coationg)√진공
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    | 리포트 | 19페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.06.28
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  • 자료 표지
    Diode-3주차 예비레포트
    sputtering methods. Furthermore, methods in which a film is deposited by providing a magnet behind ... of the argon ions even under low pressure, are called magnetron sputtering methods. Normally, a DC ... magnetron sputtering method is used to manufacture the transparent oxide electrode films described
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.03.18
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  • 자료 표지
    플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition
    DC magnetron sputtering is mainly affected by secondary electron emission at the cathode ... . Ionization of RF magnetron sputtering is mainly affected electrons which perform an oscillating motion in the ... of cathode and target for magnetron sputtering N N N S S S Substrate holder Substrate center side
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    | 리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18
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  • 자료 표지
    스퍼터링
    )일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 스퍼터링에 사용된다.2. RF 스퍼터링 (RF Sputtering)공급되는 플라즈마 ... 의 경우 열전도성이 좋지 않아 증착속도가 제한된다. 그래서 재료로부터 화학반응을 이용하여 절연막을 증착시키는 방법도 사용된다.3. 마그네트론 스퍼터링 (Magnetron ... 은 스퍼터링 가스를 진공상태인 chamber에 주입하여 증착시키고자 하는 타겟물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판(substrate)에 코팅시키는 방법이다. 일반적으로 사용
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.21
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  • 자료 표지
    Nano imprint lithography의 이해 및 응용(결과)
    을 마그네트론 스퍼터링법으로 제조할 경우, 산소 분압비, 기판 온도, 열처리 온도와 같은 제조 조건에 따라 박막의 전기적, 광학적 특성이 변화한다고 보고되고 있다. 산소 가스 비를 달리 ... resin, the single side patterned glass plate with motheye structure, 그리고 the both sides of the ... patterned glass plate with moth-eye structure 의 투과도를 나타낸 그래프이다. Fig. 4(c). 350에서 800 nm 까지는 거의 모든 glass
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.04.23
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2025년 12월 06일 토요일
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