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evaporator 스퍼터링 Cr ITO 증착 rf magnetron 반도체 공정 대학원 컨택 메일 RF-magnetron sputtering
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"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)" 검색결과 381-399 / 399건

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    [금속] cvd와 pvd
    로 만들어 주면 (고주파나, 마그네트론 등으로) 발생시킬 수 있다.음극스퍼터링의 종류는 다음과 같다.(1)직류스퍼터링(DC sputtering)(2)고주파 스퍼터링(RF s ... puttering)(3)반응성 스퍼터링(reactive sputtering)(4)막의 성장과정【3】이온도금(ion plating)(1) 이온도금의 원리이온도금은 미국의 mattox가 1964 ... athode sputtering):막이 치밀, 밀착도 좋다. & 도금속도 느리다.3)이온도금(ion plating):도금속도 크고 밀착도 좋다. & 뒷면에도 도금이 된다.【1】진공증착법
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.06
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    [반도체] PVD 리소그라피
    과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 비 선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE ... 물질에만 반응하는 반응성 gas를 주입함으로서 가능해 진다. 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering ... 에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자간 원자가 다른 위치로 밀리게 되며, 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 물리학에서 sputtering 이라고 말한다. 박막
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.18
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    [공학]반도체 집적소자 제조 단위공정 실험
    에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), sputtering, CVD ... glass이다. Soda-Lime glass기판 표면의 세정은 아래와 같은 방법으로 진행된다.※ 세정방법-세정공정에는 Cleaning Cycles(multi-step process)이 ... ) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다. 옮겨 붙이고자 하
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    | 리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.07
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    [증착법] 증착법
    하다.(단점) - 성막속도가 낮다(10Å/sec 이하)→ Magnetron sputtering으로 증가시킬 수 있다.- High energy deposition 이므로 박막의 불균일 ... , DC MAGNETRONRF MAGNETRON,BIAS, REACTIVEION PLATING2. Thermal Evaporation1) 저항열을 이용한 evaporation열 s ... putter etching으로 pre-cleaning이 가능하다.- {{ O}_{2 } , { N}_{2 }등의 reactive sputter로 산화물, 질화물 박막의 형성이 가능
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07
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    [전자공학] 박막형성법과 박막특성
    의 종류..PAGE:7Magnetron sputtering강한 자기장을 이용하여 플라즈마의 대부분을 target 표면 근처에 묶게 된다. - 방출된2차 전자의 궤도를 target 표면 ... , 이온 플레이팅법 등이 있다.화학적인 방법으로는 CVD법, 졸겔법, 액상 에피택시얼법, 용사법 등이 있다...PAGE:4물리적 방법중 스퍼터법스퍼터(sputter)법은 박막이 되 ... 구배를 가로질러 target과 충돌해서 표면의 sputtering을 일으킴Diode sputtering..PAGE:6Triode sputtering금속 필라멘트를 가진 제 3
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    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.18
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    [건축] 새로운 건축자재
    ) 제법에 따른 분류현재 상업화된 로이 유리는 제조방법에 따라 열분해(Pyrolysis)법으로 제조된 파이로리틱 로이 유리와 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering)법 ... %를 글라스 판유리를 사용하여 스퍼터링공법(sputtering process)으로 한쪽면에 얇은 은(Ag)막을 코팅하여 만드는 한글라스 에스라이트는 태양으로부터 오는 가시광선을 대부분 ... 할 수 있는 등 여러모로 유리한 점이 있으나, 일반적으로 코팅막의 균질성이나 단열성능이 스퍼터링 방법에 의한 로이 유리 제품에 비해 떨어진다는 단점이 있다.▷ 스퍼터 로이 유리
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.03
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    진공증착 (Evaporation)
    스퍼터링(Magnetron Sputtering)라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)마) 중성입자 스퍼터링(Neutral-particle Sputtering)2RF ... Voltage Electron Beam Evaporation)3) 아-크 증발(Arc Evaporation)4) 마그네트론 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발 ... mm, 단중 500kg, 두께 0.2-1.2mm의 Metal Coil2 소재예열 : 100kW EB Gun으로 Metal strip을 적정온도로 가열3 진공증착 : 100kW EB
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2002.04.10
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    부산대학교 졸업 논문 (Flexible Display용 PI기판 위 ITO 증착 시 Stage Temperature에 따른 특성 변화 연구)
    는 polyimide(이하 PI) 기판 위 ITO를 증착 했을 때, stage temperature에 따른 특성 변화를 연구하였다. 사용한 증착 장비는 DC/RF magnetron s ... puttering system이며, 측정 장비는 XRD, 4-point probe, UV-VIS spectrophotometer이다. XRD를 통해 결정성, 4-point probe ... 두께를 일정하게 증착할 필요가 있다. 이에 ITO 박막의 deposition rate를 알아보기 위해 사전 실험을 진행하였다. 증착 장비로는 DC/RF magnetron s
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    | 논문 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18
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  • 자료 표지
    [섬유, 전자파] 전자파 차폐섬유
    ∼ 600Å/min정도의 복사열을 발생하는데, 최근에는 저온 고속 sputter 장치가 개발되었다. → 8000Å/min Sputting공법에서 사용되는 Dry Process ... 으로부터 나오게 된다. 이러한 electron은 chamber안의 sputtering gas(주로 Ar)를 때리게 되고 sputtering gas는 다시 타겟 표면을 때리게 된다 ... 경우는 그냥 반사되거나 흡착되는 이온은 줄어들고 타겟 표면의 원자들이 튀어나오게 된다. 타겟 표면으로 입사되는 입자에 의해 sputter 되는 원자 이외에 또 다시 secondary
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.15
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  • 자료 표지
    [반도체공정]Photo lithography
    함으로서 가능해 진다. 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 s ... 이, negative PR의 경우 감광 작용에 의해 결합이 강해진 부분에 비해 상대적으로 결합이 약한 부분(노광되지 않은 부분)이 녹아 없어진다. 현상액으로는 크게 염기성의 수용액과 s ... puttering etching이 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching)는 선택
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    | 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.07.22
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  • 자료 표지
    [재료공학] Ag(Mg)/Si 의 증착 및 열처리
    sputtering, RF plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다.Heat Treatment일반적으로 가열 ·냉각 등의 조작을 적당 ... - exchange collisional cascade process이다. 이러한 sputtering은 단순한 한 번의 충돌로는 발생하지않으며 보통 여러번의 충돌이 일어나는 결과 ... 로 발생하게 된다.통계적인 분석에 따르면, 표면에서 5층 이상의 깊은 곳의 원자들은 sputtering에 의해 ejection되는 양이 거의 없다고들 알려져 있다. 또한 이러한 s
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.13
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    [mems]LCD 제조공정및 원리
    이하, 바람직하게는 20이하의 낮은 저항이 요구된다. 보통 LCD용 ITO성막은 직류의 마그네트론 스퍼터링법이 가장 많이 사용 되고 있다. 하지만 필름 기판에 스터터법으로 성막 ... 를 압축한 경우의 압축력과 변형량의 관계는 다음의 근사식으로 나타낼 수 있다.F=(** E *) / ()F : 압축력 S : 압축 변형량E : 입자의 탄성률 R : 입자의 반지름K
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    | 리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.26
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    [재료] MR헤드 및 센서
    기술은 타겟의 조성과 박막의 조성이 거의 일치한다는 점이 장점으로 알려져 있다. 이외에 ion beam deposition, magnetron 및 RF sputtering, MBE ... 과 응용적인 면으로 나뉠 수 있다. 먼저 학문적인 면에서는 금속-반도체 전이 , charge-ordering, magnetic polaron, 간접 자기교환(indirect ... magnetic exchange) 등 "물리이론의 백화점"이라 불러지고 있을 정도로 현대 응집물리의 이론이 망라되어 있다. 또한 고온 초전도체 산화물과의 유사성(Chevrel phase
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19
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  • 자료 표지
    금속간화합물
    을 코팅재료로 선택하여 TiAl 모재에 RF magnetron sputtering 법으로 코팅시키는 방법이 제시되었으며, 이는 고온내산화성을 개선시키기 위한 가장 가능성있는 방법 ... floating zone furnaceCreep specimen made from DS ingotTiAl-N Cast Alloy TiAl-C DS Alloy TiAl DS ... 용 die 소재, die casting용 die 소재로서 실용화가 진행되고 있다. 한편, Fe3Al은 특히 유황성분이 존재하는 환경하의 내부식성이 뛰어나 stainless steel
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.22
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  • 자료 표지
    [반도체] Spintronics FET
    puttering.2 Two separate lithography steps of ohmic etch step and metal deposition☞ Structure{{Fig.1 ... 이 기대되고 있다(Fig.2). 전자의 스핀정보(up-spin, down-spin)는 예상한 것보다 매우 긴 거리(∼100㎛)까지 유지되고 저온에서 약 100ns 정도의 스핀이완 ... (spin relaxation) 시간을 같는 것으로 최근 밝혀짐으로써, 하이브리드 소자 및 전자의 스핀상태(up, down, mixed)를 이용한 차세대 quantum
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.16
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  • 자료 표지
    초전도체의 연구개발 현황 및 종류
    은 off-axis magnetron sputtering 과 고출력 엑시머 레이저를 이용한 레이저 증착(PLD){ PLD : Pulsed Laser Deposition방법이다. 그러나 ... {기술 분야기 술 수 준 및 현 황비 고고온초전도박막제작기술▷스퍼터링 및 레이저 어블레이션에 의한 YBCO박막 in-situ 제작 기술 확립{cdot임계온도 : 85 ∼ 90K{cdot. ... 되고 일부 Tl-Ba-Ca-Cu-O 도 박막재료로 이용되고 있다. 박막제작에서 현재 가장 많이 쓰이는 방법은 교류스퍼터링과 고출력 펄스 레이저를 이용한 레이저 증착방법이다. 또 넓은 면적
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2000.10.08
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  • 자료 표지
    [구조세라믹스] DC Bias가 인가된 ICPHFCVD를 이용한탄소나노튜브의 수직 배향법
    -water를 이용하여 세척한 후에 다시 HF로 세척하였다. 세척을 마친 유리 기판 위에 RF magnetron sputtering을 이용하여 촉매층으로 Ni을 100∼700Å 그리고 ... 고, RF generator의 power는 600W까지 인가할 수 있고, self-bias효과가 있는 것이 특징이다. 기판은 4inch까지 증착이 가능하며, 촉매가스와 원료가스를 분리 ... 연구에서는 DC bias가 인가된 ICPHFCVD를 이용하여 강화 유리기판(Saint-Gobain Co. #CS77)의변형없이 580℃에서 탄소나노튜브를 다양한 성장 조건에서 수직
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.05
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  • 자료 표지
    hall_patch_관련_자료2
    플레이팅 기술과 성분의 함량제어, 비전도 타겟의 스퍼터링이 가능한 마그네트론 스퍼터링법의 복합을 통한 4원계 나노코팅을 실시할 수 있으며, 주로 이 방법을 통하여 다음과 같은 나노 ... 에 의한 나노코팅학습하기 2. 나노코팅기술하이브리드 공정 (아크방전법 + 스퍼터링법)아크이온 플레이팅 기술과 마그네트론 스퍼터링법의 복합을 통한 4원계 나노코팅을 실시할 수 있 ... 이 가능한 마그네트론 스퍼터링법의 복합을 통한 4원계 나노코팅을 실시할 수 있다. 1) O 2) X 정답 : O 해설 : 하이브리드 공정은 높은이온화율, 우수한 밀착력, 균일성, 높
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    | 논문 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.16
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    HF-CVD법에 의한 CNT의 증착 및 특성
    )142-4-2. Hot Filament 화학기상증착법(HF-CVD)152-4-3. 수소원자의 역할162-5. 스퍼터링(Sputtering)173. 실험 방법 및 분석183-1 ... . Magnetron Sputtering실험 장치183-2. HF-CVD 실험장치203-2-1. 실험방법203-2-2. Substrate bias system253-2-3. 텅스텐 ... Bias의 영향375. 결론38참고문헌39List of FiguresFig. 1 Structure of hexagonal graphite showing the unit cell5
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    | 논문 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.10
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2025년 12월 10일 수요일
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