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"마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)" 검색결과 361-380 / 399건

  • 이온플레이팅의 원리
    할 수 있다. (저항가열, e-beam, 유도가열, sputter, magnetron 등)7) 오염물, 유독성 용액을 사용하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8) 순수한 물질 ... 에로 방출되거나, 혹은 음극표면에 침투하여 표면의 성질을 변화시킨다. 음극표면에서 방출된 원자는 다시 다음의 반응으로 이온화된다.S + e- → S+ + 2e-S + G* → S ... + + G + e (Penning이온화) ---------------------------------(3)(S : 음극물질, G* : 불안정한 가스 원자)이상과 같이 방전공간에 증발
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    | 리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.02
  • CVD법에 의한 CNT의 증착 및 특성
    Filament 화학기상증착법(HF-CVD)162-4-3. 수소원자의 역할172-5. 스퍼터링(Sputtering)183. 실험 방법 및 분석193-1. Magnetron ... 에서는 각각의 탄소원자는 4개의 인접 원자와 결합되어 있으며 결합구조는 sp3 구조를 이루고 있다. 그런데 다이아몬드는 graphite보다 덜 안정하기 때문에 상압에서 1700 ... 의 특성을 보인다. 또한 탄소나노튜브는 벽을 이루고 있는 결합수에 따라서 단중벽나노튜브(SWNT; single wall nanotube), 다중벽나노튜브(MWNT; multi
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    | 리포트 | 73페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.10
  • 박막의 증착 실험
    다.1 직류스퍼터링(DC sputtering)직류전원을이용한 sputtering 방법으로 구조가 간단하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다. 성막속도가 여러 종류의 금속 ... 여 plasma 형성용 전자 방출전극을 이용, 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar 압력 하에 sputter 할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있 ... 도금법, vacuum metallizing)이라고 한다. 도금물체는 금속이든 비금속이든 좋으며, 그 작업조작은 장치만 완전하면 매우 간단하다.B. 음극스퍼터링(cathode s
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.09.29
  • [전자재료]SEM&XPS에 대하여
    도 문제 해결Magnetron sputteringNi-Fe(50:50) target, Sputtering yield(S) for 1000eV Ar+ ions SNi = 2.1, SFe ... = 1.4 Initial sputtering rate Ni : Fe = 50×2.1 : 50×1.4 = 62: 38 The surface of the target becomes ... PVD CVD supplementWhere the receiving surface is spherical having radius r0, (for the plane source
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    | 리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.08.07
  • [진공과학] 진공증착
    (Magnetron Sputtering)라) 이온빔 스퍼터링(Iom-beam Sputtering)마) 중성입자 스퍼터링(Neutral-particle Sputtering)②RF(Radio ... Electron Beam Evaporation)3) 아-크 증발(Arc Evaporation)4) 마그네트론 증발(Magnetron Evaporation)5) 이온빔 증발(Ion-beam ... , 단중 500kg, 두께 0.2-1.2mm의 Metal Coil② 소재예열 : 100kW EB Gun으로 Metal strip을 적정온도로 가열③ 진공증착 : 100kW EB
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    | 리포트 | 11페이지 | 4,000원 | 등록일 2004.11.14 | 수정일 2015.09.25
  • [기계공학] 오일리스 베어링(Oilless Bearing)과 DLC(Diamond Like Carbon)
    한 산업화에 가능성이 대단히 높 다.3) Suttering최신기술은 CFUBMS(closed field unbalanced magnetron sputter ion plating ... 다. amorphose는 원자의 배열이 규칙성이 없는 물질이란는 뜻이다. 원소는 탄소로 이루어져 있고 탄소의 경우 sp3, sp2와 sp1 hybridization이 모두 가능해서 이중, 삼중 ... 은 벤젠 6각링들과 sp3결합을 하고 있는 탄소, 수소 등이 랜덤하게 결합되어 있는 fully constraint structure 모델을 제시하였는데, 이 모델은 필름의 전형적인
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.21
  • 플라즈마 코팅
    - Magnetron Sputtering, Arc sputtering, Laser abliation 등의 PVD법 - PE-CVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Thermal CVD ... Like Carbon)IV플라즈마를 이용한 코팅DLC 합성 원리 1. 합성 원리 » 탄소원(Carbon source)으로부터 탄소원자를 증착하고자 하는 곳에 가속, 충돌시켜 성장면 ... Energy (eV)1101001000Amorphous Carbon (sp2)Dense CarbonCarbon SourceHydrocarbon SourceDense Hydro
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    | 리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.03
  • [재료 금속 박막 증착] PVD CVD(박막)
    plasma sputtering, magnetron sputtering등이 있다.그러나 sputtering은 장비가 비싸다는 단점이 있다.◎Sputtering ... 는 구조이다.Cathode는 cylindrical barrel로 구성되어 있으며 전체가 sputter될 물질이다. 여기에 cathode axis와 평행하게 magnetron field ... 에서Cyclotron Resonance)을 이용한 sputter로부터 해결이 가능하다. 이러한 sputter증착은 진공 chamber 중에서 이루어진다. chamber 내의 진공도
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    | 리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.09.12
  • pn다이오드 접합과 반도체 그리고 lithograpy기술과 종류
    magnetron을 이용하는 sputtering etching이 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion ... 성 gas를 주입함으로서 가능해 진다. 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 ... 를 반도체표면에 그리는 방법 및 과정을 통칭하며, 초미세 인쇄 기술이라 말할 수 있다. lithography 공정은 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.09
  • [재료공학실험] 진공과 pvd, cvd
    론, 반응성 증발, 아크방전등 여러 가지가 있으며, 일반적으로 증기상 증발 (vapor evaporation), 이 온 스퍼터링 (ion sputtering), 이온도금 (ion ... 에 의 향은 그대로 두고 수분만 제거하는 방법), 증류(distillation), 박막증착(sputtering, LPCVD : low pressure chemical vapor ... 도 한다)로는 스 테인리스강(鋼)계통이 많이 사용되며, 질화티타늄을 피복한 알루미늄합금도 쓰인다. 진 공계로는 초고진공용 이온화진공계나 초고진공 마그네트론 진공계가 있다.※ 저자
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15
  • [전자재료]PVD&CVD에 대하여
    urfaces by physical means, such as evaporator and sputter.Characteristics증착 속도는 표면의 증발 흐름 속도에 비례 ... 에 물리적인 충격을 주는 방법인 sputtering 방법PVD란 기판 위에 증착재료를 물리적 mechanism에 의해 증착시키는 방법을 일컫는데 증기화, 증기화된 재료의 기판으로의 이동 ... EvaporatorDefinitione-beam을 magnetic field를 가하여 bending시켜 source를 국부적으로 melting후 증발시켜 증착하는 방법CharacteristicsCleanThick
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    | 리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.08.07
  • 이온 플래팅
    를 사용함)6)다양한 증발원을 사용하기 때문에 증착율를 제어할 수 있다.(저항가열, e-beam, 유도가 열, sputter, magnetron 등)7)오염물, 유독성 용액을 사용 ... 하지 않고 해로운 부산물을 만들지 않는다.8)순수한 물질을 source로 쓰고 진공환경에서 사용함으로 고순도 증착이 가능하다.9)CVD법에 비해 낮은 증착온도이다.10)전기도금 ... 에서 문ting동안 negative glow에서의 이온을 음극으로 가속시켜 충돌시킨다. cathode sheath의 두께(L)는 중요한 공정변수로써 child-lagmuir이 관계식
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    | 리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.27
  • 반도체 조립(신뢰성 문제로서의 Passivation, stress migration)
    다. 이런 여러 배선재료의 특성에 passivation 효과를 알아보도록 한다.① Dielectric overlayer passivation- magnetron sputter와 E ... -beam evaporator를 이용하여 반도체 배선을 제작하고, RF sputter를 이용하여 3000Å의 SiO2의 절연보호막을 형성하였다. Al. Al-alloy등의 박막배선 ... 1. 서 론DRAM과 같은 극소전자 디바이스의 고집적화와 더불어 박막배선의 선폭은 submicron까지 축소되면 초고집적 submicron 박막금속화가 진행되고 있다. 지속적인
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04
  • [화학공학] [실험보고서]박막의표면처리 및 식각 보고서
    etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용하는 sputtering etching이 비선택 ... 었습니다. 이를 극복하기 위해 나온 방법이 soft Lithography이다.※ Lithography는 반도체 Patterning공정의 핵심이라 할 수 있다.현재 ... 되어 사용되고 있다. SiO2, PSG, BPSG Si3N4 등의 절연막, 폴리실리콘막 및 W 등의 금속막은 CVD법에, A1, TiN 등의 금속 또는 도전성 막은 PVD법인 스퍼터링
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.14
  • [박막]Vibrational Properties of Amorphous CNx:H Films by FTIR
    magnetron sputtering system with DC bias at various deposition conditions. In hydrogenated CN samples, CHx ... and NHx groups give rise to stretching vibrations at 3000 and 3400 cm-1, respectively, according to ... the amorphous carbon G and D bands of Raman spectroscopy. CN뻮p1 bond is observed around 2200 cm-1 as a
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.11.20
  • [박막] 박막(thin film)
    명칭이며, 물리적 증발도금이라고도 말하며 진공 증착법(vacuum metallizing), 음극 스퍼터링(cathode sputtering), 이온도금(ion plating ... 한다. 박막 증착에서 sputtering이라 하면 target 원자의 방출과 그 원자의 substrate에의 부착이라는 2가지 과정을 포함하는 개념으로 볼 수 있다.① 직류스퍼터링 ... 용 전자 방출전극을 이용, 전자와 기체의 충돌을 촉진시킴으로써 낮은 Ar 압력 하에 sputter 할 수 있게 하거나, magnetron 방식을 사용하여 해결할 수 있다② 고주파
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.27
  • [재료공학실험] 박막증착실험(진공, pvd, cvd)
    가지가 있으며, 일반적으로 증기상증발(vapor evaporation), 이온스퍼터링 (ion sputtering), 이온도금(ion plating)의 3가지로 분류한다.증발 효과 ... -3-2-10123water ring jetventurirotary vane(1stage)rotary vane(2stage)rotary piston(1sttge)rotary ... piston(2stage)sorptionbloweroil diffusionmolecular dragtorbomoleculariontitanium대표적인 펌프들의 작동압력(지표: 10
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.15
  • [재료공학실험, 반도체]Lithography
    함으로서 가능해 진다. 특히 dry etching의 경우 ion 가속만을 이용하는 IBE(ion beam etching)나 sputtering과 같이 magnetron을 이용 ... 하는 sputtering etching이 비선택적 etching이며, ion 가속에 반응성 gas(reactive gas)를 사용하는 RIE(reactive ion etching ... 다. lithography 공정은 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약하고, 이로 인한 pattern 불량이 전체 panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.28
  • [재료특성] mems 재료특성
    다른 재료를 첨가하는 것이 가능하다. plasma 밀도를 향상시키기 위하여 통상 영구자석을 사용한 마그네트론 sputtering가 사용된다.게다가 최근 비평행 자장을 생기게 하 ... 여 기판에 조사하여 이온을 증대하게 한 언밸런스?마그네트론?sputtering(UBM)이 주목 되고있다. 또 금속 첨가DLC(Me-DLC)막형성을 위해서 sputtering ... PVD법의 sputtering, arc 이온 플레이팅(AIP) 등에서는 고체의 카본원 으로 물리적으로 증발시켜 막을 형성하기 때문에 수소 함유량이 적은 DLC막이 얻어진다. AIP
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.02
  • [공학기술]Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조
    ) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 thermal evaporation(열증착), e-beam evaporation(e-beam 증착), s ... puttering, CVD(화학증착), MOCVD, MBE 등이 있다. Thin film deposition과 더불어 thin film process의 핵심이라 할 수 있 ... , EPITAXY, MOCVDSOL-GELDIPPING물리적 박막 형성진공증착법(evaporation)SPUTTERINGDC, RF, DC MAGNETRON, RF
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.02
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2025년 12월 06일 토요일
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