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"웨이퍼공정" 검색결과 2,501-2,520 / 2,703건

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  • 태양전지 반사방지막 동향 논문! 입니다!
    하였Fig. 5 MWT 셀의 기본 구조2.2.1 직렬저항의 영향 (via-hole 내부저항)via-hole 내부의 금속이 채워지는 상태를 스크린 프린팅 공정에 변수를 주어 직렬저항 ... 을 최소로 하는 공정을 찾아 태양전지의 효율을 높이기 위해서 실험을 하였다. Table 1 은 일반적인Table 1 일반적인, MWT 태양전지 공정 비교태양전지와 MWT 태양전지 ... 의 공정을 비교한 것이다. 맨 처음에 홀 드릴링 공정이 추가 되었으며 마지막 edge isolation 공정에서 컨택트 공정이 추가 되었다. 홀 드릴링 공정이란 후면에 있는 n버스
    논문 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.06.29
  • [졸업작품]ATmega128을 이용한 LCD 시계 및 온도계
    조직을 단단하게 만들기 위해 baking(hard baking)을 한다; baking 공정은 photolithography 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR c ... (Etching)식각 공정은 궁극적으로 기판 상에 미세회로를 형성하는 과정으로서 현상공정을 통해 형성된 PR pattern과 동일한 metal(혹은 기타 deposition된 물질 ... ) pattern을 만든다. 식각 공정은 그 방식에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 구분하는데, wet etching이라 함은 금속 등과 반응하여 부식시키는 산
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.02.11
  • [나노화학공정]나노기술과 화학공학
    GDRAM을 만들려고 한다면, 이론적으로 무어의 제 2법칙(반도체 기술발전에 따른 부대비용 증가)에 따르면 700억 달러에 달하는 비용이 든다고 한다. 이는 연 3만장의 웨이퍼 공정시 ... 이다.4. 나노기술의 접근 방식나노기술의 접근 방식에는 Top-down 방식과 Bottom-up 방식이 있다. Top-down 방식은 하향식 공정으로써 나노미터 수준의 가공을 통해 ... 나노미터크기의 구조체를 인공적으로 형성하는 기술이고 Bottom-up 방식은 상향식 공정으로써 물질의 최소 단위인 원자나 분자를 자유자재로 조작하여 원하는 기능, 구조체를 형성
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.03.28
  • [반도체] cmos공정순서
    2조 김남호 김민균 박성우 정대교 김우석1.Wafer CleannigP-Si(100)2.Initial OxidationTOX=600Å3.N-well Mask1)P/R ... 기 위해 기판의 손상이나 데미지 입은 부분을 복구 시켜주기 위해30.ILD DepositionCVD공정으로 산화막(절연체역할) 증착 TEOS= 표면평탄화31.Contact
    리포트 | 45페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.03.07
  • [반도체] 반도체와 휴대전화 시장 전망
    것으로 보인다. 1강으로써의 진정한 면모는 수익률에서 볼수 있다. 주력공정인 0.1마이크론, 12인치, 300mm웨이퍼의 생산수익율은 타 업체에 비해 월등히 높다. 특히 주력공정 ... 양산에 돌입하여 시장에서의 재기를 노리고 있다. 특히 0.1마이크론의 공정과 300mm웨이퍼를 중점적으로 확대할것으로 보인다. 채권단의 추가지원여부에 대한 판단은 내년초에 결정 ... 의 가동비율이 타 업체에 비해 훨씬 높으며 이는 이전 단계 공정의 생산단가를 50%가량 낮추어 높은 가격경쟁력을 유지토록 하고 있다. 그리고 타업체들의 라인업그레이드 작업이 완료
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.12
  • [전자소자] 반도체 확산공정
    확산공정(Diffusion)김서진확산공정Motivation intentional impurity diffusion unwanted impurity contamination ... ing speed gettering shallow junction depth확산공정(Continue)Silicon surface에 원하는 고농도의 불순물 deposition →고온 ... diffusion process in which silicon atoms are displaced into interstitial site.확산공정(Continue)(a
    리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.05.23
  • [기업분석]하이닉스 반도체 기업의 2003년~2006년까지의 재무분석 및 소개와 앞으로의 전망
    공급 계약 체결샌디스크와 특허 상호 라이센스/제품 공급 계약 체결 및 합작사 설립양해각서 체결김종갑 신임 대표이사 취임 ‘제2의 창업’선포2007.01 최첨단 '웨이퍼 레벨 패키지 ... 화"라며 "생산 설비와 용량, 미세 공정,D램과 낸드플래시의 수급, 실적 등의 차별화와 함께 기존 선두 메모리 업체들? 간에도 경쟁력 차별화가 두드러질 것"으로 내다봤다.송
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.04
  • [FeRAM]FeRAM
    . Pb(Zr,Ti)O3)등을 들 수 있다. 전자는 기록/삭제의 반복에 따른 피로 (fatigue)가 없는 특성 때문에 많은 연구가 행하여졌으나, 공정온도가 700℃이상으로 집 ... 적회로공정에 적용하기에는 너무 높은 단점이 있다. 후자는 높은 공정온도를 요하지않는 장점이 있으나, Pt 전극에 집적하였을 경우 피로문제가 발생하게 된다. 하지만,이는 RuO2 ... 하다.그러나 현재 실용화되어 있는 강유전체는 PZT, SBT 로서 산화물이기 때문에 그림 5 와 같이 Si Wafer 위에 직접 박막을 형성할때 Si 표면이 산화되어 산화막이 형성
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.22
  • [반도체] 반도체란 무엇인가?
    된 패턴대로 필요한 부분을 선택적으로 깍아 내는 설비.Stripper식각공정이 끝난 후 남아있는 감광액을 제거해주는 설비.Staion세척설비. 매 공정후에는 항상 웨이퍼를 세척해주어야 ... 의 칼사용하며 웨이퍼를 집어넣는 방식에 따라 수평식(Horizontal)과 수직식(Vertical)의 두 가지가 있다.화학기상증착(C V D)AP-CVDLP-CVDPE-CVDCVD ... 란 Chemical Vapor Deposition의 약자로서 보호막을 만들때사용되는 공정을 의미하지만, 설비를 지칭할때도 사용된다.AP, LP, PE등의 공정환경을 의미하는 약어
    리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.12.03
  • 2007 만도 자기소개서
    라고 느꼈습니다. 생산라인이 공정에 따라 돌아가는 모습도 보고 관계자 분의 설명을 열심히 귀 기울였습니다. 향후 졸업을 하고 만도에 입사하고자 마음 먹었습니다. 전공 중 생산관리 ... 웨이퍼를 제작하는 유스테크코리아에서 4주 동안 중소기업의 업무의 흐름을 파악할 수 있었고 기업 내 생산라인의 운영을 위한 노하우도 배울 수 있어서 좋은 경험이 되었습니다.
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.11.02
  • [경쟁전략] AMD의 경쟁전략및 산업구조분석
    전략..PAGE:3Ⅰ. 최근 CPU 시장 동향CPU 시장인 텔0.13㎛ 제조공정300㎜ 웨이퍼↓생산원가 절감산출량 증대저전력/저발열CPU 가격 최대 53% 인하AMD0.13㎛ 제조 ... 공정과300㎜ 웨이퍼 도입예정MS, Dell, 국내 PC 제조업체와 상호협력 강화인텔 주요 제품 인하에 대응한 가격인하..PAGE:4고부가가치, 고성장산업자본과 기술 집약적 산업 ... (Austin):2개의 웨이퍼 조립시설독일 드레스덴 : 고성능 CPU/로직제품 생산영국 프림리(Frimley): 품질 지원 기관일본 AMD-Fujitsu Semiconductor
    리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.06.11
  • [사례분석] DRAM과 삼성
    : Random AccessMemory)*컴퓨터의 주기억장치로 사용되는 메모리 반도체DRAMSRAM*휘발성 메모리웨이퍼(Wafer)메모리형 반도체비메모리형 반도체*반도체 소자를 만들수 있 ... 전자의DRAM을 지정세계 최초 1GDRAM 설계공정기술 개발(95년 12월)* 1G DRAM을패키지 전단계까지 개발,메모리 반도체기술이 세계최고수준임을 입증* TV, 휴대폰,오디오 ... 는고부가가치 제품256M DRAM세계 첫 생산(98년 4월)* 256M 반도체의조기생산은 당초예상보다 약2~3년빠른것* 12인치 웨이퍼에대한 투자 없이 기존8인치 웨이퍼 설비
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.26
  • [반도체] si 반도체
    를 heat sink로 쓸 수 있다.⑤ Si는 저렴하고 고품질이고 결정성 기판으로 고온공정이 가능하다.2. Si-Wafer는 단결정을 사용한다. 그 이유는?Si 원자의 결정구조는 입 ... 로 보호막으로서 최적이다.초기에 게르마늄을 써서 이루어졌던 반도체 공정은 천연 산화 실리콘의 발견과 그 장점으로 인해 점차 실리콘으로 비중이 커져갔다. 산회 실리콘의 발견은 평면 ... 기술을 써서 패턴을 형성하게 했다. 실리콘은 게르마늄보다 융점이 높아 고온 공정이 가능해서 확산 시간이 얼마 들지 않는다. 또한 산화 규소는 실리콘 표면의 오염을 막아주고 고온
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.31
  • 판매자 표지 자료 표지
    모바일 유비쿼터스 비즈니스
    System)① 개요MEMS 기술은 전자(반도체),기계,광 기술 등을 융합하여 마이크로 단위의 작은 부품및 시스템을 설계, 제작하고 응용하는 기술을 말함② 특징반도체 공정을 모태로 하 ... 므로 웨이퍼 상에 일괄 제조할 수 있어 소형화가 가능한 개의 칩에 복수 개의 기능 소자 및 신호 처리부 등을 집적화 할 수 있어 고성능, 고신뢰성을 얻을 수 있음동시 - 다량 제조
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.15
  • [산업분석 산업분석] 삼성 반도체 산업 분석과 전망
    256M DRAM세계 첫 생산통상산업부의 DRAM일류화상품 승인64M DRAM본격 양산 시작세계최초 1G DRAM설계공정기술개발..PAGE:4반도체 산업의 성장요인한국의 재벌시스템 ... 과반도체 산업구조상의 적합성반도체 산업에 필요한 지식인력 확보공정한 무역환경빠른 기술혁신 속도로 인해반복적으로 새로운 기회가 주어짐전략적인 DRAM을 선택자체 기술력 확보를 최우선 ... 조절 예상반도체 재료의 낮은 국산화율반도체 재료: 60% 수입의존실리콘웨이퍼: 30% 국산화율무리한 차입에 의한 투자, 경영..PAGE:6D R A M(Dynamic Random
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.30
  • [경영] 반도체 산업 동향 및 하이테크 업체 전략
    합작설립(최초의 반도체 사업)1965미국 ICII사가 ㈜한국반도체 합작설립 – 웨이퍼공정 개시 ( 미국보다 Tr. 제조 27년 늦은 출발)19744G DRAM 개발, 300mm ... 시장 1위 달성, 70nm 4G NAND Flash 개발2003LCD Driver IC 세계 시장 1위 달성, 90nm SOC 공정기술 개발2002미국 Commy사가 ㈜고미반도체 ... 웨이퍼 개막, System LSI 집중 투자 시작 (CIS, LDI, …)2001동부전자 파운드리사업 진출20001G DRAM 개발, 아남산업 DSP 일관생산 진입1996256M
    리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.29
  • 우리 나라 반도체 시장의 현황
    ,64K, 256K시계용 칩조립생산제품개발(System IC)기술선도설계기술흡수기술흡수생산구조조정자체개발공정기술 및Wafer가공조립기술흡수주요활동'98년 이후'88~'97'83 ... 최초의 상용 IC등장1961TI사최초의 IC개발1958제품개발회사개발품목연도2. 국내 반도체 시장의 역사특 징 : 1. 1983년 메모리 공정사업에 본격적 참여 2. 세계 3위 ... 의 반도체 생산 대국 3. 주역분야- 메모리 분야 ( 공급능력, 공정기술, 가격 및 품질 경쟁력 우위)대만 성장일본 쇠퇴한국 성장일본 성장일본 진출구조변화한국 주도한국 주도일본 주도미국
    리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.07.10
  • [반도체공학]반도체의 종류와 구분
    는 그 불순물의 종류와 농도에 따라 전류의 흐름을 변화시킨다. 반도체 제조공정에서 불순물을 주입하는 것은 이 때문이다.넷째, 반도체에 금속 등을 접촉시킴으로써 교류를 직류로 바꾸 ... 하여 순도가 높은 규소 결정의 덩어리를 만든다.2) 결정 덩어리를 얇게 잘라 규소 결정의 얇은 판(웨이퍼)을 만든다.3) 반도체 설계에 따른 회로도 사진을 전자빔이나 자외선을 사용 ... 하여 회로도를 웨이퍼에 옮긴다.4) 염화물 혼합 기체, 불소, 아세트산 등을 이용하여 웨이퍼 표면을 회로선만 남기고 나머지 부분의 산화막을 벗긴다.5) 반도체의 특징을 가지도록 벗겨진
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.05.15
  • [직접회로] 생기교육자료 ETCH 사진1
    ..PAGE:1PHOTO PROCESS & MACHINE1. ROADMAP2. 장치 개요2-1. EXPOSURE2-2. TRACK3. 공정 개요3-1. PHOTO 공정 FLOW ... :619921995199820012004Optical extention throughλ reductionincrease NA초해상공정Exposure ... : 공정지역외 업체의 참여 불가Glass기술 자체보유일본내 Consortium (ASET)지역외 업체의 참여 불가상 동각社별 개발 동향1-7ROADMAP..PAGE:11DOSE
    리포트 | 49페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.22
  • [반도체공정] 스퍼터링
    가Photomasking 이론(1)포토마스킹이란? 웨이퍼의 최상층을 선택적으로 제거하거나 패턴을 형성하는 기술음성 – 64bit 이하 Ram에서 쓰임 양성 – 최근 고용량 Ram ... 에 사용PR이란? 빛이나 방사, 열등 여러 형태의 에너지에 노출되었을때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 혼합물Photomasking 이론(2)양성 및 음성 PR의 공정 ... 해서 (하드 베이킹을 다시 한번 좀 더 고온(120℃)에서 실시함으로서) 마침내 성공했다. 실험시간 외에 따로 와서 디지털 카메라로 공정 사진을 찍고 발표를 준비하면서 간단한 패턴
    리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.22
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2025년 05월 28일 수요일
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