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"웨이퍼공정" 검색결과 2,481-2,500 / 2,702건

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  • [에너지] 태양전지
    )의 multicrystalline 태양전지가 제작되고 있으며 연구방향은 고품질, 대면적의 multicrystalline silicon wafer의 제조 방법의 개발, 표면 재결합 감소를 위한 ... 의 복잡한 조성에 의해 재현성이 저하되리라고 예상했지만 오히려 CIS층에 Ga을 도입한 것이 공정상에서 물질에 대한 제어성을 높이는 결과를 가져왔다. 이로 인해 CIS 태양전지 ... 흡수층을 사용하거나 얇은 두께로 비정질 실리콘막을 사용하고, 하층 셀에서는 열화특성이 없고 장파장대 흡수능력이 뛰어나 다결정 실리콘 박막이나 다결정 실리콘 웨이퍼를 이용하여 이
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.05
  • [태양전지]태양전지
    해결방안으로 보다 저급의 실리콘을 이용하는 방법, 대량생산 및 공정 개선에 의한 방법 등이 시도 또는 계획되고 있다. 다결정실리콘 태양전지는 원재료로 저급의 실리콘 웨이퍼를 사용 ... 를 만들기 때문에 원재료비가 비싸고, 공정 자체가 복잡하여 가격의 절감측면에서는 한계가 있을 수밖에 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 방안으로 기판의 두께를 혁신적으로 줄이 ... 는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법으로 태양전지의 대량생산
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.07.19
  • [전자물성]화합물반도체란
    의 성능이 5 ~ 6배 효율적임- 고주파 특성을 갖는 소자의 제조 공정이 실리콘 지적 회로에 비해 용이함 온도 변화 및 동작 전압의 변화에 민감하지 않음- 내 방사선 능력이 우수 ... 효율이 뛰 어남.- 생산 기술이 아직 개발 단계에 있어서 생산비가 높지만, 양산 기술이 진전되면서 실리콘보다 저가격의 실현이 가능함2) 단점- 웨이퍼 가격이 높음- 기계적 강도 ... 다.SiGe은 고주파 특성이 양호하고 잘 개발된 실리콘 반도체 공정기술을 그대로 사용할 수 있어서 각광을 받고 있으며 미국, 독일, 한국이 주축이 되어 연구되고 있다. SiGe 재료
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.18
  • [직접회로] 생기교육자료 ETCH
    SOURCE3. ETCH 공정 ROADMAP4. ETCH 공정 개요4-1 DRY ETCH / WET ETCH 개요4-2 PLASMA 원리4-3 ETCHING MECHANISM4-4 ... ETCH 공정 종류5. ETCH 핵심 공정(기술)5-1 STI 공정5-2 SAC 공정5-3 POLYMER 제거 공정P3..PAGE:1Semiconductor GroupCDEP3 ... DAMPING은 충돌을 요하지 않으므로 HELICON SOURCE는10mTorr이하의 저압공정에 적합● HELICON WAVE의 위상속도는주파수및 안테나 길이로 조절가능 하므로 WAVE
    리포트 | 62페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.22
  • [경영]하이닉스 성공운영관리
    공정에 사용해 보자”는 아이디어를 냈다. 반도체 역사상 누구도 시도하지 않은 도전이었다.반도체 생산 장비중에서도 가장 고가의 장비는 바로 이 노광장비. 개당 가격이 무려 3백억원 ... . 공장 하나를 세우려면 노광장비 수십대가 필요하니 그야말로 수조원이라는 천문학적인 투자자금이 필요했던 것이다. 노광장비는 반도체의 기본 재료인 동그란 웨이퍼에 미세 회로를 찍어내 ... 는 투자를 하며 기존 설비를 개량, 새로운 생산 공정에 적용하는 '칩 패밀리 프로젝트'를 개발했다. 최저비용, 최단기간, 최초기술로 세계 반도체 역사에 새로운 신화를 쓰고 있는 것이
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.04.02
  • 유비쿼터스
    (반도체)기술, 기계, 그리고 광 기술 등을 융합하여 마이크로 단위의 작은 부품 및 시스템을 설계, 제작하고 응용하는 기술을 말함▶ 특징- 반도체 공정을 모태로 하므로 웨이퍼 상 ... 며, ‘0레이 사업 등을 통 해 ‘소니 유비쿼터스 가치창조 네트워크’ 로 발전해 나가는 전략을 취하고 있음.- 특히 소니는 IBM, SCE, 도시바 등과 ‘칩제조 공정기술’ 개발을 위한
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.13
  • [반도체공정] NMOS 공정
    -SiThermal OxidationBase Oxidation웨이퍼 위에 산화 막을 형성시켜 놓는 이유는 다음 공정인 질화막( Si3N4 )성장 시에 질화막에 의한 실리콘 기판 표면 ... 반응 가스 확산도 증가 :반응가스의 질량 이동이 박막 성장률에 영향(온도 에 민감) 웨이퍼 간격을 좁게 하여 (3~6mm) 동일 공정에 많은 양의 박막 형성 Poly-Si, Si3 ... 로 만들어 주는 poly-doping과정을 거친다. 위의 두 과정은 웨이퍼의 표면뿐만 아니라 노출된 웨이퍼의 뒷면에도 적용되어 n+ Poly-si층이 형성되는데 이 층은 공정진행 도중
    리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.11
  • [전자공학] IC(집적회로) 이야기
    속도도 빨라진다. 뿐만 아니라 집적도를 증가시킬수록 더 값싸게 생산할 수 있게 되어 가격 면에서도 경쟁력이 커진다. 반도체 제조 공정은 일괄 공정이므로 반도체 웨이퍼 한 장 ... 을 가공하는 비용은 웨이퍼의 크기에 상관없이 거의 일정하다. 따라서 집적도를 높여 같은 크기의 웨이퍼 한 장에서 보다 많 은 칩을 생산하고, 보다 큰 웨이퍼를 이용함으로써 동시에 더 많 ... 었고, OP-AMP와 같은 아날로그 집적회로가 개발됨.6> 집적도가 증가함에 따라 바이폴라 트랜지스터의 문제점이 드러나기 시작.(MOSFET보다 제조공정이 복잡할 뿐 아니라 트랜지스터
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.11
  • [광전자 공학] wafer의 결장 성장 방법
    wafer 결정 성장 방법소자의 응용을 위한 결정성장 방법 중의 하나는 호환성이 있는 결정으로 이루어진 웨이퍼상에 얇은 결정을 성장시키는 것이다. 기판의 결정은 성장되는 물질 ... . 이 기판 웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장 또는 에피택시라 한다.1. 기상 에피택시(VPE : Vapour Phase Epitaxy)결정 ... 하며 결정을 성장시키는 원이기도 하다.갈륨비소의 기상 에피택시 성장에 가장 흔히 사용되는 방법은 염화물의 이동에 의한 것으로써 할로겐화합물공정(halide process)과 수소화합물
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.06
  • 반도체산업의 현황과 전망
    부도직전의 전자 부품 (Tr)회사를 삼성전자가 1년의 고심끝에 자체 부품 조달용으로 인수를 하면서 시작합니다. 1983년 까지 한국 반도체의 공장에서 소형 Wafer(칩을 만드 ... 적으로 나타내면,→1974: 삼성 한국반도체 Tr공장 인수.→1983: 삼성 반도체 1 라인 (4인치 웨이퍼, 64k DRAM) 착공.→1983: 현대전자 설립.→1984: 삼성 ... , Track, Wet Station 등의 일부 전공정 장비와 Molding M/C, Bonder, Handler 등의조립장비 및 주변장비(단위 : 백만불)구 분
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.12
  • [광전자] 유기EL(유기LED)
    는 기능을 하는 LCD와는 달리 직접 발광하는 유기물을 이용하는 것이다.2. 실험공정1 ITO기판 에칭유리기판 위에 코팅되어있는 ITO를 3 3mm의 폭을 남기고 왕수에 담궈 약 ... 시키기 위함이다.7 봉지공정(공기중의 수분과 산소와 반응하지 않도록 하는 공정인데 이 실험에서는 생략)을 거친후 다음과 같은 측정을 한다.I-V-L(Current-Voltage ... 는 건식 세정이며 정밀 세정에 매우 효과적이며 피세정물의 표면 손상을 일으키지 않는 이점이 있어 반도체 wafer 세정이나 TFT 액정용 유리 기판의 표면세정과 표면개질에 중요
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.08.23
  • 태양전지 반사방지막 동향 논문! 입니다!
    하였Fig. 5 MWT 셀의 기본 구조2.2.1 직렬저항의 영향 (via-hole 내부저항)via-hole 내부의 금속이 채워지는 상태를 스크린 프린팅 공정에 변수를 주어 직렬저항 ... 을 최소로 하는 공정을 찾아 태양전지의 효율을 높이기 위해서 실험을 하였다. Table 1 은 일반적인Table 1 일반적인, MWT 태양전지 공정 비교태양전지와 MWT 태양전지 ... 의 공정을 비교한 것이다. 맨 처음에 홀 드릴링 공정이 추가 되었으며 마지막 edge isolation 공정에서 컨택트 공정이 추가 되었다. 홀 드릴링 공정이란 후면에 있는 n버스
    논문 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.06.29
  • [asic] asic 이란?(시험자료)
    된chnology를 사용해 반도체 웨이퍼 (Wafer)에 구현되는 IC를 일컫는다.이러한 ASIC을 설계할 때 그 영역을 3가지로 분류해 보면 동작적 (Behavioral) 영역 ... 종류의 불순물을 주입시켜, 산화막을 형성시키고 부분적으로 식각시키는 등의 단위 공정을 수십 차례거쳐서 웨이퍼의 한쪽 표면 위에 복잡한 집적회로를 형성시키는 과정을 공정이라 한다 ... 장 정도의 마스크(Mask)를 이 용하는 제조공정이 필요하다. 실리콘(Silicon) 원판위에 필요한 여러 층을 쌓아 나감으로써 IC로서의 기능을 가지며, 칩 1장은 1개 레이어
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.03.28
  • [공학]반도체, LED용 특수재료가스 산업 현황
    %아산화질소(N2O)24029.7 %유첨 5. 반도체 재료의 종류와 생산업체구분종류용도생산업체기능재료웨이퍼칩의 기판LG실트론, MEMC공정재료포토마스크석영유리판에 회로를 묘화한 회로도CC ... 를 말함.특수가스의 시장 특성 및 현황일반 제조업종에서 사용처가 확장되고 있으며, 새로운 산업, 새로운 공정이 생길 때마다 새로운 가스의 개발이 요구됨. 특히, 반도체, TFT-LCD ... 의 일괄된 품질관리가 필수적임.재료비 비중 및 시장 규모반도체에서의 특수가스는 전체 제조원가의 1% 미만이나, 순수 반도체 전공정재료 내에서는 3위( ①실리콘웨이퍼 45
    리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.08.03
  • 전기로 의 종류와 특성
    . 반도체 웨이퍼 열처리 및 반응시험※ 특 징1. 관상재질·관경 변경의 용이성 : 관상의 재질을 MoSi2, Al2O3, Quartz, Metal등의 재질등을 선택적으로 사용할 수 있 ... 도인 2,000Bar에 비해서는 95%의 함침성과 기공 함수율을 보이는 20Bar의 Semi Sinter-HIP장치로 명명한 본 장치는 일반 소결공정보다는 월등하지만 함축율이 약간
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.19
  • 한국반도체산업의 국가경쟁력 강화방안
    기, 2단계 웨이퍼 생산기, 3단계 DRAM 사업시작, 4단계 DRAM 사업주도로 크게 4단계1) 이재철 외 2명, 『한국의 반도체 산업』, 시그마프레스, pp.247로 구분 지을 수 ... EC, Micron조립전문기업가공된 Wafer 조립/Packaging전문조작된 경험 및 거래선 확보 필요215억불ATK, 칩팩ASE 등Foundry기업Wafer 가공 및 Chip ... 는 미일에 이어 세계 3위의 반도체 공급국으로 성장했다.특히 D램분야의 경우 우리나라는 생산능력, 공정기술, 가격 및 품질면에서 세계 최고의 경쟁력을 보유하고 있고, 256M D램
    리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.11.29
  • [삼성전자,반도체] 기업경영 사례분석을 통한 시사점에 관한 연구 (삼성전자)
    짧은 수명주기PC시장 의존설계기술 지향ASIC 등 용도별 품목 다양성시스템 및 소프트웨어와의 조화기계의 전자화로 수요 다양사업특성소품종 대량생산대규모 투자집중 추구공정의 극한기술 ... 한국주도 대만성장한국주도 일본쇠퇴일본주도 한국성장미국쇠퇴 일본성장미국주도 일본진출세계산업 주조변화연구개발 생산연구개발 생산생산 연구개발생산(Wafer가공)생산(조립)부가가치 창출부분 ... 256M,1G, FRAM, MCU4M, 16M,64M, 128M64K, 256K1M DRAM시계용칩 트렌지스터조립생산제품개발생산구조조정(System IC)자체개발 기술선도공정기술
    리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.27
  • [반도체 산업] 반도체산업의 불황과 한국경제
    율 증가도 주목할 필요가 있다.라) 생산성 측면에서 세계 최고 수준의 경쟁능력을 보유하고 있다. 앞선 가공기술 및 최신 라인 도입으로 웨이퍼당 칩 생산개수가 많다. 수율 향상, 공정 ... 률이 최근 2년 내 최저치전세계 반도체 Fab(웨이퍼 가공라인)의 가동률은 최근 2년내 최저치를 기록하였다. 1분기 가동률은 83.7%로 전분기의 92.8%에 비해 10% 포인트 ... . 업계는 라인 신증설 등 전반적인 투자는 축소하는 가운데 보완투자는 강화시켰다. 그로 인해 신규투자의 축소ㆍ보류에 비해 미세화 공정 등 핵심투자 만큼은 오히려 확대되었다. 300
    리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.05.11
  • [마이크로 일렉트로닉스] 마이크로 일렉트로닉 개요
    의 조성은 현대식 재료공정기술을 사용하여 세밀하게 조절될 수 있으며, 특별한 사용목적에 따라 밴드갭 에너지를 원하는대로 바꿀수 있다. 하지만 그 제조공정이 실리콘보다 어려우며, 또한 ... 마이크로도핑된 실리콘의 경우처럼 웨이퍼 표면에 에피택셜층을 성장시킨다. 웨이퍼 생산업체로부터 이 단계까지 거친 웨이퍼를 공급받는다.④ n형이나 p형과 같이 서로 다른 전기적 특성을 갖 ... 의 SiO2를 형성한후, 0.1㎛ 두께의 나이트라이드층을 입힌다.⑦ 나이트라이드층에 식각영역과 비식각영역을 구분하기 위한 사진식각공정, 나이트라이드 가 있는 부분은 소스, 드레인
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.02
  • [전자공학]Sputter
    )으로부터 떨어져 나와 기판 쪽으로 이동하게 된다. 이렇게 이동한 원자들은 기판위에서 응축되고 결국에는 얇은 박막을 형성하게 되는데 이와 같은 공정을 오른쪽 그림에 나타내었다.Figure 1 ... -bombardment event in a solid lattice장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 면적에 걸친 고른 박막의 증착이 가능.b. 박막 ... 음a. 높은 설치 비용.b. 몇몇 물질의 경우(SiO2) 증착 속도 가 매우 느림.c. 유기물 고체인 경우 ionicbombarment를 저해시키거나품질이 떨어짐.d. 공정이 저진공
    리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.09.13
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