[반도체] cmos공정순서
- 최초 등록일
- 2004.03.07
- 최종 저작일
- 2004.03
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소개글
cmos공정순서와 상세한 그림
반도체공학을 처음 접하시는분들에게 도움이 되었으면 합니다...저도 아직 초보지만요^^:
목차
1.Wafer Cleannig
2.Initial Oxidation
3.N-well Mask
4.Thin Oxidation
5.Well Implantation
6.Well Dinve-In
7.Oxide strip
8.Buffer Oxidation
9.Nitride(Si3N4) Deposition
10.Active Mask
11.Field Oxidation
12.Nitride Strip
13.Buffer Oxide Strip
14.Sacrificial Oxidation
15.VTH Implantation
16.Oxide Strip
17.Gate Oxidation
18.Poly-Si Deposition(증착)
19. Poly-Si Doping
20.Gate Mask
21.N+ S/D Mask
22.P/R Mask
23.N+ Implantation
24.P/R Strip
25.P+ S/D Mask
26.P/R Mask
27.P+ Implantation
28.P/R Strip
29.Anneal
30.ILD Deposition
31.Contact Mask
32.Metal Deposition
33.Metal Mask
34.Passivation Oxide 증착
35.PAD Mask
본문내용
6.Well Dinve-In
확산하기 위해서 온도를 높여준다
1100ºC 에서 N₂Gas만 넣고 600분정도 확산
1100ºC 에서 O₂Gas만 넣고 600분정도 확산
9.Nitride(Si3N4) Deposition
목적
선택적으로 Field Oxide성장시키기 위함
Temp=785 ºC
Tnit(두께)=1600Å
참고 자료
없음