[재료공학실험, 반도체]Lithography

소개

Lithography의 각 공정 단계에 대한 간략한 설명과 Lithography의 종류에 따른 특징에 대한 재료 공학 실험 예비 레포트 입니다.

목차

Lithography / 리소그래피
1.Photolithography
1) PR(photoresist) coating
2) Photo exposure(노광)
3) Develop(현상)
4) Etching(식각)

그 밖의 리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔리소그라피)
2. 극자외선 리소그래피
3.X-ray Lithography (X선 리소그라피)
4. 이온 빔 리소그래피

본문내용

Lithography(리소그래피)는 반도체 집적 회로를 반도체표면에 그리는 방법 및 과정을 통칭하며, 초미세 인쇄 기술이라 말할 수 있다. lithography 공정은 모든 공정 step이 각종 particle에 대해 매우 취약하고, 이로 인한 pattern 불량이 전체 panel의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정이며, 향후 TFT 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다.
1.Photolithography
1) PR(photoresist) coating : PR coating이라 함은 분사된(dispense) liquid(액상) PR을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포 시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화•제거 시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.
PR(photoresist)이란 특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광 된 부분의 polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 일반적으로 노광 된 부분의 polymer 결합사슬이 끊어지는 PR을 positive PR이라 하며 그 반대의 경우를 negative PR이라 한다. 또한 그 형태에 있어서 액상(liquid) PR과 film type으로 구분한다. 일반적인 thin film process에서는 반응성(sensitivity, contrast 등)의 우수함으로 인해 AZ 계열의 positive liquid PR을 사용한다. 그러나 특수한 경우, 예를 들어 cyan type gold plating 공정에 있어, CA(chemical amplification;화학증폭) type의 negative PR을 사용하기도 한다. Thin film HIC 공정에서는 resistor patterning 등에는 positive PR을, 도금 공정에는 negative PR을 사용한다. 또한 liquid type의 일반 PR이 아닌 film type의 dry film을 사용하기도 하며 이 경우 spin coating 대신 laminating 공정을 통해 PR을 coating 한다.

참고자료

· 없음