패터닝 2018년 최신자료 예비보고서 [공업화학실험]

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2018.09.13
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2018.06
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목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 방법
4. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목적
화공에서 배우는 반도체에서, 반도체 식각공정에 대해서 이해를 해보고 그것의 실험결과인 두께 변화 등에 대해 알아보고 생각을 가져본다.

2. 실험 방법
1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행한다.
4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애싱장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
7) 패턴의 높이를 측정하여, 식각 속도 및 식각 선택도 계산

참고 자료

두산동아백과사전 – 두산동아 (반도체)
HIGH Top 물리 1 – 두산동아 (PN접합)
매일경제용어사전(전자용어사전) - 매일신문
재료과학과 공학 – 시그마프레스

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