[2019최신 공업화학실험] 패터닝 결과보고서

소개글

"[2019최신 공업화학실험] 패터닝 결과보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1.서론(실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)

2.실험방법
1) 실험에 사용하는 재료
2) 사용한 실험 장비
3) 공정변수에 따른 식각 결과 이론
4) 실험 순서

3.실험결과 분석 및 고찰

4.결론

5.Process problem

본문내용

1.서론(실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)
반도체는 웨이퍼 제작을 시작으로 하여 산화, 식각 등 8대 공정을 거쳐서 생산된다.
이번 실험에서는 Lithography 과정으로 패터닝 해놓은 SiO2 웨이퍼를 RIE(Reation Ion Etching)을 사용하여 Etching 및 Ashing을 진행한다. Etching 시료로는 Ar과 C2F6 을 사용하고, Ashing의 시료로는 O2를 사용한다.
실험을 통해 직접 장비를 다루고 측정하면서 반도체 Etching 및 Ashing 과정에 대해 정확히 이해한다.
또한, 표준 조건으로 진행한 실험 결과와 공정 변수를 바꿔 진행한 실험 결과를 비교해보고 식각 속도와 선택도를 직접 계산해봄으로써, 변수가 식각 속도와 선택도에 미치는 영향과 상관관계에 대해 알아본다.
우리는 Ar과 C2F6의 gas ratio를 변수로 설정하고 실험을 진행하였다.

2.실험방법
1) 실험에 사용하는 재료
○1 패터닝 된 SiO2 웨이퍼
Si의 에너지 밴드 갭은 1.1ev로 반도체 소자로 사용하기에 이상적인 값이다. 에너지 밴드 갭은 Conduction band (전도대)와 Valence band (가전자대) 의 에너지 차이로, 기기가 잘 작동하기 위해서는 적당한 에너지 밴드 갭이 필요하다.

<중 략>

○2 Ar 기체
Ar 기체는 비활성 기체로 이온 상태가 매우 불안정하기 때문에, 이온과 전자가 다시 재결합 하려는 성질을 지니고 있다. 이렇게 계속 재결합하는 연쇄 반응으로 인하여 아르곤의 원자, 이온, 전자 상태가 함께 공존하게 된다.

참고 자료

없음