메모리 플래쉬 소자의 제조방법

소개

메모리 플래쉬 소자의 제조방법자료입니다.특허조사자료포함입니다. 물리전자 프로젝트 결과물입니다.A+자료입니다. 최신자료이니 부담없이 받아가셔서좋은학점 받으시길바랍니다

목차

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본문내용

⏟ 제 목 : 메모리 플래쉬 소자의 제조방법
(공개번호:2004-0050873/출원번호:2003-0084523(2003.11.26)/출원인:동부아남반도체 주식회사)


⏟ 요 약
본 발명은 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 데이터의 기록 및 소거가 가능한 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 질화막과 산화막의 식각 선택비를 극대화하여 이후의 제조 공정을 용이하게 제어할 수 있는 플래쉬 메모리 제조 방법을 제공하는 것이다.


⏟ 본 문

[발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술과 문제점]
종래 일반적인 플래쉬 메모리의 개략적인 구조는 반도체 기판의 소자 영역 상부의 일부 영역에 게이트 산화막(gate oxide)이 형성되어 있으며, 게이트 산화막의 상부에는 다결정 규소로 이루어진 부유 게이트(Floating gae)가 형성되어 외부와 연결되어 있지 않고 전자의 스토리지 노드(storage node) 역할을 한다.
그리고, 부유 게이트의 상부에는 산화막 또는 질화막이 단층 또는 복수층으로 적층된 구조의 유전막이 형성되어 있다. 유전막의 상부에는 다결정 규소로 이루어진 제어 게이트(control gate)가 형성되어 일반 모스 트랜지스터에서의 게이트 역할을 한다. 현재 반도체 소자는 더욱 고집적화 되면서 소자 간 간격이 0.15um이하의 간격으로 배치되게 되는데 감광막을 이용한 선택적 식각 공정으로는 0.15um이하의 간격으로 박막을 패터닝하기가 힘들다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 패터닝된 질화막의 측벽에 스페이서를 형성한 다음, 이를 식각 마스크로 이용하는 방법이 사용되고 있다. 이러한 방법은 플래쉬 메모리를 제조할 때 부유 게이트를 패터닝할 때 사용한다. 즉, 다결정 규소막 및 산화막을 형성하고 산화막 위에 하드 마스크로 질화막과 스페이서를 형성한 후 이를 마스크로 산화막 및 다결정 규소막을 식각한다.

참고자료

· 없음