인하대학교 집적회로공정(전자공학과) DRAM레포트

목차

1. 소개
2. 동작원리
3. 공정과정(Trench Capacitor)
4. 그 외 공정방법에 대한 비교 및 논의
5. 참고문헌

본문내용

1. 소개
DRAM은 Dynamic Random Access Memory의 약어로 임의 접근 기억장치(Random Access Memory)의 한 종류이다. Dynamic은 메모리칩이 데이터를 기억하기 위해 일정한 시간 안에 매 비트를 리프래시하는 것을 말하고, Random Access는 메모리 칩의 모든셀은 일정한 순서 없이 읽기/쓰기를 행하는 것을 말한다. 이는 순차적 메모리 장치와 반대된다.
각각의 DRAM 비트는 1개의 트랜지스터와 캐패시터로 만들어지고 커패시터에 담긴 전하량에 의해 기록한다. 시간이 지나면서 축전기 전자가 누전되면서 기억된 정보를 잃는다. 이는 메모리 리프래시가 필요한 이유이다. 이 리프패시를 위한 제어회로가 컴퓨터에 탑재 되어야 한다. 회성 구성이 복잡해지지만 가격 면에서 저렴해진다. 그리고 한 비트를 구성하는데 SRAM은 여섯 개의 트랜지스터가 필요하지만 DRAM은 한 개의 트랜지스터와 한 개의 축전지만 있으면 되므로 고밀도 집적에 유리하다. DRAM은 임의의 억세스에 대해 고속으로 읽기, 쓰기가 가능하며, 읽고 쓰는데 걸리는 시간은 거의 같다. 또한 전력 소모가 작아 대용량 기억장치에 많이 사용된다. DRAM은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성기억소자이다.

2. 동작원리
DRAM(Dynamic RAM)의 데이터 저장 원리는 콘덴서가 전기를 저장하는 원리를 이용한다. 컴퓨터에서 데이터라고 하는 것은 실제로는 전기적인 신호의 흐름이다. 컴퓨터의 데이터는 1과 0으로 표현되고 이들은 각각 전기가 흐르는 상태와 흐르지 않는 상태를 의미한다.
전기를 저장하는 매체 중 가장 흔한 것은 콘덴서 또는 배터리라고 불려지는 전자 부품이다.

참고 자료

민위식/DRAM의 발전 방향과 전망/1992
Three-Dimensional Packaging Technology for Stacked DRAM With 3-Gb/s Data Transfer/ Masaya Kawano; Nobuaki Takahashi; Yoichiro Kurita; Koji Soejima; Masahiro Komuro; Satoshi Matsui/2008
이대훈/DRAM의 제조공정의 기술적인 문제점 -Trench 축전구조 형성 기술을 중심으로/1989
네이버 지식백과 DRAM
https://terms.naver.com/entry.naver?docId=1169752&cid=40942&categoryId=32384
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