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"메모리 소자" 검색결과 1-20 / 2,794건

  • 워드파일 차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 실험 레포트
    예비 레포트 - 실험날짜 : 2018년 05월 22일 - 실험제목 : 차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 - 예비이론 • 차세대 메모리의 종류 및 기존 메모리와의 ... 비휘발성 메모리 소자이며 모든 유기소재를 적용한 소자를 통틀어 PoRAM이라고 말한다. ... 핵심 비휘발성 메모리 소자로서의 가능성을 확인할 것이다.
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08
  • 파일확장자 메모리 소자에서 파워-업 리셋 회로의 개선에 관한 연구
    Composition element of power-up reset circuit is consisted with many PMOS and by capacitors, reduce number of used element to improve power-up reset ..
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 메모리 소자에서 전압발생기의 펌핑 커패시터 제안에 관한연구
    In semiconductor memory, the kinds of voltage generator are high voltage generator, negative voltage generator, drain voltage generator and etc. The ..
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 반도체 메모리 소자 응용을 위한 TaSiN 확산 방지층의 산화 저항성
    약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and SiO2/Si 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 900˚C까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산..
    논문 | 16페이지 | 4,900원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 메모리소자를 위한 Ti1-xAlxN 방지막의 산화 거동
    한국재료학회 한국재료학회지 박상식
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 한글파일 카운터 레지스터 메모리 프로그램가능소자의 구조
    메모리는 많은 수의 정장소자들과 니들 소자에 정보를 써넣거나 읽어오기 위해 필요한 관련회로들의 집합체이다. 7.1 카운터의 구조 (예제 7-1) 16진 카운터를 설계하라. ... 카운터 레지스터 메모리 프로그램가능소자의 구조 카운터는 펄스신호에 의해 미리 정해진 순서로 출력의 상태가 변화하는 동기순차논리회로이다. ... 메모리 단위에서의 2진 셀의 기본적인 특성 메모리 유니트내 바이너리 셀 (Binary cell)의 기본 특성 1) 이진수 표현을 위한 두가지의 상태 특성을 확실히 갖을것. 2) 물리적으로
    리포트 | 25페이지 | 6,000원 | 등록일 2017.12.31
  • 파일확장자 메모리 소자에의 응용을 위한 SrBi2Nb2O9 박막의 성장 및 전기적 특성
    한국재료학회 한국재료학회지 강동훈, 최훈상, 이종한, 임근식, 장유민, 최인훈
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 파일확장자 전하 포획 플래시 소자를 위한 Al2O3/La2O3/SiO2 다층 박막 구조의 메모리 특성
    The Charge Trap Flash (CTF) memory device is a replacement candidate for the NAND Flash device. In this study,Pt/Al2O3/La2O3/SiO2/Si multilayer struc..
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 한글파일 메모리 플래쉬 소자의 제조방법
    요 약 본 발명은 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 데이터의 기록 및 소거가 가능한 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다. ... 소자의 고전압 트랜지스터 형성 방법 쉘로우 트렌치 아이소레이션을 적용하는 플래시 메모리 소자에서 액티브 영역에서의 고전압 NMOS 트랜지스터의 특성 및 필드 영역에서의 펀치 누설전류 ... 제 목 : 메모리 플래쉬 소자의 제조방법 (공개번호:2004-0050873/출원번호:2003-0084523(2003.11.26)/출원인:동부아남반도체 주식회사) ?
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.18
  • 한글파일 메모리반도체소자
    메모리 반도체소자 Report 목 차 0. 메모리 반도체 1. 낸드 플래시 시장 2. 소자 구조 및 작동 원리 3. 회사별 제작 방법 4. 비휘발성 메모리 기술 개요 5. ... 필자는 나노소자는 알고 보면 굉장히 광범위한 개념으로 그 속에 반도체메모리소자와 양자소자가 속한다고 할 수 있다. ... 낸드 플래시 메모리소자의 집적도를 기타 메모리 소자에 비해 현격히 높일 수 있는 장점이 있고 대용량의 정보 저장을 위해 반드시 필요한 반도체 메모리로 시장에서 그 가치가 날이 갈수록
    리포트 | 37페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.04
  • 한글파일 플래시 메모리 소자의 종류와 특징
    플래시 메모리 소자의 종류와 특징.hwp 플래시 메모리 소자의 종류와 특징, 작동원리 각각의 장단점 등 비교 설명하고 각자 향후 어떠한 특징의 플래시 메모리 소자가 필요할 것이라고 ... 향후 플래시 메모리 소자 1) 대용량의 특징을 가진 플래시 메모리 지금보다 더 큰 용량을 가지는 플래시 메모리가 개발될 것이라고 생각한다. ... 참고 문헌 1) 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사 성균관대학교 정보통신 소자 연구실 2) Now weekly 제 242호 (한국과학기술정보원 KISTI) 3) 삼성전자
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.12.15
  • 한글파일 메모리소자 : 작동원리와 장단점
    * 메모리 소자의 종류를 다섯 가지 이상 쓰고 각각의 작동원리와 장?단점을 비교? ... SRAM : 램의 한 종류로 플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치 이다. 플립플롭을 기본 소자로 한다. ... 상변화막에 인위적으로 열을 가하지 않는 한은 상이 변하지 않으므로 비휘발성 메모리이다. **새로운 반도체 소자 전망과 아이디어** : 비휘발성 메모리들이 많이 개발되었다.
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.05.27
  • 한글파일 SRAM, DRAM EEPROM, PRAM등 다양한 메모리 소자
    메모리 소자 메모리 소자는 정보의 저장이 가능한 매체를 말한다. ... 정보의 입력과 출력이 모두 가능한 메모리 소자를 RAM(Random Access Memory라 한다. ... 메모리 소자는 입,출력 특성에 따라 분류되는 한편 전원의 on/off에 따른 정보의 소실 유무에 따라서 휘발성과 비휘발성으로도 나뉜다.
    리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.08
  • 한글파일 메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향
    낸드 플래시 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다. ... 낸드 플래시 메모리 소자는 셀 지역과 주변회로 지역으로 크게 구분 지을 수 있다. ... Masuoka에 의해 제안된 것으로 F-N 터널링을 이용하여 소거 및 프로그램 할 수 있는 소자로 차세대 Flash형 메모리 기술로써 주목받고 있다. 가.
    리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24
  • 한글파일 [공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.
    메모리소자로써 응용한 비휘발성 메모리소자이다. ... 차세대 비휘발성 메모리 소자. ... 낼 수 있는 비휘발성 메모리 소자이다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.28
  • 워드파일 서강대학교 디지털논리회로실험 레포트 9주차
    9주차 결과레포트 메모리 소자: ROM/RAM 1. 실험제목: 메모리 소자 ROM/RAM 2. 실험목적: 1) 메모리 소자들의 동작 원리와 활용 방법을 이해한다. ... 메모리 소자의 저장용량 표현 방법 중 같은 4Mbit 메모리에 대해 256Kx16, 512kx8과 같이 다르게 표현되기도 하는데 이와 같은 표현의 차이가 소자의 핀 PPT ... 메모리 소자는 데이터 기록 방법, 동작 속도, 집적도, 사용 방법 등등에 따라 매우 다양하게 분류될 수 있다.
    리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.08.12 | 수정일 2020.08.26
  • 한글파일 충북대학교 전자공학부 기초회로실험II 예비보고서 실험 21. 메모리 회로
    하나의 메모리 소자가 다른 메모리 소자에 비해 더 큰 밀도를 가진다는 것은 동일한 공간에 더 많은 비트를 저장할 수 있다는 것을 의미하며, 이는 좀 더 조밀하게 저장됨을 뜻한다. ③ ... CE/PGM 단자에 high 상태 전압을 45~50ms 동안 인가 (2) RAM - 메모리내의 특정장소에 데이터를 저장, 데이터 읽어낼 수 있는 기능을 가진 기억소자 - RAM은 총 ... RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라. ① Access Time - 메모리 소자 동작속도의 측정치로서 읽기 동작을 수행하는데 필요한 시간. ② Cell 밀도 -
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.19
  • 한글파일 반도체 공학 비메모리/메모리 반도체의 미래는?
    TSMC는 지난해 1월 반도체 공장 오염으로 최대 9만 장의 불량 웨이퍼가 발생한 바 있다. 3.비메모리 반도체와 메모리 반도체 차이 및 각 소자 특성에 관해 논하시오. ... 개별소자는 트랜지스터, 다이오드, 콘덴서와 같이 단일 기능을 하는 반도체 소자로, 광 신호를 전기 신호로 변화시키는 CMOS 이미지 센서(CIS)가 대표적이다. ... 메모리 반도체는 CPU 같은 비메모리 반도체에 비해 값이 싸다. 비메모리 시장 규모는 메모리 시장의 3~4배이다.
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.07
  • 한글파일 10주차-실험21 예비 - 메모리 회로
    하나의 메모리 소자가 다른 메모리 소자에 비해 더 큰 밀도를 가진다는 것은 동일한 공간에 더 많은 비트를 저장할 수 있다는 것을 의미하며, 이는 좀 더 조밀하게 저장됨을 뜻한다. ③ ... 소자 동작속도의 측정치로서 읽기 동작을 수행하는데 필요한 시간. ② Cell 밀도 - 용량에 대한 또 다른 용어. ... 메모리 회로 담당교수 : 교수님 학 부 : 전자공학부 학 번 : 이 름 : 실 험 조 : 제 출 일 : 2015. 11. 11 실험제목 : 메모리 회로 실험목적 : (1) ROM에
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • 파일확장자 디스플레이소자공학 필기본 및 과제수행본 (기본용어, LCD, OLED, 기타디스플레이)
    LCD의 계조 전압이 균일한 등간격으로 설정되어있지 않고, 비균등 (non linear)하게 설정되는 이유를 normally white mode에서의 액정의 V-T curve를 대략적으로 그리고 설명 하시오 -> 전압을 인가하지 않았을 때 white인 경우 즉, V-T..
    리포트 | 4페이지 | 1,900원 | 등록일 2023.07.19
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