반도체 공정 레포트 - Flash memory

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목차

1.Flash Memory
2.Nand-Type & Nor Type
3.Floating gate Flash Memory & Charge trap flash memory
4.MLC Flash Memory
5.3D Flash Memory

본문내용

1.Flash Memory
메모리 반도체의 종류는 휘발성(Volatile) 메모리와 비휘발성(Non- Volatile) 메모리로 나누어진다. 휘발성 메모리는 저장된 정보를 유지하기 위해 전기를 요구하는 메모리를 가리킨다. 휘발성 메모리의 종류로는 DRAM 과 SRAM이 있다. 반면 비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리이다. 비휘발성 메모리에는 ROM 과 Flash Memory가 있으며 이 비휘발성 메모리는 EPROM, EEPROM, Flash memory 순으로 발전해왔다. EPROM은 UV를 이용하여 정보를 기록하고 지우는 메모리로 구조를 살펴보면 다음과 같다. 일반 MOSFET과 비슷한 구조이지만 다른 점은 Gate와 유전체 사이에 Floating Gate가 추가된 것이다. Poly-silicon으로 Floating Gate를 만들어서 Floating Gate 안에 전자를 저장하고 SiO2를 통하여 UV(자외선)로 광전류를 흘려 Floating Gate 안에 있는 전자를 방전 시키며 데이터를 저장하고 삭제를 한다. 또한 하나의 cell이 하나의 트랜지스터로 이루어져 집적도에 유리하다. EEPROM은 전기적으로 데이터를 기록하고 지우는 메모리로 구조를 살펴보면 다음과 같다.
EPROM과 다르게 하나의 cell에 2개의 트랜지스터로 구성되어 있다. FN 터널링 현상을 이용하여 정보를 읽고 쓰며 또한 전기적으로 바이트 단위의 수정이 가능하다는 장점이 있다.
EPROM의 집적화 장점과 EEPROM의 바이트 단위의 수정의 장점을 합친 것이 바로 Flash memory이다.
EPROM + EEPROM = Flash Memory
이러한 Flash Memory는 하나의 cell에 하나의 트랜지스터로 구성되며 약 10nm의 tunneling oxide로 구성되어 있다.

참고 자료

없음