NGL(Next Generation Lithography)에 대한 조사

소개글

NGL중 nano imprint lithography 와 EUV (Extreme Ultraviolet) Lithography에 대한 조사

목차

1. EUV (Extreme Ultraviolet) Lithography

- Lithography 장비 기술 현황
-EUV Lithography 기술의 개요
-국외 기술 개발 현황
-국내 기술 개발 현황
-향후 연구 과제

2. Nano Imprint Lithography
- Laser-assisted direct imprint (LADI) of nanostructures in silicon
- The liquid embossing process
- Combined NIL-UV provess
-Nanoimprint 기술이 당면한 문제

본문내용

2010년경에는 반도체 소자가 현재 사용하는 소자에 비해 용량이 64배(1Gbit→64Gbit)이상이 될 것으로 전망되며, 이를 위해 300mm 웨이퍼에서 선폭 50nm를 달성할수 있는 방법중 하나가 Extreme Ultraviolet Lithography라고 전망된다.

- Lithography 장비 기술 현황
그림은 선폭과 Lithography에 대한 Roadmap을 나타내고 있다. 2010년경에 DRAM/MPU의 공정에 13.4nm의 파장을 가지는 EUV Lithography가 채택되어 선폭 45nm의 양산공정에 사용될 것으로 예측하고 있다.
한편으로는 System on Chip과 같은 소량의 주문형 반도체 생산에는 EPL (Electron Projection Lithog- raphy)이 사용될 것으로 예측하고 있다.



-EUV Lithography 기술의 개요
EUV광은 VUV(Vacuum Ultra Violet)파장보다 짧고 X선보다는 긴 파장대역에 속해 있다. EUV Lithography에서 이용되는 파장은 13.4nm이며, photon energy는 약 100eV이다. (참고로 silicon L absorption edge는 photon energy가 99.2eV이며, 12.5nm의 파장에 해당한다.)
EUVL은 기존의 optical lithography와는 그림에서 보는바와 같이 그 개념이 다르다. YAG laser beam이 gas jet assembly에서 분출된 Xenon cluster target(압력 10-15bar의 기체)에 집광되어 플라즈마를 발생하며, 이때 13.4nm의 EUV가 발생된다.

참고 자료

없음