"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 리소그래피 반도체 공정 itrs 2005 asml 면접 wafer priming

"웨이퍼공정" 검색결과 1,901-1,920 / 2,698건

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반도체 최신 동향

·································92) Atomistic Process Simulation의 미래 동향··········133) 300㎜/130㎛웨이퍼의 전체동향 ... 디드(Embedded) S/W의 비중이 증가하고 있으며, 반도 체 부가가치에 큰 영향력을 끼치고 있다. 제조공정 기술은 대만, 일본과 대등한 수준이지만, 설계 /SW/ 나노소자 ... 의 경우 경쟁력의 결정요소는 토털 솔루션에 있으므로 시장, 인프라 등 모든 부문의 중요성이 크게 대두되고 있다.기존의 시스템 기술력, 공정 기술력, 칩 설계 기술력은 물론 시간, 역할

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.31

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LG 디스플레이

근무를 하며 DC magnetron sputtering을 이용하여 증착한 ZnO기반의 박막트렌지스터의 후열처리에 따른 특성을 비교하는 실험에 참여하여 웨이퍼를 직접 c ... 으로서 공정기술에 한 축을 담당하는 인재로서 자부심을 가지고 일 할 수 있는 자세를 갖췄다고 생각합니다.3. 자신의 성격상의 강점과 보완점을 사례를 들어 기술하고, 보완점을 개선하기 위하 ... 기술은 기본적으로 거대한 투자를 요하는 장치산업의 특징을 가지고 있습니다.여기에 pannel설계, 제조, 공정, 품질 및 내구성 검사 등 복잡한 공정기술을 요하는 만큼 공정기술

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.09.11

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반도체 패키징

실장기술)1. Chip전자회로를 만들어 부착한 반도체 조각이다.집적회로는 웨이퍼라고 하는 지름 10～20㎝ 정도의 실리콘 기판 위에 노광․에칭․확산․증착 등의 공정을 거쳐 실리콘 ... 산화막․다결정실리콘․알루미늄 등의 회로 패턴이 형성되어 회로기능을 한다.(웨이퍼프로세스기술) 일반적으로 웨이퍼 위에 동일한 집적회로가 여러 개 만들어지고 완성된 뒤에 한 집적회로 ... 는 주로 석탄산이 사용되나 크레졸을 사용하기도 한다. 제조공정 중 산성촉매에 의해서 생기는 제 1차수지를 노볼락(NOVOLAK), 염기성 촉매에 의해서 생기는 수지를 레졸(resol

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.04.06

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창업투자회사(창업투자조합, 창투사) 규모, 주요업무, 창업투자회사(창업투자조합, 창투사) 자금지원, 투자현황, 창업투자회사(창업투자조합, 창투사) 사업계획서, 창업투자회사 전망

의 벤처캐피탈 시장에의 참여로 가속화 되고 있다. 정부는 10대 그룹계열사 중 공정거래법상 주식분산요건이 우수한 대기업도 창업투자회사를 설립할 수 있도록 설립요건을 완화하였다. 이 ... 18억원을 투자 그리고 2년 만에 '웨이퍼자동검사장치' 개발에 성공하였으나, 성능이 떨어지고 출하시기를 놓쳐 실패- 다시 시장조사를 하고 '테스트 핸들러'에 눈을 돌려 자금

리포트 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.07.22

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cvd pvd

의 표면이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산 ... 성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크게 확장시켜왔다. CVD 공정은 여러 가지 방법으로 분류될 수 있 ... (Atmosp 기체 흐름 장치와 기체 배기 장치는 AP CVD와 비슷하다. 반응실은 전형적으로 저항 가열로 안에 놓여진다. Wafer들을 수직으로 빽빽이 위치시키며 반응실은 낮은 압력을 허용

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.17 | 수정일 2015.11.03

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PV JAPAN 2009 태양광 전시회 참관 세미나 요약보고서

의 토탈솔루션을 선보임- 특히, 알박(ULVAC)은 a-Si, CIS 등 박막형 태양전지 제조공정을 동영상으로 소개하는 등 다각적으로 제품 및 제조라인을 홍보함- IPORT ... 공정 장비), 도쿄일렉트론(박막형 태양전지 제조장비), IPORT(스크라이버), OSAKA VACUUM(진공밸브), IAI(Robocylinder electric actuator ... ) 등 63개 업체- 검사, 측정관련 : SEMILAB(Life Time 측정), NOAH(공정, 조립 툴, 검사 분석 장비) 등 62개 업체- 부품, 재료업체 및 기타 : 듀폰

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.08.14

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반도체의 원리와 생산공정

로서 여기에 스핀 주입 가능성을 실험 중에 있다. Magnetic semiconductor를 이용하면 반도체 소자 공정을 보다 간단히 할 수 있다. 실험 방법은Junction 증착→ M ... 램을 세계 최초로 개발 반도체 개발 10여년 만에 세계정상을 탈환1995년 하이닉스 미국 유진공장 착공1996년 1기가D램 개발이 세계최초 개발아남 반도체 출범웨이퍼 제조1. 천연

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.29

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PhotoResist coating

의 구성과 종류..PAGE:3Photoresist coat 목적패턴(pattern)형성고집적화..PAGE:4도포 공정 개략도..PAGE:5웨이퍼 세정(wafer cleaning)목적 ... ..PAGE:17.감광액 도포(Photoresist coat)..PAGE:2목 차1) PR 도포의 목적2) 도포 공정3) Photo resist란4) Photo resist ... 에 해당빛에 민감한 물질인 PR을 웨이퍼 표면에 고르게 도포..PAGE:8스핀 코터(Spin Coater)..PAGE:9소프트 베이크(soft bake)감광막 건조도포막의 형태

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14 | 수정일 2019.04.09

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반도체

) 모양의 단결정 실리콘 막대를 만든다.반도체 재료는 크게 기능재료, 공정재료, 구조재료 등 3가지로 구분되는데,① 기능재료는 반도체의 기판이 되는 웨이퍼(wafer)를 말하며,② 공정 ... 다.CTF(Charge TrapFlash)전하를 기존(旣存)의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하는 방식의 삼성전자가 개발한 새로운 반도체 나노(Nano)공정이다.기존의 플로팅게이트 ... (Floating gate)에서 CTF로 진화함으로써 나노공정도 50나노에서 20나노로 줄일 수 있다. 또한 전하를 부도체에 저장하고 또 도체에 저장할 때 생기는 Cell간 간섭문제

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.30

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lithography

는 photolithography 라고 불리워 지는 공정을 사용하여 Si wafer 의 표면에 전사(轉寫)되는 window의 pattern을 포함함 Photoresist : light-s ... to the barrier material on the surface of the wafer2.1 The Photolithographic ProcessUltraclean c ... oating 최종 수율(yield) 계산 각 step 90%의 good device 생산 공정상 mask 수는 7장 (0.9)7 = χ 7log(0.9) = log χ χ = 10

리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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열 증착

) 이온주입공정(4) 화학기상증착공정(5)사진식각공정(6) 금속공정반도체 공정이라는 것은 반도체를 이용한 소자를 만들기 위한 과정이다.이러한 일련의 공정을 통해서 웨이퍼에 불순물을 주입 ... 한 금속단자를 반도체 웨이퍼에 만들어주는 과정이 금속공정이다. 금속공정을 통해 단자를 형성하기 위한 방법에는 화학기상증착 또는 열증착 및 스퍼터링 등이 있다.▲Thermal ... 와 Diffusion Pump① Rotary Pump② Diffusion Pump1. Thermal Evaporator반도체 공정(1) 산화공정(2) Diffusion공정(3

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.16

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[공학]박막재료의 표면 처리 및 PR제거

시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 준다. 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 diffusion(확산)공정에 의해서도 이루어진다.12단계 ... 화학기상증착 (CVD : Chemical Vapor Deposition)공정gas간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정이 ... 다.13단계 금속배선 (Metallization)웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정이다.14단계 웨이퍼 자동선별 (EDS TEST)웨이퍼에 형성된 IC칩

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.06

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다른 품질기법과 연계한 6시그마 사례 비교<SQM, 품질자격제도, 삼성전관, RTE>

을 SQM이라 명칭하고 Hecht씨에 의해 이론적 정립 및 국내외 사업장으로 확대, 적용되었다. 1997년 SQM을 전사에 확산하기 위한 중점사항으로 표준준수를 통한 공정의 안정 ... 여 표준을 설정, 데이터를 분석 평가하고 피드백시스템을 구축하여 공정의 투입/산출 산포를 6시그마 수준으로 개선하는 일련의 활동이다.3. SQM과 6시그마와의 관계SQM은 6시그마와 같 ... 되는 SQM은 표준정비, 표준준수, 공정능력(CP) 향상, 불량의 해결이라는데 네 개의 축으로 구성된다. 이 중에서 특히, 투입(관리항목, 공정 정보)을 층별(산포관리, 중점관리, 기본준수

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.02

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[반도체공학]반도체 공정

반도체 제조 공정■ 대분류회로설계 ⇒ 패턴설계 ⇒ 마스크제작 ⇒ 웨이퍼 프로세스(전공정),기판공정(FEOL) ⇒Si다결정제조 ⇒ Si단결정제조 ⇒ 경면 Si웨이퍼제조 ↗⇒ 배선 ... 공정(BEOL) ⇒ 조립공정(후공정) ⇒ 검사공정(후공정) ⇒ 신뢰성검사공정(후공정)⇒ 제품출하■ 소분류○ 기판공정(FEOL)에피택시얼층 형성 ⇒ 아이솔레이션(트렌치.LOCOS ... ) ⇒ 웰 형성(n웰.p웰) ⇒ 게이트산화막⇒ 게이트전극형성 ⇒ 스페이서형성 ⇒ 커패시터 구조형성(DRAM) ⇒ 소스드레인형성 ⇒배선 전 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒ 콘택트 홀

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05

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[재료공학실험]리쏘그래피 (lithography)

공정에 사용함으로써 마스터 스탬프의 열화를 방지하는 기술이다. S-NIL은 마스터 스탬프의 degrading을 방지할 수 있음은 물론, 비형면에 패턴 형성이 가능한 것과 같 ... 은 다양한 장점을 가지고 있으나 고압 공정시에 패턴형상이 변하고 alignment가 어려운 등의 앞으로 해결해야 할 여러가지 단점도 가지고 있다1996년 Chou교수가 개발한 가열방식 ... -patterning)공정으로 많은 기대가 모아지고 있으나, 몇 가지 문제점을 갖고 있다. 다층(multi-layer)작업시 열변형에 의해 다층정렬이 어렵다는 점과, 점도가 큰 레지스트

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.24

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그래핀 기반 고분자 나노 복합 소재

다.그래핀은 관 형태로 말려 있는 탄소나노튜브와 화학적 성질이 아주 비슷하지만 탄소나노튜브보다 균일한 금속성을 갖고 있기 때문에 산업적으로 응용 가능성이 더 크다. 후공정을 통해 금속 ... 하다.ⅳ) 에피택시법고온에서 결정이 흡착되어있거나 포함되어 있던 탄소가 표면의 결을 따라 그래핀으로 성장하는 것을 의미한다. 이 방법을 이용하면 결정성이 웨이퍼 크기정도까지 균일

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.06

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간섭계 실험레포트

, LCD, Build-Up PCB 등 미세표면 형상을 제조하는 산업분야에서는 공정 및 제품관리를 위해 새로운 개념의 측정기술을 요구하고 있는데, 이에 대한 대안으로 최근 각광을 받 ... 율에서는 높은 수직분해능을 얻을 수 없다는 단점이 있다. 이 측정법은 세포와 같은 생체분야, 그리고 Bumped Wafer의 미세 볼 형상측정에 적용된다.모아레 측정법은 간편한 측정 ... 만 수백 mm 이상의 대영역을 nm 이하의 분해능으로 측정할 수 있는 장점을 이용해 주로 웨이퍼의 평탄도(Flatness), 미러(Mirror), CD, DVD 픽업 렌즈의 형상정도

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.06

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[MRP]MRP MRP(자재소요계획)2009년 A+발표자료 MRP의 전체적인 부분의 체계적정리

은 발생하지 않음 ► 사용자의 프로그램 숙달 기간(약 3-4개월 소요)이 필요하이닉스의 MRP도입반도체용 자재☆하이닉스반도체 사례☆► 웨이퍼를 가공해서 반도체 셀을 만듦 (WAFER ... 의 사례M R P 의 정 의☆자 재 소 요 계 획☆MRP시스템이란, 원자재, 부품, 구성품, 공정품,중간조립품등과 같이 수요가 상위단계의 품목에 종속되어 있는 종속수요품목의 소요량 ... 는다. ► 공정재고가 줄지 않는다 ► 공정 개선의 우선순위를 알 수 없다.MRP 사용자의 불만► 재고절감 효과 ► 사무 생산능력의 향상 ► 현장의 생산성 향상► 계획,통제기능의 통일화 ► 책임

리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.08.21

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[기계공학]노광기

에 전사하는 공정으로, 반도체 제조 공정에 있어서, 회로의 미세화와 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다. 감광재료에 옮겨놓은 패턴들은 다음단계의 식각과정때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이 ... 적으로 리소그래피 공정이란 감광제를 웨이퍼 상에 균일하게 도포하고, 스태퍼와 같은 노광장비를 사용하여, 마스크 혹은 레티클 상의 패턴을 축소 투영 노광 시킨 후 현상과정을 거쳐 원하는 2차원 ... 패턴의 감광막을 형성시키기까지의 모든 공정을 말한다. 패턴형성 후, 감광막을 마스크로 사용하여 웨이퍼 기판 막을 에칭 혹은 이온주입 작업등을 실시하고, 이후 불필요해진 감광막

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.05.26

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[반도체A+자료]RIE(Reactive Ion Etching)에 관한 모든것

Reactive ion etching 공정 변수에 따른 식각율 Reactive ion etching의 특징ContentsEtching의 정의정의 반도체 제조공정 중 감광 현상이 끝난 후 ... 감광막 에 증착된 박막들을 공정 목적에 따라 부분적으로 제거하는 기술Etching 방법Wet etching - 순수한 화학반응 - 폐기물 처리문제 - 등방성 식각 Dry ... SiF4O2F*SiF4O2이온 빔 식각Sputtering과 비슷한방법 Ar+이온이 웨이퍼와 충돌하여 물리적으로 제거플라즈마기판Ar+Ar+Ar+Ar+반응성 이온 식각 (RIE)구성

리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.29

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