"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 리소그래피 반도체 공정 삼성전자 경력 wafer priming

"웨이퍼공정" 검색결과 1,941-1,960 / 2,701건

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태양전지 동향 및 전망

, 단결정 실리콘 잉곳 성장장치와 잉곳 양산화 기술, 저가 고품질 단결정 기판, 실리콘 웨이퍼에서 실리콘폐기물 재활용기술 등 실리콘 기판 상용화 기술을 개발 중이다. 2006년 ... 10월 LG실트론 공장이 준공해 소재부터 모듈까지 30∼40㎿를 생산할 수 있는 생산체제를 갖추고 있다.바. 네오세미테크GaAs 웨이퍼를 전문으로 하는 업체로 이를 이용한 실리콘 ... 태양전지 생산 및 연구가 진행 중이고 대만으로 수출한 실적도 있으며, 대만 기업과 올해부터 10년간 연 80㎿급의 태양전지 웨이퍼를 공급키로 계약을 체결, 오는 10월부터 태양전지

리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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CVD로 성장시킨 실리콘 나노와이어의 분석

하여 나노와이어가 성장한 웨이퍼의 데이터를 얻었다.fig.1 Au 촉매를 이용하나 나노와이어 성장 과정fig.2 thermal CVD의 구조3. 나노와이어 생성 메커니즘Au는 융점 ... 를 액상으로 만든다.액화된 Au는 표면장력의 작용으로 응축되어 미세한 수십 나노미터 크기의 입자로 형성된다. Au 나노입자가 형성된 웨이퍼를 진공상태의 thermal CVD의 챔버 ... 액상(liquid)로 상변이를 거치는데, 침전물과 웨이퍼의 계면에서 Si의 응고(solidization)가 진행된다. 그래서 SiH4 gas를 유지하면 VLS 과정의 연속

리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.12.09

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금속 박막증착

, 빛(UV 또는 LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 Solid Deposition를이루는 합성 공정을 말한다1) 스퍼터링 ... (SiO2)의 박막을 기판위에 증착할 수 있는 장비로써, 반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로사용되며, 이외에도 다양한 용도에 응용될 수 있다.텅스텐이나 세라믹 등 ... 과 같은 고융점 물질들의 증착이 가능하다.장 점단 점ㆍ증착속도가 빠르다ㆍ고융점 재료의 증착이 가능ㆍMultiple deposition이 가능ㆍ박막 두께를 확인하며 공정 진행 가능

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.08.24 | 수정일 2015.02.12

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[공학기술]plasma

를 이용한 실리콘 웨이퍼위의 Si-C 박막 증착 공정은 기존의 고온 공정 온도를 낮추는 효과를 가져왔고, 박막의 성장에서도 만족할 만한 결과를 가져온 것으로 판단된다. 따라서 대 ... < 목 차 >>Ⅰ. 플라즈마 응용Ⅱ. microwave플라즈마 응용기술Ⅲ. 플라즈마 공정Ⅳ. 종래 기술과 비교Ⅴ. 문제점 및 향후 개선방향Ⅰ. 플라즈마 응용플라즈마는 열 ... 들을 열분해해서 유리질로 만든 후 냉각, 경화 시킨다. 그 공정 진행 과정동안 가스 부산물이 생성되는데 이것을 후드에 모은 후 정화 장치를 통해 정화시킨다. 정화된 가스는 연료로 쓸

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.15

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한국의 센서 기술 및 시장동향

인터페이스회로, 웨이퍼단위 제조공정관련 기술이 상당한 수준으로 확보 또는 개발되고 있다. FET형 센서기술에 대한 연구는 그 높은 기술적 가능성과 잠재력 때문에 전세계가 엄청난 투자 ... 도 찬란히 전개될 것이다. 언젠가는 인간의 감각기관과 유사한 또는 그 이상의 수퍼센서시스템이 출현할 것으로 기대되고 있다.■ FET형 마이크로센서FET형 마이크로 센서란 반도체집적회로공정 ... 을 적되어야 하며, 여러 가지 센서, 기준전극, 신호처리회로 등을 단일 칩에 집적하기 위해서는 해당 집적회로의 설계 및 공정기술이 개발되어야 한다. 마이크로기준전극, FET센서

리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.13

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산화막형성

된다.산화공정(Oxidation)고온(800-1200'C)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응을 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정산화막 형성 ... 산화막 형성산화막(oxide)반도체 공정에서 가장 핵심적이며 기본적인 물질이다. 특히 열산화 방식(thermal oxidation)으로 형성되는 산화막의 형성방법은 산화막을 형성 ... 을 한다. MOS소자에서 gate 절연막으로 사용되는 산화막이 대표적인 예라고 할 수 있다. 전기적으로 절연체의 역할뿐만 아니라 수많은 소자들로 구성되는 집적회로의 제조공정에서 소자

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.06

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[반도체공정]반도체 기초공정

(DEWAXING)이 공정은 PRE CLEANING 또는 DEWAXING 공정이라고도 부르며 POLISHING 공정을 거치면서 오염된 WAFER의 표면을 화학약품 또는 물리적인 세정을 통하 ... 여 다음공정에서 발생할 수 있는 장비의 오염등 문제 발생을 1차 세정하여 막는데 있다. POLISHIED WAFER의 앞, 뒷면에 무기물, 유기물, 금속이온 등의 오염물질을 각종 화학 ... 로 제어된다. 이전 공정에서 넘어온 WAFER가 이 장비에서 암모니아 원액 및 초순수로 불순입자를 씻겨나가게 한다.ASIC레이져 빔을 이용하여 육안으로 식별되지 않는 미세한 불순

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.02.02

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pvd 실험 보고서

이 큰 물질로 만든 코일이나 보트에 증착물질을 Ring으로 걸든지, 보트 위에 놓고 고전류를 흐르게 하면 저항열에 의해 가열된 증착물질은 용융되고, 증발되어 웨이퍼에 부착하게 된다 ... . 이 방식은 아주 간단하고 값싼 반면 필라멘트 물질이나 공정부주의로 인해 오염되기 쉽고, 고융점 물질이나 합금물질을 증착하기 어려운 단점이 있다.(2) 프래쉬 증착 (Flash ... 는 일으키고 그 힘에 의해 증착물질이 튀어나와 웨이퍼에 부착하게 된다. 이 방식은 합금물질의 증착시 조성을 균일하게 해줄 수 있고, 스텝커버레이지가 양호하나 증착속도가 느리고 많

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.03

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[나노]마이크로머신

형상을 실리콘 웨이퍼상에 옮겨놓는 사진작업일반적인 반도체 IC의 제작공정에서 기본적인 공정반도체 산업의 발달과 함께 발전되어 있는 공정한 장의 실리콘 웨이퍼로부터 많은 수의 동일 ... :18종래의 기술과 LIGA기술..PAGE:19패키징최종제품의 성능과 신뢰도를 좌우하는 요인비용면에서는 전체 비용의 60%이상을 차지하는 매우 중요한 공정웨이퍼 접합 기술실리콘 ... 웨이퍼끼리 혹은 실리콘 웨이퍼와 다른(주로 수정 및 유리)웨이퍼를 밀봉접합 시키는 기술패키징 설계 기술칩 크기, 핀의 구조 및 위치, 소자보호 재료, 공정 등을 고려해야 하며 설계

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.09

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미리넷솔라 기업 분석

보국제전기기술위원회_의 안전품질인증 등 3대 국제인증을 모두 획득했으며, 폴리실리콘 생산부터 잉곳, 웨이퍼, 태양전지, 모듈, 설치까지 모든 공정을 일관 수행할수 있는 수직계열 ... - 태양광 기술개발 및 보급전담-태양광 통합기술개발을 통한 가격저감 목표 추진-기술기발 - 공정기술 개발 - 실용화 개발1993년○뉴션샤인 계획으로 변경 - 적극적 보급사업 추진-주로

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.04 | 수정일 2016.08.08

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우주선 동력전달부의 내마모 특성을 향상시키기

의 표면으로부터 수 ㎛ 이내의 범위에 있는 재료에 대해서만 적당한 공정을 통하여 재료의 표면 성질을 바꾸어 주는 것을 말한다. 표면개질을 통하여 우주선의 동력 전달부의 내마모성 특성 ... 의 표면에 충돌시킴으로써 이온들이 타깃 재료에 들어가 박히도록 하는 공정을 일컫는 것으로 원래 마모, 부식환경, 태양 광선 등으로부터 재료를 보호하기 위한표면 처리의 한 방법으로 사용 ... 의 양)를 조절하면 주입되는 이온들의깊이 수를 제어할 수 있으며, 이에 대한 재현성이 좋다고 알려져 있다.이온 주입은 열역학적으로 비평형 공정(non-equilibrium

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.31

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[공학]반도체 공정중 포토 공정

다. 보통 반도체 공정에서는 기판(웨이퍼)표면에 PR을 도포한 후에 그 위에 회로 패턴이 새겨져 있는 마스크를 접촉시키고 파장을 쏘이는 것이다. 그렇게 되면 마스크의 패턴에 따라 ... 리소그래피, X선 리소그래피가 있는데 이번 실험에서는 포토 리소그래피에 대해서 알아보았다. 포토리소그래피는 기판(반도체 웨이퍼) 위에 감광성질을 가지고 있는 포토레지스트 ... - 리소그래피 공정에서 사용되는 화학 재료 중 핵심에 해당하는 것으로서 설계된 반도체 회로를 기판위에 전사할 때 특정한 파장에 따라 달리 감응함으로써 미세 회로 패턴을 형성할 수 있

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.25

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[공학]에피택셜 성장 epitaxial growth 에피택시

Phase Epitaxy) 4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)Epitaxy -정의웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 단결정 막을 기르는 기술 에피택 ... 셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 함 ( 소자에의 응용을 위한 결정성장방법 중의 하나는 단결정으로 이루어진 웨이퍼 상에 얇은 박막결정을 성장 ... 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자 및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하겠다. Cf) 에피택시 공정 중 MBE법은 초고진공

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.20

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Czochralski method

Czochralski methodCzochralski 약력 Cz method 원리 Cz method 공정 응용분야차 례1885년 폴란드 태생 1900년 베를린으로 이주 1907년 ... AEG 근무Czochralski1916년 Cz method 개발 1929년 바르샤바 기술대학 1953년 사망Czochralski성장 공정은 1412℃ 이상 유지. 진공상태 필요 ... )DopantN –type 반도체DopantP-Type : 3가 원소(B)DopantP –type 반도체DopantCz methodCz methodIngot부 품단결정 주괴 Wafer

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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가설검정

된 잉크의 평균수명은 600매 이상인가? A 공정 설비에서 생산된 wafer의 평균 수율은 98.5%이상인가? B 제품의 시장불량률은 3%이하인가? 주장하는 가정 새로 도입한 포장기계 ... 이상 떨어진 값은 취하지 않음 평균과 표준편차가 같은 두개의 다른 정규분포는 존재하지 않음정규분포곡선정규성 검정어디에 사용하는가 ? - Measure 단계 : 공정능력 분석

리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.08.20

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[경영학]삼성 반도체의 모든 것

들은 공정기술을 축적 → 경쟁우위를 확보 → 점차적으로 설계기술력축적 → 제품혁신으로 나아가는 패턴 비 메모리 시장에서는 선진국과 상당한 격차를 보이고 있는 실정 원천 기술 미확보에 따른 ... 을 위주로 하는 제품전략을 채택 1983년 7월 마이크론 테크놀러지로부터 64K DRAM 설계 기술에 대한 라이센스 계약을 맺음 Zytrex로부터 210만 달러로 공정설계 기술 ... 문제4. 시스템LSI 사업을 강화 배경우리나라의 비 반도체 수입 의존도 심각 Ic-60%, 웨이퍼 상태의 반제품 28%, 개별 소자가 10.5% 2002년 휴대폰 비메모리 반도체

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.22

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[공채합격자소서] LS 전선의 하네스 생산관리직군의 12년 하반기 공채 합격 자소서입니다.

자수:EX) 1. 경력회사명(근무기간) 담당직무 : 구체기술2. 경력회사명(근무기간) 담당직무 : 구체기술1. 삼성SDS(3개월) - 반도체 공장에서 웨이퍼들의 공정에 대해서

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.02

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삼성전자반도체사업환경분석

에 컴퓨터의 캐시 (cache), 전자오락기 등에 사용 V 램 화상경보를 기억하기 위한 전용메모리 비휘발성 (ROM) Mask 롬 제조 공정시 고객이 원하는 정보를 저장 전자게임기의 S ... Matrix 비메모리 시장 본 론 2006. 03 세계 최초로 80 나노 급 512Mb DDR2 대량 생산 2006. 07 60 나노급 공정 기술을 사용한 8Gb NAND 플래시 대량 ... 생산 및 업계 최고의 집적도로 8GB NAND 플래시 메모리 디바이스 개발 발표 2006. 08 80 나노급 공정 기술을 사용한 1Gb DDR2 메모리 최초 대량 생산 2006

리포트 | 51페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.07.26

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[반도체]ic 칩의 제조공정과 반도체산업의 미래와 현재

)서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 DIFFUSION(확산)공정에 의해서도 이루어짐12단계 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정 ... GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정13단계 금속배선(METALLIZATION)웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선 ... 으로 연결시키는 공정14단계 웨이퍼 자동선별(EDS TEST)웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별하는 공정15단계 웨이퍼 절단(SAWING

리포트 | 17페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.03.11

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[반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

접합 기술(Wafer Bonding Technique) 란- 웨이퍼 접합은 CPU, DSP와 같은 논리소자와 메모리 또는 논리소자와 아날로그 부품, 다양한 통신용 칩과 RF부 품 ... 의 형성가능- 게이트의 누설전류를 줄일 수 있음- 낮은 소비전력으로 매우 빠른 소자의 동작이 가능웨이퍼 생산? 반도체 웨이퍼 제작 공정은- 실리콘 혹은 화합물 반도체 원재로에서 잉곳 ... 을 만드는 공정과 잉곳에서 웨이퍼를 만드는 공정, 만들어진 웨이퍼 를 검사하고 포장하는 공정으로 나뉜다.- 잉곳 제작 공정① 재료준비② 단결정 성장: 단결정 덩어리를 잉곳이라하고 초크랄스키방법과 부유대역방법이 있다.③ 연삭- 웨이퍼 가공공정① 절단② 모서리 가공

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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