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"웨이퍼공정" 검색결과 1,961-1,980 / 2,701건

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  • 2014년 한국의 4대 유망 수출산업
    하고, 공정기술에는 전자․화공․정밀가공 등의 복합기술이 필요함○ 반도체 생산에 거대한 자금을 필요로 하는 자본집약적 산업- 300mm 직경의 웨이퍼(Wafer)를 처리하는 Fab의 구축
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.28
  • 반도체공정 (Deposition & Evaluation)
    vapor deposition)Epitaxy정의물리적 힘에 의해 대상물질 을 기판에 증착하는 것반응기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착하는 방법단결정 실리콘 웨이퍼표면에 고 순도 결정체 ... impurityUsing toxic gasHardware complexityUsing toxic gas (VPE)Grow rate is too late (MBE)적용공정Ti, TiN ... 는 전형적인 RF 진동수 범위인데 특히 13.56 MHz이 많이 사용된다. 그 이유는 이 진동수가 국제적으로 plasma 공정에 허용되었기 때문이다. Plasma의 발생 및
    리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27
  • [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산
    접합 기술(Wafer Bonding Technique) 란- 웨이퍼 접합은 CPU, DSP와 같은 논리소자와 메모리 또는 논리소자와 아날로그 부품, 다양한 통신용 칩과 RF부 품 ... 의 형성가능- 게이트의 누설전류를 줄일 수 있음- 낮은 소비전력으로 매우 빠른 소자의 동작이 가능웨이퍼 생산? 반도체 웨이퍼 제작 공정은- 실리콘 혹은 화합물 반도체 원재로에서 잉곳 ... 을 만드는 공정과 잉곳에서 웨이퍼를 만드는 공정, 만들어진 웨이퍼 를 검사하고 포장하는 공정으로 나뉜다.- 잉곳 제작 공정① 재료준비② 단결정 성장: 단결정 덩어리를 잉곳이라하고 초크랄스키방법과 부유대역방법이 있다.③ 연삭- 웨이퍼 가공공정① 절단② 모서리 가공
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28
  • LCD 제작 공정
    과 매우 유사하며, 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용한다는 점에서 반도체와 다르며, 반도체 공정은 1,000℃ 정도의 공정 ... L C D조원 소개최 원 열 A019184 김 종 욱 A119022 김 우 진 A119016 홍 주 형 A292040TFT Fab. ProcessTFT 공정은 반도체 제작 공정 ... 온도를 갖는 반면 TFT 공정은 유리기판을 사용하기 때문에 300 ~ 500℃의 공정온도를 유지해야 하므로 오히려 반도체보다 까다로운 기술이
    리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.03
  • 반도체
    단계가 넘는 무수히 복잡한 공정을 거쳐 비로소 한 개의 반도체가 탄생한다는 것을 알 수 있다.(1) 웨이퍼 제조 및 회로 설계ⓐ 단결정 성장 : 고순도로 정제된 실리콘 (규소) 용액 ... .③ 반도체에 미량의 불순물을 첨가하면 반도체는 그 불순물의 종류와 농도에 따라 전류의 흐름을 변화시킨다. 반도체 제조공정에서 불순물을 주입하는 것은 이 때문이다.④ 반도체에 금속 등 ... 과정반도체 제조 과정을 크게 3단계로 나누어진다. 첫 번째는 웨이퍼 제조 및 회로 설계, 두 번째는 웨이퍼 가공, 마지막으로 조립 및 검사들이다. 하지만 작게 분류해 보면 3백
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.09.12
  • 포토레지스트와 diels-arder 반응
    네가티브형 미세화상의 패턴을 얻게 된다.마스크로부터 포토레지스터(PR:photoresist) 라고 불리는 광민감성 물질을 덮음. 포토레지스터로부터 웨이퍼 표면의 장벽층 으로 패턴 ... 을 옮기기 위해 화학 또는 플라즈마 식각을 사용. 마스크로부터 웨이퍼의 표면에 패턴을 옮기는 모 든 과정. 2가지의 상태 (Positive and Negative)Photo ... 적도 반도체 제조공정에 주로 쓰이고 있다.ITO(indium tin oxide : 투명 전도체)ITO : TCO(transparent Conductive Oxide)중에 하나인데 심한
    리포트 | 8페이지 | 37,000원 | 등록일 2007.06.23 | 수정일 2024.04.30
  • 반도체 산업
    3. PerformanceIV. 앞으로의 발전방향1. 한국의 반도체 산업의 평가2. 국내 반도체 전망3. 향후 과제1) 비메모리 반도체 생산 기반 설립2) 후공정(패키지 & 테스트 ... 꾸준히 성장해 온 DRAM시장 80nm 설계 기술을 적용하는 데 성공했다. 그 이후 90nm 및 80nm 공정 기술을 사용하는 고용량 DRAM 디바이스의 판매 증대와 60nm ... 공정 기술을 사용하는 NAND 플래시 메모리의 시장 점유율 강화에 전념했다.- 그래픽 DRAM, 독점 기술의 OneNAND™(NOR의 빠른 읽기 능력을 NAND의 용량과 에서 부동
    리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.08.05
  • 태양전지의 기술개발현황과 향후연구과제설정
    은 효율을 달성할 수 있으나 고가이다. 다결정 재료는 상대적으로 저급한 재료에 저가 공정을 이용하여 생산비는 낮으나 단결정에 비해 효율이 낮다. 단결정 실리콘을 사용한 전지는 집광 ... 전지의 연구가 활발히 진행 중이다.? 박막형 태양전지 (Thin Film PV)박막형 태양전지란 유리, 금속판, 또는 플라스틱 같은 저가의 일반적인 물질을 기판(웨이퍼)로 사용 ... 는 박막형 태양전지는 기존 실리콘 웨이퍼 태양전지의 1/100 크기로 대면적의 태양전지를 대량으로 생산할 수 있는 게 가장 큰 장점이다. 그러나 박막형 실리콘 태양전지가 현재
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.12.28
  • MEMS 사례발표(DLP)
    한다.포장 공정은 분리를 쉽게 하려고 깊이 새겨 넣은 선을 따라 wafer가 조각조각 자르는 것부터 시작한다. 조각조각 잘려진 부분과 깨끗한 wafer는 DMD mirror과 yoke ... 하여 최대 조건으로 시험을 한다.최종적으로 chip들은 wafer에서 분리되고, plasma 세척으로 윤활물질을 제거한 후에 밀봉 포장된다.3.6.1 IC와 MEMS의 제조공정과 비교 ... DMD의 종류3.4 DMD화소의 구성3.5 DMD의 작동원리3.6 DMD의 제작법3.6.1 IC와 MEMS와 DMD 제조 공정의 비교4. DMD의 다른 적용 사례5. DMD의 기술
    리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.07.06
  • SEM HEM
    성장은 양호한 편이다.또한 박막 내의 결함을 단면 측정으로 관찰할 수 있다. Si-wafer 위에 GaN를 성장하면 기판으로 사용한 Si-wafer를 간단한 화학적 습식 에칭 ... 을 통해 제거함으로써 free-standing GaN를 얻기 위해서 레이저 lift-off를 사용하거나 Lapping 등의 공정을 하지 않아도 된다는 장점이 있다.? HEM(Hall
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.08.25
  • E-Transformation 사례
    를 가장 잘 보여주는 사례는 반도체 제조 공정의 핵심 재료인 웨이퍼 전문업체 LG실트론에서 찾아 볼 수 있다. LG실트론의 IT화·e비즈니스화 사례는 제조업과 e비즈니스의 조화·융합
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.02
  • MOCVD의 구성 및 원리
    적 성분들이 기판 위에서 화학 반응에 의해 박막을 형성하는 공정CVD?MOCVD (Metal-Organic chemical vapor deposition)- 기본적으로 CVD공정 ... + H = H2wafer surfacemass transportto the surfaceby diffusionatomic stepHHHAsCH3GaCH3CH3
    리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24
  • 반도체 공정 기술-lift off
    그림 1(a) etching(감법) 과(b) lift-off(첨가) 방법의 비교Lift-off공정이란 반도체 공정중 Etching(식각) 공정중에 일반적인 etching을 사용 ... 2(a) 바이폴라(b) MOS 소자에서 실리사이드접촉의 사용을 보여주는 소자 단면도이 공정기술은 가장 간단한 패턴 형성 공정 기술이며 융점이 낮은 금속등의 패터닝을 형성할 때 적용 ... 가능하다. 또한 이 공정에 의한 금속막의 형성은 그 금속이 습식이나 건식방법에 의해 식각되기 어려운 경우에 주로 이용되는데, 1960년대에 전자선 리소그라피의 출현과 더불어 개발
    리포트 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.01.10 | 수정일 2017.03.21
  • 마이크로 표면측정
    °를 기준으로 90°이거나 낮다면 낮은 접촉각으로 친수성으로 분류하고, 90°보다 높다면 소수성으로 분류한다. 이를 바탕으로 실험을 통해 얻어진 데이터를 살펴보면 Si(실리콘 웨이퍼 ... 하기 까지 일부를 이온화, 이온이나 여기입자, 중성입자 등을 공작물에 부착 시킨다. PVD의 종류로는 진공증착, 이온 플레이팅, 스패터링이 있다. 이들 공정도 처리온도가 600도 ... 보다 낮기 때문에 처리 공정에서의 변형을 억제 할 수 있다. PVD 중에서도 공업 적으로 적용이 풍부한 것은 이온 플레이팅이다.이온 플레이팅은 증발한 입자를 이온화 하고, 전압
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.24
  • MCM multichip module
    환경으로 연결시키기 위한 스케일업. • 패키징의 전형적 공정: 회로가 가공된 웨이퍼상 칩을 절단한 후 리드프레임에 접착시키고 다이의 회로단자와 리드 사이를 골드 와이어로 전기 ... Multi-Chip Module (MCM)Functional SiC Lab.발표자 : 임 광 영 학번 : G200739502▪ 패키징 기술 분류 및 발전• 웨이퍼 상의 칩 가공 ... : 0차 레벨 패키지라고 하며 이로부터 각 단계별로 차수를 올리며 각각의 기술을 분류.• 이중 칩 패키징: 웨이퍼상의 칩과 하부구조의 PCB(2차레벨 패키지)을 연결시키는 기술
    리포트 | 40페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.27
  • 반도체 시장 분석
    력의 차별화가 가장 중요한 핵심입니다. 이러한 기술력의 차이를 위해 원가절감을 위한 미세공정전환과 웨이퍼 크기 확대를 지속적으로 추진함에 따라 제조공정기술이 급속히 발전하여 반도체
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.30
  • lithography
    에 전압을가해 산화막을 형성하는 기술.1.목적:마스크 패턴을 웨이퍼로 옮기는 과정2.종류: 광사진식각, E-beam사진식각, X-선사진식각①광사진식각:광을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼 ... 으로 마스크 제작이 어렵다.3.공정순서: 표면처리->PR코팅->소프트베이크->정렬,노출->현상->하드베이크->식각->PR제거4.감광제① 용제: 감광막을 용해시킬 때 쓰이는용액② 다중체 ... )산소와의 반응음성 감광막은 산소와의 반응을 막기 위해서 질소 기체가 있는 분위기에서 노출 되어야 한다. 그 반면에 양성 감광막은 산소와 반응하지 않으므로 마스크와 웨이퍼가 직접 닿
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.07
  • 판매자 표지 자료 표지
    Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션) - 대본
    저항이 낮고 공정재연성이 우수.1. Sequence① 웨이퍼의 표면을 가열② AuGe가 녹으면서 alloy 가 시작.(Ge 이 GaAs 로 확산)1) 확산도는 니켈 또는 표면 ... 한 이온주입 또한 고농도 도핑이 가능하나 비용, 과정상의 문제로 잘 사용되지 않는다.), Ge이 wafer 로 확산되어 Dopant와 같은 역할을 함.3. Equipment- E
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17
  • 태양전지효율
    성을 가진다.2007.10.30○박막형 태양전지의 제조공정박막형은 실리콘 웨이퍼를 사용하지 않기 때문에 제조 공정이 완전히 다르다. 원료 가스 분해 실리콘 증착 PN 접합 형성 ... 는 시장의 규모나 생산기술에 의존하는 경향이 크고 변환효율은 새로운 구조, 재료, 공정, 이론 등의 발전에 의존하는 경향이 크다. 변환효율의 한계성에 대한 인식이 명확해지면서 여러 ... 과 전도성을 가지므로 실용적인 투명 전도막 재료로 유망하다. 진성 ZnO의 전기적인 성질은 거의 부도체에 가깝기 때문에 전도성의 부여하기 위한 별도의 공정이 필요하다.2007.10.30
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.06
  • MCP (MultiChip Package)
    년5월)하이닉스 24단 MCP (2007년9월)MCP의 향후전망MCPSCSP (Stacked-Chip Scale Package)WLCSP (Wafer Level CSP)MCM ... (Multi Chip Module)참고문헌-반도체 공정 및 장치기술 이형옥 저/상학당/2005 -반도체 패키지와 인쇄회로 설계 김경섭 저/삼성북스/2003 -집적회로 공정 및 설계 ... 류장렬, 이상흥 공저/홍릉과학출판사/2002 -차세대 시스템 모듈의 공정기술 연구개발 동향 전자부품연구원 수석연구원_박종철 공학박사 -http://www.eic.re.kr{nameOfApplication=Show}
    리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.21
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2025년 05월 23일 금요일
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