"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 리소그래피 삼성전자 경력 wafer priming 반도체 8대공정

"웨이퍼공정" 검색결과 2,101-2,120 / 2,702건

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[반도체공학] 반도체 공정 및 스퍼터링

★ 7. 감광액 도포 (Photo Resist Coating) 빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킴. ★ 8. 노광(Exposure)공정 노광기 ... (Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍음.반도체 제조 공정 7★ 9. 현상(Development)공정 웨이퍼 ... 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킴.반도체 제조 공정 8★ 10. 식각(Etching)공정 회로패턴을 만들어주기 위해 실리콘 웨이퍼 표면의 산화막을 부분적으로 제거하는 기술

리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.05

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삼성반도체 성공전략

보드 실장조 립신규 공정기술, 장비, 재료 등기존기술의 웨이퍼처리 공정제 조설계기법, IP 등 개발논리합성이나 레이아웃 등 백엔드 분야설 계반도체 개발 및 양산영역반도체 양산영역 ... . 6) - 일관생산체제 확보(웨이퍼의 가공, 생산 및 IC의 조립생산) 3. 트랜지스터 같은 단순한 부품을 제외한 대부분의 부품은 일본에서 수입시작 요인반도체 연구소 설립 및 반도체 ... 과 연계 차세대 기술 및 제품 개발에 집중② 단기(2~3년) 성장 가능 제품군 : PDA용 시스템온칩(SoC), 무선랜, 광디스크 등  공정기술개발과 생산성 향상으로 가격 경쟁력 확보

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.11

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[전자재료]CVD란?

며, 피복층의 성장 속도를 자유롭게 조절할 수 있다는 특징으로, 현재 다양한 산업에서 널리 사용되고 있다. 또한 단결정 혹은 다결정 실리콘 웨이퍼 위에 도핑 에피층을 형성 ... 생성되며, 가열된 웨이퍼 기판 표면에서 물질과 반응하며 증착이 이루어 진다.증착과정을 단계적으로 설명하면 아래와 같다. 먼저 주입가스가 증착 될 기판 표면으로 이동하는 단계 ... 를 지나 표면확산 및 반응으로 증착 될 물질이 핵생성 되며 성장하는 단계를 거쳐, 최종적으로 휘발성 부산물이 외부로 제거되는 단계를 거친다. 이러한 CVD공정에 의해 형성된 박막의 두께

리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.08

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[단위 공정]에 대하여

- Metalization식각 공정 - Etching이 단위 공정을 정해진 순서에 맞추어서 차례로 진행해야만 원하는 회로 구조체가 얻어지게 됩니다Silicon Wafer 의 준비반도체 제조공정 ... 는 통일하는데 아주 중요한 변수입니다. wafer가 공정장비 안에서 아주 정밀하게 조절되어야 하기 때문에wafer의 직경의 크기가 일정하도록 하는 것이 중요합니다.공정장비의 기계 ... 단위공정단위 공정 하나만으로는 반도체 집적회로가 만들어지지 않습니다. 각기 다른 여러 가지의 단위 공정을 순서에 맞게 진행해야 원하는 구조와 회로 특성을 얻을 수 있습니다.이것

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.25

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[반도체공정]식각공정

(photolithography) 공정이라 한다. 이중 사진공정은 마스크(mask) 상의 기하적 모형(pattern)을 반도체 웨이퍼의 표면에 도포되어 있는 얇은 감광재료(photoresist)로 옮겨 ... 놓는 것을 말한다. 이 모형들은 다음 단계인 식각(etching) 공정때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 박막층을 식각으로부터 보호해 주는 역할을 한다.사진공정은 크 ... 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)으로 구분되는데, 이중 습식 식각 공정은 일반적으로 식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣어 액체-고체(liquid-solid

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.29 | 수정일 2025.01.21

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화합물 반도체

목차1. 정의2. Si 반도체와 차이점3. 종류4. 제조공정 및 장비5. 응용6. 느낀점1. 정의○ 화합물 반도체의 개념화합물을 가지고 반도체를 만든 것. 반도체란 전기저항 ... , HEMT, and Laser Diode등에 이용 가능함-장점동작 속도가 3 ~ 10배 빠르다출력 및 소모 전력의 성능이 5 ~ 6배 효율적임고주파 특성을 갖는 소자의 제조 공정 ... 기술이 진전되면서 실리콘보다 저가격의 실현이 가능함-단점웨이퍼 가격이 높음기계적 강도가 낮아 웨이퍼의 대구 경화가 어려움생산 기술이 성숙되지 못하고 각 제조 회사들의 독자적 개발

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.02

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[반도체공정]반도체공정

1산화(Oxidation) 공정실리콘 웨이퍼 표면을 산화시키는 공정을 산화(oxidation)라고 하며, 웨이퍼 표면에 형성된 산화 실리콘 층을 산화층 또는 산화막이라고 부른다 ... 웨이퍼 표면에 열 에너지를 이용하여 불순물 원자를 표면 안으로 주입시켜서, 웨이퍼 내부와 상이한 불순물 분포층을 형성하는 공정을 확산(Diffusion)이라고 한다.확산 공정은 선 ... 이브-인은 선증착된 웨이퍼 표면에 불순물의 양을 온도와 공정 시간을 조절하여 최종 접합 깊이와 농도 분포를 얻는 단계를 말한다. 확산 공정은 웨이퍼 표면에 수직적으로 확산할 뿐

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.23 | 수정일 2025.01.21

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[경영학]하이닉스 기업분석

의 낮은 국산화율 - 반도체 재료 : 60% 수입의존 - 실리콘웨이퍼 : 30% 국산화율 무리한 차입에 의한 투자 , 경영사업 영역 하이닉스 시장 지위 시장 점유율 SWOT 분석 ... 분석 2. 영업분석 세계 최고 수준의 공정기술 보유 DRAM 시장에서의 세계적인 경쟁력 제품의 신속한 개발 및 출시 능력 디지털 컨버젼스의 가속화로 반도체 수요증대 선도 시스템 내

리포트 | 49페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.11.22

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Epitaxial growth

하게 제조할 수 있음 현재 상업적으로 가장 많이 활용되고 있는 박막 제조 기술 IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위 공정ClassificationCVD증착되는 박막의 순도 ... 가 높음대량생산이 가능하고 비용이 적게 듬여러가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능공정조건의 제어범위가 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있음장 점 ... 질이 우수 국부적인 지역에 선택적인 증착이 가능 동시에 많은 웨이퍼 처리 - 문제 발생시 많은 손실 야기ClassificationCVDLPCVDClassificationCVDAPCVD원자

리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.12

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일본 전자업체의 중국 직접투자전략

하고 이를 일본 기업이 10여개 이상 진출해 있는 대규모 단지인 無錫新區工業園區로 이전했다. 더불어 江蘇省의 南通富土通微電子에서도 2003년 5월에 반도체 후공정을 담당하는 신공장 ... 웨이퍼 환산)을 확보하고 있다.전용부지의 확보지금까지 도시바는 계열 기업들이 개별 진출하는 형태를 취해 왔으나, 그룹 공동의 제조거점을 마련하기 위하여 그룹 전용 부지를 확보 ... 카메라 등에 사용되는 뷰파인더(EVA)용 고온 폴리실리콘 TFT 액정 디스플레이(H-LCD)등의 조립을 담당하는 後공정 거점이다.이 LCD生産棟은 소니가 추진하는 EMCS

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.02

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정문술 ` 왜 벌써 절망 합니까?` 를 기반으로 미래산업 분석

된 기술자의 육안 검사보다 4배 정도의 시간 소요테스트 핸들러테스트 핸들러는 반도체 제조 후 공정에서 패키징을 마친 칩들을 검사장비로 이송하는 기능을 하는 장비 기회 - 무인 웨이퍼 ... - 매출 억 단위 달성 - 반도체 업체로서의 기반 확립직접회로 리드프레임 매거진(1984)무인 웨이퍼 검사 장비반도체 소자의 하나인 웨이퍼 검사를 자동화하는 기계 기회 - 당시 ... 반도체 소자의 까다로운 공정과정으로 인력과 시간 낭비 → 무인 검사 장치 개발 시 막대한 수요 예상 1985년 『DS코리아』설립 - 아서 테일러의 기술과 정문술의 투자로 이루어진 합작

리포트 | 29페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.22

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태양전지의 연구 동향

의 공정을 사용하여 16% 이상의 고효율을 달성하기 위한 노력이 진행되고 있다. 특히, 게더링 (gettering) 과 결함 패시베이션 (passivation) 을 통해 변환 효율 ... Etching) 법으로 표면을 텍스쳐링시켜 고효율을 달성시켰다 [7]. 수소를 포함하고 있는 실리콘 질화막 (SiN:H) 은 금속 접촉을 위한 열처리시 웨이퍼 속으로 확산하여 벌크 내

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.12

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하이닉스 기업분석

하였으며, 그 뒤를 이어 NAND Flash와 NOR Flash가 각각 20%와 15%를 차지하였습니다. DRAM 산업은 공정기술 미세화 및 제품 설계 기술력에 의한 Wafer 당 Net ... 성이 증가하고 이는 결국 향후 메모리 반도체 공급 증가를 제한하는 원인이 될 것으로 보고 있습니다. 12인치 웨이퍼 팹(Wafer Fab)을 건설하는 비용도 8인치에 비해 크게 높 ... , 임대 및 관련 서비스업-. 전자상거래 및 인터넷 관련사업3.주요연혁2007. 07 공정거래 자율준수프로그램 도입2007. 04 청주 신규 300mm 공장 착공2007. 03 김종갑

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.01

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표면실장기법과 표면실장소자의 종류, 장단점

에도 강하다.CSP(Chip Size Package)는 웨이퍼 상태에서 그대로 반도체 조립의 최종 공정까지 처리하여 입방체화 한 것을 말합니다. FBGA가 이런 형태에 속한다.SMD ... , 커패시터)와 능동소자(트랜지스터, 다이오드)등의 부품을 기판 위에 실장하는 기술로, 전자기판 위에 부품을 올려놓는 공정이나 시스템을 말한다.현재, SMT를 채용하고 있는 전자기기 ... - 공정의 시스템화로 인한 집중적인 투자경비 필요- 표면실장기법을 적용하려면 많은 새로운 공정을 배워야 함표면실장기술의 분류실장기판의 조립은 두 가지(Type 1, Type 2)로 분류

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.07

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반도체, 자동차, 조선 산업의 2007 전망

를 지닌다.- 국내 업체들의 주력 분야인 메모리 IC의 경우 비메모리 IC에 비해 상대적으로 낮은 진입장벽과 빈번한 수요 불균형 현상이 발생하므로 가격의 급등락이 심한 편이다.- 공정라인 ... 하였으며, DRAM 출하액은 12.5%가 메모리 반도체 시장의 성장이 전체 반도체 시장의 성장을 견인하였다.- 주요 반도체 업체들은 증산효과와 원가절감을 위해 90nm 이하 공정과 12 ... 인치 웨이퍼 라인에 대한 투자를 지속하고 있다. 12인치 웨이퍼의 경우 기존 8인치 웨이퍼와 비교하여 단위 웨이퍼 당 2.26배분량의 칩 생산이 가능하다.- PC 시장의 정체

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.02.11

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10년후 자신이 경영할 회사소개및 경영 비전과 로드맵

고주파 부품 연구개발 (재료·설계·공정 및 측정평가에 이르기까지 Total Solution 제공)→ 신소재, 신기능 부품 연구◎ 신소재, 신기술 융합부품 연구에 주력하여 미래 ... 제품과 유비쿼터스를 접목시켜 미래 생활에 바탕이 된다.- 기술/특허/제품⇒ 기술◎ 다이아몬드 웨이퍼 제작 기술인조 다이아몬드의 용도를 폭발적으로 확장시켜, 실리콘을 대체할 다이아몬드 ... 웨이퍼 칩을 개발1. 실리콘 반도체보다 열전도가 좋아 열 방출이 쉽다.2. 반도체의 수명이 연장된다.◎ 초소형 피코 칩그 이상의 가공기술은 없을 거라고 확실시되던 나노(Nano

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2008.12.25

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LCD 열분포 해석

다. 새로운 화합물 및 형광체의 발견과 화합물 제조 등 공정의 개선이 주된 기술혁신 분야로 니치아의 나카무라 슈지가 고효율 청색 LED를 상용화한 비결은 질화갈륨을 질소 대기중 ... 에서 가열하여 전자의 흐름을 개선한 프로세스 발견하여 기존 2, 3인치 웨이퍼를 대체하는 4인치 웨이퍼가 활용될 것이다.응용분야가 현재의 휴대폰 위주에서 디스플레이 백라이트, 자동차

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.14

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ITO,ITO glass,,박막 증착 기술,전착(electro deposition)

코팅기술 덕분이다.TN/STN 용 Coating Glass[ITO 코팅 GLASS 특성]1. 원판 GLASS의 Surface를 Fine-polishing 공정에 의해 200A ... 에 충돌, 부착막이 생긴다.CVD증착하고 싶은 필름을 가스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 가스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다.장점 : 고순도 film 형성 가능, 재료 ... process를 통하여 절연막을 형성하는 기술로서 평탄화 능력이 아주 우수하다. 반도체 공정에서 쓰이고 있는 대표적인 재료로서 SOG( spin on glass )와 polymide 수지막이 있다.

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.20

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반도체공정실험 예비보고서 (식각)

도 플라즈마 소스의 종류에 따라 붙여지게 되는 것이다.4-2> 반도체 공정반도체 제조공정을 간략하게 요약하면, 아래와 같이 나타낼 수 있다.① Wafer 생산- Si Wafer 생산 ... 공정)- 회로가 있는 기판(mask)을 Wafer에 옮기는 과정④ Etching(식각공정)- 미리 입힌 박막을 깍는 과정⑤ Lead bond and Test- 선연결 및 테스트 ... 로 유리판 위에 그려 마스크를 만듦산화공정고온(800～1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 반응시켜 얇고균일한 실리콘산화막(SiO2)를 현상시키는 공정▽감광액 도포빛

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.30

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삼성전자 - 기업소개 / 분석 / 역사 / 마케팅전략 / 경영전략 / 해외진출 전략등등 분석

전자-獨실트로닉 합작사, 300mm 웨이퍼 생산 개시,9분기 연속 'LCD 1위', 全협력사와 공정거래 협약 체결, 삼성 휴대폰,미국서 1억5천만대 판매 돌파, 2008 베이징 ... -TSMC, 450mm 웨이퍼 전환 협력,82인치 120Hz UD급 LCD 개발, 이윤우 대표이사 부회장 취임, TV업계 최초 20% 점유율 돌파,'옴니아(OMNIA)폰' 출시, 삼성

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.11.15

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