"Polymer etching"의 검색결과 입니다.

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photolithography 반도체8대공정 photo 공정 점도평균분자량 포토레지스트 ito patterning PLED 소자제작 Soft lithography

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"Polymer etching" 검색결과 81-100 / 162건

반도체공정기술

는데 패턴과 현 마스크 패턴을 정확하게 중첩하는 것.·BAKE:감광제 도포후 열에 굽는 것으로 ETCH나 DEVEROP시 감광제의 접착력을 증가시키기위함인데 HARD와 SOFT ... 은 Polymer,Solvent,Sensitizer로 대표되며현상되는 형태에 따라 양성과 음성으로 나눈다.양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우 ... Polymer에의해서 특징 지워진다.미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이좋으며 내선성이 좋고 자외선등에 대해 감도가 좋아야 한다.종류

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.12

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Photolithography

에 실리콘 산화막을 식각(etching)하면 감광제가 보호막역할을 하기 때문에 감광제가 없는 부분만 식각이 된다. 마지막으로 본연의 역할을 수행한 감광제를 제거하는 공정으로 사진식각공정 ... 들로는 점성계수, 다중체(polymer)함량, 회전 속도와 가속도 등이 있다. 점성 계수는 감광제 박막의 두께를 결정하는 가장 중요한 척도로, 반도체 공정에 쓰이는 대부분의 감광제 ... 은 소프트베이크 공정보다 높은 온도에서 실시한다.⑤ 식각 (Etching)패턴된 감광제를 보호막으로 삼아서 패턴하고자 하는 막을 식각할 때에는, 보통 감광제를 녹이지 않으면서 해당

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.09.26

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[OLED, LED] Photolithography를 이용한 ITO Pattern 제작

공정 비교- Lift off 고정Lift-off공정이란 반도체 공정중 Etching(식각) 공정중에 일반적인 etching을 사용하지 않고 패터닝(patterning)하는 경우 ... 원하지 않는 PR부분도 씻겨져 나가 pattern의 정확성이 떨어진다.③ etching시간이 금속 pattern에 미치는 영향용액인 etchant에 금속을 넣으면 금속이 산 ... 할 수 있는 부분이 계속 생겨난다. 그러므로 etching되길 원하지 않는 PR아래의 금속부분도 etching되어 제거된다.위 그래프에서 보듯, 화학평형에 도달하기 전까지는 반응

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.19

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OLED_PLED_제작

Molecular Orbital)를 갖는 물질을 사용하게 된다.- 발광재료의 분자량에 따라 고분자 물질과 저분자 물질로 나뉘며 통상 고분자를 사용하는 경우는 PLED(Polymer ... 하는데 가장 많이 적용된다.4) OLED 공정- Dry Etching : 건식 식각은 웨이퍼 표면에의 이온 충격에 의한 물리적 작용이나, 플라즈마 속에서 발생된 반응 물질들의 화학 ... 작각이 어려운 물질이 있다.(Cu, Pt)- Wet Etching : 식각 용액(액체)에 웨이퍼를 넣어 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.17 | 수정일 2016.02.03

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DNA chip

및 독성 검사 개인별에 맞춤 약 개발MEMS3. DNA chip에 필요한 기술DNA 기판 : 반도체 가공기술의 응용 Lithography Etching DNA 분자의 부착 Pin ... 를 photolithography 기술과 VLSIPS(very-large-scale immobilized polymer synthesis) 기술을 이용하여 glass 위에서 바로 합성 빛

리포트 | 20페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.12.08

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PDMS 패턴 예비

master 및 molding, etching 등의 산업적으로 기본이 되는 공법과, SAMs (Self-assembled monolayers, 자기조립단분자막)을 이용하여 비용 ... 를 몇 달동안 사용해도 변형되지 않을 정도로 매우 내구성이 강한 물질이며 표면에너지가 낮기 때문에 다른 polymer를 몰딩할 때 잘 달라붙지 않아 쉽게 본을 뜰 수 있다. 표면

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.19

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14E-beam_lithography_&_Imprint

리소그래피에 사용되는 마스크에 비해 훨씬 값싸게 패턴 원판을 제조 할 수 있다. 일반적으로 폴리머 스탬프(Polymer Stamp)로 명칭되는 양각(positive copy)법과 임프린트 ... 법이나 Molding으로 불리는 음각(negative copy)법의 두 가지 방식으로 이루어짐.폴리머 스탬프(Polymer Stamp)폴리머 스템프란 원하는 패턴만을 남긴 채 ... 하여 패턴이 있는 스템프를 접촉시킨 후 압력을 가한다. 냉각시켜서 유리전이온도 이하의 온도에서 스템프와 기판과 분리를 시킨다. RIE(reactive ion etching)같은 비등방성

리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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반도체 집적소자 제조 단위공정 ( 금속박막공정, 사진공정, 식각공정 )

하고자 하는 물질(metal, dielectric, insulator, polymer 등)을 수 십 ~ 수 천 A(1 A = 10-4 micron) 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련 ... exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분 ... 의 polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 일반적으로 노광된 부분의 polymer 결합사슬이 끊어지는 PR을 positive PR이라 하며 그 반대

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.06

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리소크래피(lithography)패터닝 실험 보고서

공정 진행된다. Hard bake 공정 이후 Develop inspection 한다. 이후 Etch Process를 하여서 제거된 PR밑에 있는 SiO2를 제거하는 공정을 진행 ... 였다면 현상 과정을 거치면서 PR이 제거된 곳에서 유관으로 SiO2 층 및 증착된 물질의 색을 관찰할 수 있을 것이다.이어지는 부분은 Etch Process 이다. 이 공정 ... 하였다면 빛과 반응하지 않은 부분이 SiO2 가 Etch Process에 의해서 제거 되는 것을 막아주는 역할을 한다.마지막으로 PR Strip Process를 진행하면 모든

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.29

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Dry etching(건식 식각)

+ 2CO2 +2CO 2) Poly Silicon Etching - Cl ion + C - polymer 형성 (Poly-Si 측벽 보호 ) - 2Si + 4Cl2 - 2 ... Dry etching1. Dry Etching-Introduction(1)1. Etching Issues 1) Isotropy ↔ Anisotropy2. Advantage 1 ... - Less undercutting 4) Directional etching without using the crystal orientation 5) Better process

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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포토리소그라피

어 정확한 Etching Pattern을 얻을 수 없게 된다.?이와 같은 이유로 Photoresist는 자체의 열적 특성이 좋아야 한다.?또, 다른 이유 중의 하나는 Etching ... 면 Etching 등의 후공정에서 큰 문제가 발생한다.?Photoresist가 적용되는 다양한 기판에 모두 좋은 접착력이 요구된다. 접착력은 Resin과 관계가 있다.?Resin ... 의 분자량이 클수록 또 그물형일수록 접착력은 좋아진다.④ Etch Resistance?원하는 Pattern을 만들고자 할 경우 현상 후 Etching 공정에서 작업이 이루어 지

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.02

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폴리싱 Polishing (연마)

를 알아보면 다음의 일련의 과정을 거쳐서 Etching이 되게 된다.① Poly Silicon 측벽보호를 위해 Cl Ion들이 C와 결합하여 Polymer를 형성한다.② Cl Ion ... 에 Polymer를 형성하는 Polymerization은 etch를 느리게 하거나 방해하는역할을 함으로서, 원하는 선택비를 얻는 중요한 요소로 작용한다.○ 전형적인 SiO2 ... 기술을 가진 skill engineer가 하지 않으면 좀처럼 요구하는 면조도를 얻기 힘들다.3. Etching의 종류와 MechanismEtching의 방법은 크게 Wet

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.05

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pn다이오드 접합과 반도체 그리고 lithograpy기술과 종류

(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광 된 부분의 polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 일반 ... 적으로 노광 된 부분의 polymer 결합사슬이 끊어지는 PR을 positive PR이라 하며 그 반대의 경우를 negative PR이라 한다. 또한 그 형태에 있어서 액상 ... 를 사용한다.현상이 끝나면 현상과정에서 풀어진 polymer 조직을 단단하게 만들기 위해 baking(hard baking)을 한다; baking 공정

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.09

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플랙시블나노소자

exposed silicon. Form a resist bilayer . KOH, quickly in comarison to the other planes. Si(110) etch ... ) Invented by Dr. Akedo, AIST Japan Fabrication of dense ceramic, metal, polymer thick films at room

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.02.06

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은 나노 잉크를 이용한 잉크젯 프린팅 (예비레포트)

을 적용하였을 경우 얻어지는 장점을 알아보자.일반적으로 Lithography라 함은 Patterning을 하는 공정명칭으로서 Photo 공정과 Etch 공정으로 나눌 수 있 ... 에 Circuit Pattern을 형성시키는 것을 목적으로 물질 위에 Resist라는 Polymer 물질을 도포한 후 Pattern의 원판 역할을 하는 Mask를 이용하여 빛을 투과 ... 시켜 Resist에 광반응을 일으킨 후 현상하여 Resist Pattern을 형성시키고, 이 Resist를 Barrier로 물질을 Etching하여 최종적으로 원하는 Pattern을 구현

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.25

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감광성 폴리머의 제조기술 소개

Photo Polymer 재료설계IntroductionPhotopolymer 1) 광 및 방사선 에너지의 작용으로 물리적, 화학적 변화가 일어나는 고분자 조성물 또는 광 조사 ... Polymer의 기능기능 사진적인 화상을 형상 - 인쇄용 감광재 photo resist → 감도(해상도, 현상성) 경화피막을 만든다 (광경화 기능, 광흡수로 경화→광투과성, 흡수, 경화속도 ... 로 pendant한 것 고분자 중합시 측쇄에 결합 감광기를 가진 모노머를 중합(품질 설계가 용이하다)Photo Polymer의 분류Ketene구조를 거쳐 5원환 카르본산을 만들어 가용

리포트 | 24페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.03.18

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동진세미켐 반도체 공정 현장 실습

과 반응하여 용해도가 변함. - 빛을 이용한 선택적 용해 → 미세회로 Patterning 가능 Positive resist Negative resistRegin(polymer)감광제 ... Catalyzed Deprotection Unit: An acid cleavable group by polarity changeRegin - Concept of ArF Polymer ... (COMA)PhotoresistRadical PolymerizationHydrolysis NH4OHPoly(4-hydroxystyrene) ( PHS )Regin - Polymer

리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.08

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포토리소그라피(Photolithography)

) 고온건조(Hard Bake) 부식(Etching) 레지스트 제거(Remove Photoresist)개요Photolithography Photolithography의 공정 ... (photosensitive polymer) PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미 노광된 부분의 polymer 결합사슬 ... 이 끊어지는 PR을 positive PR 노광된 부분의 polymer 결합사슬이 더욱 단단해지는 PR을 negative PR3. 저온건조(Soft Bake)도포 된 감광막에 함유

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.09

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sams (Self-Assembled Monolayers )

에 Alkysi해 단단하게 굳어짐. 3. 금형을 기판과 분리. 4. resist에 금형의 나노패턴이 복사되고, 반응성 이온에칭(RIE,ReactiveIon Etching)이라는 작업을 거쳐서 ... 고분자 화합물(photosensitive polymer).[Photolithography 공정]Ⅰ. 일반사진의 film에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포공정 ... 하여 녹인다. 이런 후, resistor 부분을 반응성 Ion Etching 법(RIE)으로 제거하고, 기판 전체에 금속 증착을 하여. 금속배선을 제작하는 방법을 말한다.[PDMS

리포트 | 59페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

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Deep Si Etcher

위해 Etching 면에 사전에 Oxide 또는 Polymer를 Deposition 한다.PROCESS STEP Ⅴ: Etch 1 Step. 다음 조건과 같이 설정되었는지 확인 ... ): Wafer를 관통시킬 수 있지만 scallop 현상이 일어나 등방성 식각이 일어나므로 scallop을 줄이기 위해 Etch하기 전 실행시킨다. 다음 조건과 같이 설정되었는지 확인 ... 20.0※ (참고) 기초 이론Oxide 또는 Polymer Deposition 층 Pattern→ (주의!!) 1㎛ 이하 Pattern은 scallop 현상에 의해 구조가 무너질

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.29

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