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"포토레지스트" 검색결과 1-20 / 235건

  • 파일확장자 아민아세테이트계 계면활성제와 초임계 이산화탄소를 이용한 반도체 웨이퍼 포토레지스트 패턴 건조
    초임계 공정 후 얻어진 포토레지스트 패턴의 모양은 이산화탄소 압력, 온도, 시간 등 공정 처리 조건에 따라 달라졌으며, 최적의 조건에서 포토레지스트 패턴 붕괴가 거의 없는 결과를 얻을 ... 본 연구에서는 비불소계 트리이소프로필 아민 아세테이트 (TAA) 화합믈을 사용하여 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 패턴 건조 성능을 조사하였으며, 초임계이산화탄소 용 계면활성제로 잘 알려진
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.01.29
  • 파일확장자 수용성 포토레지스트 재료
    한국화상학회 한국화상학회지 박이순, 한윤수, 정승원
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 파일확장자 고집적 반도체 미세가공용 포토레지스트 재료
    한국화상학회 한국화상학회지 김진백
    논문 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 파일확장자 인쇄회로기판 가공용 필름 포토레지스트
    한국화상학회 한국화상학회지 김진사
    논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 파일확장자 LCD Color Filter용 포토레지스트 제조 및 특성평가
    한국화상학회 한국화상학회지 이종욱, 조미정, 남수용
    논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 파워포인트파일 포토레지스트
    Reference 특집 포토레지스트 재료-화상형성용 유기 감광재 , 한국화상학회지, 4, 45 (1998). Marc J. ... Yi-Koan Hong Metallurgy and Materials Engineering, Hanyang Univ. http://www.reseat.re.kr - 초미세 가공용 포토레지스트
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.19
  • 파일확장자 초임계 이산화탄소와 공용매 및 첨가제를 이용한 고이온 주입된 포토레지스트의 제거
    이온 주입에 의하여 경화된 탄화층을 가지는 포토레지스트는 통상적인 습식 또는 건식 처리로는 제거하기가 매우 어렵다. ... 산 혼합 공용매를 사용하여 4000psi, 70℃에서 2분간 처리 하였을 때, 포토레지스트는 100% 제거됨을 알 수 있었다. ... 본 연구에서는 확산성과 물질전달특성이 우수한 초임계 이산화탄소와 공용매 및 첨가제를 사용하여 고이온 주입된 포토레지스트를 제거하는 방법을 연구하였다.
    논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 한글파일 이미징기술학(포토레지스트)[1]
    많은 상업적인 포지티브 포토레지스트는 다 작용성, 주로 3중 작용성 NDS 유도체를 포함한다. ... [반응식 1.1-8-1]1 NDS 분자의 구조는 포토레지스트의 성능에 있어서 중요한 역할을 한다. ... 제1장 포토레지스트 제1절 기술의 개요 1.1-1 감광성 재료의 정의 광의의 의미의 감광재료(photosensitive materials)는 일반적으로 광 및 방사선 에너지의 작용으로
    리포트 | 33페이지 | 무료 | 등록일 2015.01.28
  • 파일확장자 화학증폭형 포토레지스트를 위한 새로운 방향족 산증식제로 biphenol의 p-톨루엔술폰산 에스테르에 관한 연구
    한국화상학회 한국화상학회지 강지은, 정용석, 임권택, 정연태
    논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 파일확장자 산 증식형 포토레지스트 poly[ (4-methacryloyloxy-4’-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane)-co-(tert-butyl metacrylate)]의 합성 및 특성 연구
    한국화상학회 한국화상학회지 박정영, 이은주, 홍성수, 임권택, 정용석, 정연태
    논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2024.01.29
  • 한글파일 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴형성
    (나) APS Coating -포토레지스트의 접착력이 떨어지게 되면 현상할 때 현상된 형상이 떨어져 나가므로 포토레지스트의 접착력은 중요하다. ... Photoresist ………………… 8 (1) 포토레지스트란 ………………… 8 (2) 포토레지스트의 종류 ………………… 8 (3) Application ………………… 10 Experiment ... 화학증폭성 포토레지스트는 [산 반응성 고분자/PAG]의 이성분계 또는 [산 반응성 화합물/PAG/매트릭스 수지]의 삼성분계를 기본 구성으로 하고 여기에 포토레지스트 특성 향상을 위한
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.30
  • 파워포인트파일 포토레지스트와 diels-arder 반응
    PR(photo resist)이란? 특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 polymer ..
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.23
  • 워드파일 [화학공학] 포토레지스트
    Resolution Enhancement Techniques) 2) 157 nm 포토레지스트 3) 해결해야 할 과제 4) 157 nm 포토레지스트용 고분자.... ... 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점 4.결론 1. ... 사용 65 nm 선폭 공정에 193 nm 의 ArF 포토레지스트가 사용 60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상 나. 157 nm 포토레지스트 157
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.22
  • 워드파일 [광전자] 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 실험
    ● 광감성 포토레지스트를 이용한 패턴 형성 실험 ● 1.이 론 1-1. ... 즉 LITHOGRAPHY는 photoresist(PR)를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 1-2. ... PHOTORESIST(PR)의 정의 포토레지스트(PR)는 설계된 회로를 웨이퍼(wafer)에 전사시킬 때 빛의 조사 여부에 따라 달리 감응함으로써 미세 회로 패턴을 형성할 수 있도록
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.08.23
  • 한글파일 리소그래피, 반도체공정 보고서
    보라색이 wafer를 나타내고, 노란색은 포토레지스트를 나타낸다.
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.29
  • 한글파일 전자정보소재공학 Resolution 향상을 위한 반도체 공정기술
    포토레지스트로서 사용할 수 없다. ... 노광 시 매질로 부터 적절히 포토레지스트를 보호하는 역할을 하며 노광 후 불소 치환된 시너를 이용하여 제거가 가능해야 한다. ... 방향환은 에칭 저항성이 우수하나 193nm에서 π-π전이를 하여 광을 흡수하므로, i-라인과 KrF(248nm)의 포토레지스트에 사용되는 노볼락과 PHS 수지는 ArF(193nm)의
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.05.16
  • 한글파일 숭실대 Photo-lithography 예비보고서
    빛을 이용한 포토마스크에서 기판의 감광성을 이용하여 화학 포토레지스트로 패턴을 찍어 내는 것이다. ... 참고문헌 디스플레이공학 개론, 텍스트 북스, 김억수, 2014 반도체용 포토레지스트의 연구 개발 동향, 화학공학의 이론과 응용, 김상태, 2004 ... 포토 마스크를 이용하여 포토레지스트에 원하는 패턴을 만들고 최종적으로는 기판에 특정한 패턴을 형상화 할수 있다. 주로 TFT(박막 트렌지스터) 공정에 사용되고 있다.
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.10.05
  • 한글파일 반도체 가공기술 노트
    상호연결 패턴화 : 포토레지스트를 이용하여 SiO _{2} 트렌치를 패턴화 하기 위해 포토리소그래피 이용. 6. ... 기초적인 포토레지스트와 층 아래의 물질과 같이 식각되지 않아야 하는 물질들의 식각을 피하기 위한 높은 선택도 2. ... 식각 후 포토레지스트를 제거. 4. SiO _{2} 보호막 증착 : ILD 산화막 보호를 위한 PECVD 산화막 증착 5.
    시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.05.16
  • 한글파일 한일 무역 분쟁과 미래
    삼성전자의 경우, 반도체 공정에서 핵심으로 꼽히는 포토레지스트의 국산화에 나서고 있으며 한국과학기술연구원(KIST)은 아예 포토레지스트를 대체할 수 있는 기술을 개발하기도 하였다. ... 특히 플루오린 폴리이미드와 반도체 집적 회로를 만드는 식각공정에 사용되는 감광제인 포토레지스트는 회로 기판에서부터 스마트폰 디스플레이에 이르기까지 한국의 주력 수출품 제조에 빠져서는 ... 이 외에도 2020년 6월, SK머티리얼즈(초고순도 기체 불화수소 국산화), 2021년 3월, 동진쎄미켐(불화아르곤 포토레지스트 국산화), 2021년 6월, 한미반도체(반도체 절삭장비
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.20
  • 한글파일 [실점 100점 A+ 레포트]리소그래피 장비를 통해 본 화이트 리스트 제외 사건의 특징
    이를 통해 포토레지스트의 밀도가 높아진다. 4. 마스크와 웨이퍼를 정렬한다. 5. 포토레지스트에 열을 가한다. 이를 통해 포토레지스트가 확산되고 패턴이 형성된다. 6. ... 포토레지스트를 도포하여 회전시키는 스핀 코팅 과정이다. 포토레지스트 주위의 남은 물질들이 제거된다. 3. Soft bake ? 포토레지스트에 남은 유기 용매를 제거하는 과정이다. ... 포토레지스트를 통해 생긴 영역을 없애고 난 후 패턴을 만들어 낸다. 7. Hard bake ?
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.18 | 수정일 2020.12.17
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