박막의 증착 실험

소개글

참고 하세용

목차

1.진공이란?
A. 토리첼리의 실험
B. 진공도의 단위
C. 진공기술
D. 진공의 종류
E. 진공의 측정
2. PVD(physical vapor deposition)
A. 진공증착법
B. 음극스퍼터링(cathode sputtering)
① 직류스퍼터링(DC sputtering)
② 고주파 스퍼터링(RF sputtering)
③ 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)
④ Bias Sputtering
C. 이온도금(ion plating)
3. CVD (Chemical Vapor Deposition)
A. CVD의 원리
B. CVD의 특징
C. 반응장치
D. CVD의 종류

본문내용

CVD의 원리

박막은 여러가지 방법으로 제조될 수 있는데, 그 중에서도 CVD (Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100～1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는 데는 열, Plasma 에너지, 레이저 등의 에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수들이 증착되는 원자의 표면이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크게 확장시켜왔다. CVD 공정은 여러가지 방법으로 분류될 수 있는데, 사용되는 반응의 활성화 에너지원에 따라 thermally-activated CVD, plasma-enhanced CVD, photochemical CVD, laser-induced CVD, and electron-beam assisted CVD로 분류될 수 있다.

참고 자료

없음