패터닝 예비보고서

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최초 등록일
2018.05.27
최종 저작일
2017.03
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목차

1. Title
2. Summary
3. Experimental objective
4. Experimental details
5. Theoretical background
6. References

본문내용

1. Title
Patterning and treatment of SiO2 thin films

2. Summary
- Pattern the silicon dioxide (SiO2) layer using PR(Photoresist).
- Determine the optimal etch parameters and etching gas, then etch SiO2 layer using – Reactive Ion Etching(RIE)
- Observe the color change of the etched SiO2, measure the thickness of the thin films and observe the patterns of etched films.

3. Experimental objective
Understand the process by which the patterns made by masks are engraved on the thin films, examine the film surface and measure the change in thickness before and after etching.

참고 자료

정용성, 『알기쉬운 반도체공학』, 도서출판정일, pp.94-124
Alfred Grill, 『공정 플라스마 기초와 응용』, 청문각, 정진욱 역, 2003
한국공업화학회, 『무기공업화학』, 청문각, 2013
황호정, 『반도체공학』, 생능출판, 2014
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