실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서

소개

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목차

1. 실험 개요
2. 실험 절차 및 결과 보고
3. 고찰 사항
4. 검토 및 느낀점

본문내용

1 실험 개요
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기 로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

2 실험 절차 및 결과 보고
NMOS
1. 실험회로 1([그림 9-13])에서 를 10k로 고정하고, 는 12V로 고정한 상태에서 에 6V의 DC 전압을 인가하고, 전압이 6V가 되는 를 구해서 [표 9-2]에 기록하시오. 예비 보고 사항에서 PSpice를 이용해서 구한 값 부근에서 값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다. 또한, 를 측정하여 [표 9-2]에 기록하시오.

<중 략>

(1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반적으로 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 쪽에 사용하는 이유를 설명하시오.
: 게이트에 약간의 양의 전압이 인가되었다고 해서 n형 채널이 형성되지는 않고 문턱 전압 이상이 인가될 경우 충분한 양의 전자가 쌓여서 채널이 형성된다. 문턱 전압은 로 표시하며, NMOS의 경우에는 그 값이 보통 0.4〜1.0V이고, PMOS의 경우에는 충분한 음의 전자가 쌓여서 채널이 형성된다. 이때 문턱 전압은 로 표시하고 -1.0〜-0.4V이다.
소스 단자는 기판 단자 B에 접속된다. 보통 개별의 회로의 경우에 기판은 회로 동작에 어떠한 영향도 하지 않으므로 그 존재는 완전히 무시될 수 있다. 하지만 직접 회로에서, 많은 MOS들이 공통이 된다. 모든 기판과 채널 사이의 접합들을 차단 상태로 유지하기 위하여, 기판은 NMOS 회로에서는 전압이 가장 낮은, PMOS에서는 전압이 가장 높은 전원 공급기에 접속이 된다.

참고자료

· 단계별로 배우는 전자회로 실험(이강윤 저자)