05-전자회로실험-결과보고서

최초 등록일
2015.12.24
최종 저작일
2015.09
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목차

1. 실험 목표
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 고찰
5. 참조 문헌

본문내용

[그림 3]과 [그림 4],[그림 5], [그림 6]을 비교해보면 알 수 있듯이, - 의 그래프의 값은 비슷한 값들을 나타내고 있음을 알 수 있다. 가 증가함에 따라 처음에는 의 값에 따라 가 급격히 변화하는 부분을 나타내고 있고, 이는 식에서 알 수 있듯이, 2차식의 변화를 보이고 있음을 알 수 있다. 의 값은 일정하고 나머지 값들도 일정하므로, 이차식의 변화를 따르고 있음을 실험과 PSpice에서 보여주고 있다. 즉 처음에는 전류가 흐르지 않는 차단영역에서 포화영역으로 바뀌는 특성을 - 의 그래프는 보여주고 있다.

<중 략>

NMOS의 경우 소스와 바디, 드레인과 바디 사이에 각각 PN 접합이 형성되어 있고, 역방향 바이어스 상태에 있어야 하므로, 바디는 접지시켜야 한다. 또한 게이트에 양의 전압이 인가될 경우 n형 채널이 형성되기 시작한다. 게이트에 약간의 양의 전압이 형성되었다고 해도 n형 채널이 생기는 것은 아니며, 문턱 전압이 이상이 되었을 때, 생기기기 때문에 문턱 전압은 양수이다. 반대로 PMOS의 경우는 NMOS의 경우와 반대이다.

참고 자료

이강윤 지음 [단계별로 배우는 전자 회로 실험] 제 1판 한빛 미디어 p.147 ~ 166 (MOSFET 기본 특성)
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith 지음 [Microelectronic Circuits] 제 6판 한티 미디어 p.378 ~ 498 (MOS 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET))

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