실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서

소개글

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목차

1. 실험 개요
2. 실험 절차 및 결과 보고
3. 고찰 사항
4. 검토 및 느낀점

본문내용

1 실험 개요
[실험 11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭 기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

2 실험 절차 및 결과 보고

1. 실험회로 1([그림 13-5]) 에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 6V, 값을 4V로 두고, 저항값이 2k인 경우 의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압() 및 전류()를 구하고, [표 13-1]에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.

<중 략>

3 고찰 사항
(1) 공통 게이트 증폭기의 전압 이득이 계산상으로 큼에도 불구하고, 전압 증폭기로 널리 사용되지 않는 이유를 설명하시오.
: 공통 게이트는 낮은 입력 저항 때문에 매우 제한적인 응용을 갖는다. 따라서 공통 게이트 증폭기는 낮은 저항을 가지는 신호원에서 나오는 고주파 신호를 증폭한다.

참고 자료

단계별로 배우는 전자회로 실험(이강윤 저자)