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Oscillator 설계 예비보고서2025.04.271. Push-pull 증폭기 동작 이해 R_L=100 ohm, R_bias=1k ohm, V_CC=12V인 경우, Push-pull 증폭기의 동작을 이해하고 Dead zone과 Crossover distortion 현상을 파악하며 이를 제거하는 방법에 대해 실험한다. 2. Classic Push-Pull Amplifier 특성 그림 1(a) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 transfer characteristic curve를 확인하고, Dead zone 현상이 발생하는 이유를 설명한다. 그림 1(b) 회로를 시뮬레이션하여 입출력 파...2025.04.27
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JFET 특성2025.04.301. JFET JFET은 Junction Field Effect Transistor의 약자로써 접합형 전계효과 트랜지스터를 의미한다. JFET은 전류를 통해 제어하는 BJT와 달리 전압을 조절해 제어하는 소자이며, 또한 Majority carrier와 Minority carrier를 모두 이용하는 BJT와 달리 Majority carrier만 이용하는 Unipolar 소자이다. JFET은 N채널 형과 P채널 형으로 나뉘며, 각각의 단자는 Gate, Drain, Source라는 이름을 가진다. JFET의 작동원리는 Drain과 Sou...2025.04.30
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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비3. Voltage Regulatior 설계 A+2025.01.271. Voltage Regulator 설계 이 프레젠테이션은 전자회로설계실습의 예비 3번째 실습인 Voltage Regulator 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 설계 과정에서 사용된 수식과 계산 과정을 상세히 설명하고 있으며, PSPICE를 활용한 회로 분석 결과도 포함되어 있습니다. 주요 내용으로는 브리지 방식 정류회로의 동작 원리, 부하 전압 및 리플 전압 계산, 교류 입력 전원 크기 및 주파수 결정 등이 있습니다. 1. Voltage Regulator 설계 전압 레귤레이터 설계는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 부분입니...2025.01.27
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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디지털 논리실험 7주차 예비보고서2025.05.061. S-R Latch S-R Latch는 S와 R 입력에 따라 출력 값이 변화한다. S=1, R=0 또는 S=0, R=1이면 출력 값이 변화하고, S와 R이 모두 0이면 출력 값을 유지한다. S와 R이 모두 1일 때는 출력 값이 모두 0이 되어 Invalid 상태가 된다. 2. Pulse Detector와 CLK Pulse Detector는 CLK 신호가 내려가는 타이밍에만 가상의 enable 값이 1이 되어 J와 K 값을 읽는다. 이를 통해 CLK 신호의 순간적인 변화를 감지할 수 있다. 3. J-K Flip-flop J-K F...2025.05.06
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[예비보고서] 5.전압 제어 발진기 (VCO)2025.04.251. 슈미츠 회로의 특성 본 실습에서 IC로 UA741 Op amp를 이용한다. 목적은 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 확인하는 것이다. 이 때 적분기 회로에 인가되는 전압의 크기에 따라 출력 전압이 일정한 값에 도달하는 시간이 변하는 것을 이용하여 주파수를 제어한다. Large signal voltage gain 로 주어진 UA741의 반전 및 비반전 입력 단자를 virtual short로 간주할 수 있어 일반적인 적분기 회로의 구성에 ...2025.04.25
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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