디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서
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2023.09.21
문서 내 토픽
  • 1. NMOS 단과 GND
    n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다.
  • 2. PMOS 단과 VDD
    n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, metal1과 nwc를 이용해 VDD를 그린다. n-well은 기판과 분리하기 위한 역할을 하고, pdc는 p-diff와 metal 사이 연결 역할을 한다. p-diffusion은 p-type 도펀트를 도입한다. PMOS 단은 Boolean Equation에 따라 병렬로 연결되어야 한다.
  • 3. 출력단과 입력단
    polycontact와 metal1을 이용해 입력단을 그리고, metal1, metal2, v1을 이용해 출력단을 그린다. polycontact는 poly와 metal1 연결 역할을 하며, metal2는 두 번째 금속 연결 역할, v1은 다른 금속 층과 전기적 연결 역할을 한다.
  • 4. CMOS NAND Gate
    NMOS 단과 PMOS 단을 poly로 연결하고 가운데를 출력단과 연결하기 위해 m1과 m2 그리고 via1을 연결한다. 각 poly 사이에 polycontact를 이용해 입력단을 그린다. 최종적으로 CMOS NAND Gate가 Magic Layout에서 구현된다.
  • 5. CMOS AND Gate
    CMOS AND Gate는 NAND Gate와 INVERTER를 결합하여 구현할 수 있다. 하단부 연결, 상단부 연결, 입출력 연결을 통해 CMOS AND Gate의 Layout을 그릴 수 있다.
Easy AI와 토픽 톺아보기
  • 1. NMOS 단과 GND
    NMOS(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor) 트랜지스터는 전자를 주 캐리어로 사용하는 반도체 소자입니다. NMOS 트랜지스터의 소스 단자는 GND(접지)에 연결되어 있습니다. 이를 통해 NMOS 트랜지스터는 전자를 GND로 흘려보내 전류를 제어할 수 있습니다. GND는 전기 회로에서 기준 전위로 사용되며, 전자가 흐르는 경로를 제공합니다. NMOS 트랜지스터와 GND의 연결은 전자 흐름을 조절하여 디지털 회로의 동작을 가능하게 합니다.
  • 2. PMOS 단과 VDD
    PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) 트랜지스터는 정공을 주 캐리어로 사용하는 반도체 소자입니다. PMOS 트랜지스터의 소스 단자는 VDD(전원 공급 전압)에 연결되어 있습니다. 이를 통해 PMOS 트랜지스터는 정공을 VDD로부터 공급받아 전류를 제어할 수 있습니다. VDD는 전기 회로에 전원을 공급하는 전압원으로, PMOS 트랜지스터와의 연결을 통해 정공의 흐름을 조절하여 디지털 회로의 동작을 가능하게 합니다.
  • 3. 출력단과 입력단
    전자 회로에서 출력단은 회로의 결과를 외부로 전달하는 부분이며, 입력단은 회로에 신호를 공급하는 부분입니다. 출력단과 입력단의 연결은 회로의 동작을 결정합니다. 출력단은 NMOS 또는 PMOS 트랜지스터와 같은 능동 소자를 통해 구현되며, 입력단은 스위치, 센서 등의 수동 소자를 통해 구현됩니다. 이들의 상호작용은 디지털 회로의 기본적인 동작을 가능하게 합니다.
  • 4. CMOS NAND Gate
    CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) NAND 게이트는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 조합하여 구현된 논리 게이트입니다. NAND 게이트는 입력 신호가 모두 '1'일 때만 출력이 '0'이 되는 특성을 가집니다. CMOS NAND 게이트는 NMOS와 PMOS 트랜지스터의 상보적인 특성을 이용하여 효율적인 동작을 구현합니다. 이를 통해 낮은 전력 소비, 빠른 스위칭 속도, 우수한 노이즈 내성 등의 장점을 가집니다. CMOS NAND 게이트는 디지털 회로 설계의 기본 구성 요소로 널리 사용됩니다.
  • 5. CMOS AND Gate
    CMOS AND 게이트는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 조합하여 구현된 논리 게이트입니다. AND 게이트는 입력 신호가 모두 '1'일 때만 출력이 '1'이 되는 특성을 가집니다. CMOS AND 게이트는 NMOS와 PMOS 트랜지스터의 상보적인 특성을 이용하여 효율적인 동작을 구현합니다. 이를 통해 낮은 전력 소비, 빠른 스위칭 속도, 우수한 노이즈 내성 등의 장점을 가집니다. CMOS AND 게이트는 디지털 회로 설계의 기본 구성 요소로 널리 사용되며, 다양한 조합을 통해 복잡한 논리 회로를 구현할 수 있습니다.
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