총 12개
-
반도체 부품 장비 융합 개론 - 노트정리 & 기출문제 포함2025.01.181. 반도체 기본 특성 반도체의 기본적인 특성에 대해 설명하고 있습니다. 마이크로 패브리케이션 공정을 활용한 집적회로, MEMS 센서, 태양광 패널 등의 예시를 제시하고 있습니다. in-plane과 out-of-plane의 차이, 트랜지스터의 발전, 무어의 법칙, 반도체 8대 공정 등을 다루고 있습니다. 또한 클린룸 시설의 중요성과 기준, 실리콘 웨이퍼 직경 증가 추세와 그에 따른 이슈 등을 설명하고 있습니다. 2. 3D 반도체 트렌드 집적도를 높이기 위해 웨이퍼 표면에 수직방향으로 소재를 쌓아올리는 3D 반도체 기술에 대해 설명하...2025.01.18
-
CMOS와 CCD의 장단점과 카메라 제조사의 선택2025.01.221. CCD 이미지 센서 CCD 이미지 센서는 오랜 시간 동안 고급 카메라 시스템에서 널리 사용되어 온 기술입니다. CCD의 가장 큰 장점은 뛰어난 이미지 품질입니다. CCD는 빛을 받아들인 후 전자 신호를 한 번에 처리하기 때문에 픽셀 간의 균일도가 높고, 결과적으로 노이즈가 적습니다. 특히, 저조도 환경에서도 고품질의 이미지를 얻을 수 있다는 점에서 전문가들에게 선호됩니다. 또한, CCD는 높은 다이내믹 레인지(dynamic range)를 제공하여 빛의 양이 극단적으로 차이나는 환경에서도 정교한 표현이 가능합니다. 그러나 CCD...2025.01.22
-
충북대학교 정보통신공학부 회로실험II 실험 13. CMOS-TTL interface 결과보고서2025.01.111. CMOS-TTL interface CMOS-TTL interface 실험을 수행하였습니다. 실험 과정 및 결과는 다음과 같습니다. 1번 실험에서는 10[V] 인가 시 5[V], 5[V] 인가 시 결과를 확인하였습니다. 2번 실험에서도 동일한 결과를 확인하였습니다. 3번과 4번 실험에 대한 과정 및 결과도 보고되어 있습니다. 1. CMOS-TTL interface The CMOS-TTL interface is an important topic in digital electronics and computer engineering....2025.01.11
-
디지털 회로 실험 및 설계 - 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I.F 실험 22025.05.161. 디지털 회로 실험 및 설계 이 보고서는 디지털 회로 실험 및 설계 과정에서 수행한 기본 논리 게이트(Gate) 및 TTL, CMOS I/F 실험에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험에서는 전압 레벨 측정, OR + Inverter 진리표 작성, AND-OR-NOT 게이트를 이용한 XOR 설계, CMOS와 TTL 인터페이스 등을 다루었으며, 이론값과 실험 결과를 비교 분석하였습니다. 오차 분석에서는 전류 측정의 어려움, 점퍼선의 저항, 브래드 보드의 불확실성 등이 원인으로 지적되었습니다. 1. 디지털 회로 실험 및 설계 디지털 ...2025.05.16
-
CCD와 CMOS의 장점과 단점은 각각 무엇인지를 서술 하세요2025.01.271. 이미지센서 요즘 카메라 없는 휴대폰을 찾아보기가 힘들다. 또한 컴퓨터 network에 의한 통신의 발전에 따라, 각종 화상 data의 용도가 점점 다양해지고 있다. 광학 렌즈를 통해 이미지 센서 chip 수광면에 영상이 맺히면, 이미지 센서의 표면에 있는 각 화소에 들어온 빛을 감지해서, 각 화소에 들어온 빛의 세기에 비례한 전기적 신호를 차례대로 출력한다. 이 전기적 신호를 처리해서 영상을 재생하거나, 전송 또는 저장을 하는 것이다. 2. CCD와 CMOS 이미지센서는 구조에 따라 크게 CCD(전하결합소자, Charge Co...2025.01.27
-
전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
-
홍익대학교 전자회로(2) 최종 프로젝트 보고서2025.04.261. 2-stage OP-Amp 설계 2-stage OP-Amp 회로를 설계하였으며, 모든 트랜지스터가 Saturation 영역에서 동작하도록 하였다. 또한 OP-Amp의 Small-Signal Gain이 50dB 이상, Gain*Bandwidth가 100MHz 이상, Phase Margin이 45도 이상이 되도록 설계하였다. 이를 위해 각 트랜지스터의 크기와 바이어스 전류를 조절하였으며, Compensation Capacitor를 추가하여 Phase Margin을 확보하였다. 2. Unity-gain Buffer 설계 Unity-...2025.04.26
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
-
디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
-
인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
1 / 2
