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"atomic layer etching" 검색결과 1-20 / 60건

  • 열 원자층 식각법을 이용한 박막 재료 식각 연구 (Thermal Atomic Layer Etching of the Thin Films: A Review)
    한국분말재료학회 조현희, 이서현, 윤은서, 서지은, 이진우, 한동훈, 남서아, 한정환
    논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16
  • 타원계측장치를 이용한 실시간 원자층 식각률 모니터링에서 기판 온도의 영향 (Effect of the Substrate Temperature on Monitoring of Atomic Layer Etching Rate via an in-situ Ellipsometer)
    한국반도체디스플레이기술학회 이영석, 이장재, 이상호, 성인호, 조철희, 김시준, 유신재
    논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19
  • 저에너지의 Ar 중성빔을 이용한 Silicon의 Atomic Layer Etching
    한국재료학회 오창권, 박상덕, 염근영
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 열 원자층 식각법을 이용한 박막 재료 식각 연구
    한국분말야금학회 조현희, 이서현, 윤은서, 서지은, 이진우, 한동훈, 남서아, 한정환
    논문 | 12페이지 | 4,300원 | 등록일 2023.06.05
  • 판매자 표지 자료 표지
    [물리전자2] 과제2 단원 요약 Fabrication of pn junctions
    urface through the surface boundary layer. Wet etching encompasses impression and spray methods, while ... layer on a wafer. This oxide layer serves various purposes, including masking, device isolation, gated ... oxidation and dry oxidation. Wet oxidation is employed to grow thick oxide layers and for impurity
    리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 공정_캡스톤 디자인 1차 개인보고서
    Atomic Layer Deposition, PEALD) 공정 개발II. 과제 요약10 nm 급 이하의 반도체 소자의 배선 재료로 고려되고 있는 고품질 Ru 박막에 대한 플라즈마 강화 ... 하는데, PEALD 증착법을 사용한다. (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)(5) 박막 증착 방법으로서 원자층 증착법 장비에 대한 학습ALD ... (Atomic Layer Deposition)는 화학적 종들(chemical species)의 반복적인 노출에 의해 자기 제어적 성장(self-limiting growth)이 특징인 다.
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.11.13 | 수정일 2023.01.08
  • 극저온 전자 온도 플라즈마 소스를 활용한 SiO2/SiNX ALE 공정 개발 연구 (Development of SiO2/SiNx ALE Process Using Ultra Low Electron Temperature Plasma Source)
    한국반도체디스플레이기술학회 신태호, 김가은, 온범수, 유은성, 권지운, 이승민, 정승익
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14
  • Silicon synthesis for anode- 전지 음극 실리콘 합성 논문 리뷰
    of the outer layer was assisted by H + and OH - in the water under high temp. pressure → The ... decomposition of SiO and nucleation of silicon atoms → Temperature increased slowly for absorption of heat ... atoms are in a metastable under high temperature and high pressure → Decomposition of SiO SiO → Si 2+
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.01.22 | 수정일 2022.01.26
  • 판매자 표지 자료 표지
    2025년상반기 SK하이닉스 대졸신입공채 면접예상문제(총60문제)및해답
    (Atomic Layer Deposition) 공정의 장점을 설명하고, DRAM 커패시터 제작에 ALD가 필수적인 이유를 설명하시오.해답:ALD 장점:원자층 단위의 정밀한 박막 증착 가능 ... 방안을 설명하시오.해답:어려움: 높은 종횡비(Aspect Ratio), 식각 균일도 확보해결 방안:ALD를 이용한 보호막 형성펄스 식각(Pulsed Etching) 기술 적용식각
    자기소개서 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.04.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정
    되며, 따라서 전극을 만들거나 electroplating을 위한 seed layer 증착, etch-mask나 structural layer 등을 만들 때 사용 ... 혹은 sputtered atom을 synthesis 한다.2) coating vapor 혹은 sputtered atom을 substrate로 이동시킨다.3) substrate의 표면 ... 위에서 coating vapor 혹은 sputtered atom을 응축시킨다.공정은 일반적으로 진공환경에서 이루어진다.PVD는 거의 metal을 증착하기 위한 방법으로 많이 사용
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
  • 반도체 공정 관련 내용 정리 리포트
    : etch stop layer detectionUniformity : Wafer to Wafer, IN-Wafer to other position lot(25장 기준 ... ledTrend : Sputtering(PVD) -> CVD -> Atomic Layer Deposition [as aspect ratio goes high conventional CVD c ... 성 및 생성이 쉬움 3) wafer가 단단하고 etch 성질이 공정상 용이P-type : B N-type : P, As유전체(SiO2) : 유전분극 발생(쌍극자 모멘트) => 절연
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12
  • 반도체 기본 공정
    에는 PVD, CVD의 한계를 극복하기 위한 원자층을 증착하여 박막을 형성하는 ALD(Atomic Layer Deposition) 주목받고 있다. ALD공정은 유독가스를 사용하여 위험하다 있다. ... 이 씻겨 나감.● 노광과정- Mask Layer 사이를 정확한 위치에 맞추는 Alignment과정, 감광막에 빛을 쏘아 패턴이 형성되도록 하기 위한 과정인 Exposure로 나눌 수 있 ... 에 의해 빛에 노출된 부분, 노출되지 않은 부분을 선택적으로(Positive, Negative PR) 제거하여 회로 패턴을 형성하게 됩니다.식각(Etching)?포토 공정에서 PR
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.06 | 수정일 2021.06.25
  • 반도체공학실험 보고서(MOSFET 제작 및 특성 측정)
    한 MOSFET을 직접 제작하고 특성을 측정할 것이다. Si기반의 simple MOSFET을 제작하여 photolithography, etching, metallization같은 대표 ... 은 Oxcide strip으로 H2O:HF solution으로 metallic contaminants가 있는 thin oxide layer를 벗겨내는 단계이다. 마지막은 ionic ... clean으로 ionic and heavy metal atomic contaminants를 6:1:1=H2O:H2O2:HCl solution으로 제거하는 단계이다. 추가적으로 각각
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.13
  • 이종접합 트렌지스터 공정 설계(BJT(Bipolar Junction transistor) Process flow)
    를 사용하여 Base영역을 설정 후에 P층을 N Epitaxial Layer 위에 확산한다.: Base영역을 Reactive Ion Etching(RIE)를 사용하여 에칭 ... 2011학년도 집적회로 공정 설계1. 설계된 IC의 종합도면을 그려라.2. 소요되는 마스크들을 Layer 별로 분리하라.MASK #1Base P Region을 형성하기 위해 산화 ... ↓↓Thermal OxidationContact Mask↓↓Epitaxial Layer GrowthMetal deposition↓↓Base MaskChemical mechanical
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2018.05.28
  • 반도체 금속공정
    해 분해시켜 표면에 증착 ( 고온으로 올라가면 금속이나 Si 기판이 녹을 우려 )Method ALD(Atomic Layer Deposition) 화학 반응에 의해 원자가 떼어지는 것 ... Method Reference8 대 공정 요약 Wafer Oxidation Photo Lithography Etching Deposition Metalliztion EDS ... 해야Materials-Al/Cu Al 배선 공정 (RIE) Cu 배선 공정 (damascene) Al 증착 - PR coating- photo- develop- Al etch- PR
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.26
  • (A+)성균관대학교-기계공학부-고체역학설계실습-Metallurgical microscope test
    microscope after going through the procedures of grinding, polishing, and etching. The surface grain c ... lassifiare formed, it has an unusual layered structure. As the temperature gradually decreases on the γ ... formed around it, and finally pearlite of a layered structure of cementite() and -ferrite is formed
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.26
  • 판매자 표지 자료 표지
    반도체 제조공정
    cycle로 조절증착 온도높음낮음불순물 함유높음낮음후속공정 적합성낮음높음ALD (Atomic Layer Deposition)표. ALD와 CVD성능비교표(IPS)그림. ALD ... AOverview 반도체 제조공정 분류 Oxidation 공정 Lithography공정 Etching 공정 Ion Implantation공정 CVD공정 Metallization ... 공정(Fabrication) 분류Oxidation 공정Ion Implantation 및 Diffusion에 대한 Masking Layer Silicon Surface의 보호막 역할
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.29 | 수정일 2025.02.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    [반도체소자공학 시험 족보] A+ 학점 취득 확정
    Layer를 따라 이웃한 Oxide Surface에서 확산하고,O _{2}와Si 사이의 반응이 일어나는 실리콘 표면에 남아있는 Oxide Layer를 통해 확산한다.이 Oxide ... 되고, 덮여 있지 않은 물질은 Etching 된다.4) DiffusionDiffusion은 impurity 형태의 특수한 원자를 실리콘에 주입하는 공정으로, 이를 통해 pn ... Junction이 형성된다.산화 공정 후, Wafer를 약 1100℃의 도가니에 놓고 B나 P 같은 Dopant atoms를 주입하면 밀도 기울기에 의하여 실리콘 내로 확산하고 웨이퍼를 도가니
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
  • 램리서치코리아 CS Engineer 합격자소서
    분야에서 가장 고난도인 Atomic Layer 장비를 구사하는 램 리서치는 해당 단위 공정에서 현대시장을 장악하기에 충분한 역량을 가지고 있었습니다. '단위 공정 최고의 기술 ... 한 ALE와 ALD기술 동영상을 보고 흠뻑 매료되었습니다.이는 반도체 공정을 공부하며 Depo와 Etch에 가장 관심이 많던 저에게 무척 강렬한 인상을 주었습니다. Etch/Depo ... 에 적극적으로 요청하여 '박막증착교육'에 참가해 Depo와 Etch를 중점적으로 실습해보고, 서울대 반도체 공동연구소에서 기본공정 교육에 참가하여 2주간 8대 공정 장비를 다루어보
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2017.12.30 | 수정일 2019.12.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    x-ray 리소그래피 정리
    는 다음과 같습니다 : 실린콘 웨이퍼 위에 얇은 박막을 입힙니다.( SiC, Si3N4)Onto this layer, a chromium etch stop layer and the ... masking layer of 300-500 nm of a high-atomic number material is evaporated (e.g. Au, Ta).이 박막에 크롬 식각 ... the masking layer with an etch stop on the chromium so the membrane is not hurt.그 후에 마스크를 코팅과 함께 e
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.07.28
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2026년 02월 01일 일요일
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- 작별인사 독후감