초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정

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Physical Vapor Deposition

PVD는 주로 evaporation과 sputtering으로 나누어진다.

PVD는 대부분 다음의 과정을 대부분 거친다.
1) source material로부터 coating vapor 혹은 sputtered atom을 synthesis 한다.
2) coating vapor 혹은 sputtered atom을 substrate로 이동시킨다.
3) substrate의 표면 위에서 coating vapor 혹은 sputtered atom을 응축시킨다.

<중 략>

CVD가 PVD에 비해 가지는 장점은,
첫 번째로 step coverage가 매우 뛰어난다는 것. 왜냐하면 radical은 기판에 도달하면 가열된 기판의 열에너지를 통해 확산하면서 화학반응이 일어나는 과정을 거치기 때문에 더 구석구석 확산할 수 있기 때문이다.
두 번째로 deposition rate를 조절하기가 용이한데, precursor gas를 많이 넣어줄수록 더 빨라진다.
CVD가 PVD에 비해 가지는 단점은,
deposition을 위해 고온 환경()이 필요한데, 이 고온 환경에서 버틸 수 있는 재료만 증착이 가능하게 되는 문제가 있다. 또한 화학적으로 반응이 되는 재료들만 증착이 가능하다.

참고 자료

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