"Gate Electrode (게이트 전극)"의 검색결과 입니다.

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"Gate Electrode (게이트 전극)" 검색결과 1-20 / 29건

플라즈마 식각공정에서 발생하는 실리콘 게이트 전극의 Notching 현상 (Notching Phenomena of Silicon Gate Electrode in Plasma Etching Process)

한국공업화학회 이원규

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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실리콘 게이트전극을 갖는 고온소자와 금속 게이트전극을 갖는 P형 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기특성 비교 연구 (A Research About P-type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors of Low Temperature with Metal Gate Electrode and High Temperature with Gate Poly Silicon)

한국전기전자재료학회 이진민

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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LiNbO3 강유전체 박막을 이용한 MFSFET's의 게이트 전극 변화에 따른 특성 (Properties of MFSFET's with various gate electrodes using LiNbO3 ferroelectric thin film)

한국진공학회 정순원, 김광호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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LiNbO3 강유전체 박막을 이용한 MFS 커패시터의 게이트 전극 변화에 따른 특성 (Properties of MFS capacitors with various gate electrodes using LiNbO3 ferroelectric thin film)

한국진공학회 정순원, 김광호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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측면 게이트 전극을 이용한 스크린 프린트 되어진 탄소나노튜브 전계방출원의 연구 (Study of a Screen-Printed CNT Field Emitter with a Lateral-Gate Electrode)

한국물리학회 김창득, 이형락, 양기원, 이영석, 구교준, 오의동, 송창연, 이민섭

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.08 | 수정일 2025.05.17

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광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

해서는 도핑된 poly side gate stack의 개선해야한다. 또한 붕소가 도핑된 SI-Ge gate electrode를 사용해야한다. 게이트 유전체의 붕소 침투 저항, 일함수 ... 의 게이트 구조(flash memory gate structure), 상변화 메모리(phase change memory), feram등이 있다.위의 내용과 더불어 각 기술의 기술 ... 은 trap density가 요구된다. 마지막으로 gate electrode의 dopant로 인한 트랜지스터의 오염을 막기위해 확산 장벽이 높아야 한다. Gate electrode

리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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리버스옵셋 프린팅을 이용한 디지털 사이니지 디스플레이용 TFT 전극 형성 공정 연구 (A Study on Processing of TFT Electrodes for Digital Signage Display using a Reverse Offset Printing)

한국정밀공학회 윤선홍, 이범주, 이준상, 이승현, 신진국

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

는 1E20 cm-3이며, 접합 깊이는 0.3um, 게이트 전극 길이 L=1um, oxide 두께는 0.01um이다.? 산화막은 다음과 같이 mesh를 설정할 수 있다.-0.01 mu ... , 2=gate, 3=source, 4=bodyelectrode num=1 ix.low=32 ix.high=40 iy.low=10 iy.high=10electrode num=2 ix ... file을 저장한다. 2=gate 전극solve v2=0.1 nsteps=29 vstep=0.1 elec=2 outfile=mosfet1.sol11(4) y=0um, x축 방향

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15

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정보디스플레이 기말고사

에는 Switch tft와 Driving tft가 있다. 먼저 scan전극에 전압을 걸어주면 Switch tft가 gate를 열어주고 데이터를 전송할 수 있게 해준다. AM OLED ... 의 경우 Switch tft와 Driving tft이 하나씩 들어가 있는데, Switch tft가 게이트를 열어주고 전압을 걸어주면 Driving tft에 전류의 양을 조절하여 밝기 ... 며 반사형 재료를 사용한다. 반대로 Anode는 투명해야 통과한 빛이 보이므로 ITO 투명 전극을 사용한다. Bottom 발광은 TFT에 emission 영역에 걸리기 때문에 개구

리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.25 | 수정일 2022.12.07

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ITRS 2005 요약

Difficult Challenge의 부분에 덧붙여 확장한다. 이제는 새로운 고밀도 Gate 절연체의 이동은 Poly-silicon에서 금속 게이트 전극으로의 동시 이동을 수반할 것 ... 을 위한 MOSFET의 미세화이다. 이러한 적극적인 미세화를 이루기 위해 반도체 회사들은 High-k gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같 ... 하고 device런 작은 초박형을 사용하게 된다면 채널 도핑은 상대적으로 낮고, gate 전극을 조절하여 문턱 전압을 설정할 수 있다. (문턱전압을 원하는 값으로 설정하려면 거의 Mid gap

리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.12

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[반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 주요 기술 혁신을 향해 나아가고 있으며, 장기적으로는 ultra-thin body, multiple-gate MOSFETs ... , metal gate electrodes, 억지로 만든 실리콘 채널, 높은 소스/드레인 등)은 non-classical(비고전적) CMOS 구조와 함께 통합될 것으로 예상 ... 적 보장"에 대해 확장한다.이제 SiO2로부터 새로운 고밀도 게이트 절연체로의 이동은 폴리실리콘에서 금속 게이트 전극으로의 동시 이동을 수반할 것으로 보인다. 이로 인해 High κ

리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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전전컴실험III 제09주 Lab08 MOSFET1 Pre

(gate electrode)을 형성하고 있다. 또한 금속 접점들은 소스, 드레인, 그리고 몸체(body)로 알려진 기판에도 만들어져 있다. 따라서 네 개의 단자, 즉 게이트 단자(G ... 하고 두께 tOX인 얇은 이산화 실리콘(SiO2)층이 성장되어 있으며, 이 층이 소스와 드레인 영역 사이의 면적을 덮고 있다. 이산화층 위에 금속이 장착되어 소자의 게이트 전극 ... ), 소스 단자(S), 드레인 단자(D), 그리고 기판, 즉 몸체 단자 (B)가 나타나 있다.MOSFET의 다른 명치은 절연 게이트 FET(insulated-gate FET) 또는

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.02.05

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반도체공학-MOS diode설계 최종보고서

하기도 한다.⑥ gate lithography폴리실리콘이 전면에 덮여있으므로 게이트 전극부분만 patterning한다. 과정은 앞의 리소그래피와 같다.⑦ diffusion 또는 ... 로 남아있는 모든 PR을 벗겨내게 되면 SiO _{2}에 패턴이 새겨져있게 된다.④ gate oxidation게이트 산화 막을 만들어주는 과정이므로 처음부터 순수하게 dry O ... , RCA2)이 요구된다.⑤ Poly-Si deposition게이트 산화 막 위에 게이트 전극 역할을 할 poly-Si 을 CVD에 의해 증착한다. 저항을 줄이기 위해 P나 B를 도핑

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22

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반도체란(반도체의 구성과 Type별 설명)?

is Insulator And also It is dielectric substance - Formation of electrodes make channel Why we use a ... polysilicon for gate? Low threshold voltage - The Channel generated from Low voltage High Melting ... 보다 빠르다 WIN VS VS Silicon Oxide 좋은 절연체 물질 문턱전압이 낮아 게이트 채널 생성을 빠르게 함 . 그러나 , 트랜지스터의 소형화 추세에서 Silicon

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.30

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MOSFET_최종

electrode의 gate depletion과 dopant penetraion의 문제점을 해결하고 게이트 저항을 줄일 수 있는 대안으로 기존의 Poly-Si 게이트 전극의 대체 물질 ... 에 게이트 전극의 저항이 증가하기 때문에 소자의 성능의 향상에 어려운 문제가 발생하게 된다. 또한, 이런 Poly-Si gate depletion 현상과 게이트의 전극의 저항을 줄이 ... 로 여러 가지 금속전극에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.② 게이트 절연막- Gate capacitance 개선 및 누설 전류 억제를 위해 high-k dielectric 도입

리포트 | 41페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.07.12

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[ FET ]에 대하여

transistor, FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전계에 의하여 전자 또는 정공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이 ... 의 단자를 소스(source), 게이트(gate), 드레인(drain), 백 게이트(back gate)(혹은 벌크), 3단자 FET의 경우는 소스, 게이트, 드레인이라고 부른다. 대칭 ... :drain), 소스(S:source) 및 게이트(G:gate)로 3단자이다.[2] 접합형 FET에 흐르는 전류(가) 전압을 가하는 방법과 흐르는 전류① VDS가 작을 때 ID는 VDS

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.17

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LDD구조공정설계

electrodeelectrode name=sub backsideelectrode name=gate x=5electrode name=source x=1.5electrode ... 과정을 통해서 n-층을 만들어 준다. 그 다음 공정으로 Nitride로 Gate전극 양옆에 Spacer를 페터닝을 해주고, 또 다시 Ion-implantation과 Drive-in ... LDD(Lightly droped Drain) 구조 설계1.설계목적NMOS 구조에서 핫케리어 문제 해결, 게이트 컨트롤에 따른 전류 구동능력을 향상시키기 위해서 Spacer

리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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박막트랜지스터

에 게이트 전극(gate electrode)으로서 인듐 아연산화물(indium-zinc-oxide)을 증착하고, 그 표면에 나노와이어(nanowire) 용액을 입혀 적절히 나노와이어 ... 를 정렬시킨 후 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)로 소스 전극(source electrode)과 드레인 전극(drain electrode)을 증착한다. 여기서 인듐 ... 을 사용한 바이폴러(bipolar) 트랜지스터와 MOSFET의 개발 이후 미국의 와이머가 황화카드뮴 화합물의 증착막을 이용하여 개발한 것이 최초이다.지금까지의 TFT는 절연 게이트

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.07

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ZnO 나노와이어 제작 및 바이오센서 활용

렌지스터를 이용한 바이오센서의 모식도일반적인 FET는 소스와 드레인 사이의 전류의 흐름을 게이트 전극으로 조절 CHEMFET 의 경우에는 이 전류 의 흐름이 측정하고자 하는 화 학 ... 와 대등하게 응용 가능성을 보이고 있는 것이 바로 나노전자소자임기존 반도체칩의 고집적도 증가에 따른 선폭의 한계를 해결할 중요한 나노물질로서 나노선이 유망함기본 원리 : gate 전압 ... , 1289]pH센서 : pH가 바뀜에 따라 Si 나노선 표면에 유도되는 전하량이 바뀜  게이트 전압 변화와 유사효과 바이오센서 : 게이트 대신 검출하고자 하는 생체분자가 게이트 역할

리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.04.14

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LCD의 구동원리와 발전경향

. TFT-LCD의 제조공정TFT공정`컬러필터 공정모듈공정액정공정유리판(Glass)보호막 (Passivation)화소전극 (Pixel Electrode)게이트 전극 (Gate ... . TFT-LCD의 제조공정TFT공정`컬러필터 공정모듈공정액정공정유리판(Glass)보호막 (Passivation)화소전극 (Pixel Electrode)게이트 전극 (Gate ... Electrode)절연막 및 반도체막 (Insulator Amorphous-Silicon)데이터 전극 (Data Electrode)증착/ 패턴 공정 상세도증착 (Deposition)세정

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.31

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