광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

소개글

반도체 공정1 report 1,2,3,5번 있습니다.
**report 4는 어디갔는지ㅠ없습니다ㅜ.**
구매하실 때 찾아지면 같이 드리겠습니다.

목차

I. 반도체 공정 report 1: ITRS FEP 2005

II. 반도체 공정 report 2: FLASH MEMORY
1. NAND-type & NOR type
2. Floating gate flash memory & Charge trap flash memory
3. MLC Flash memory
4. 3D Flash memory

III. 반도체 공정 report 3: High-k material
1. High-k 물질 도입
2. High-k 물질이란
3. High-k 물질 특성과 종류
4. EOT
5. High-k metal gate구조

IV. 반도체 공정 report 5: "Latch-up" effect in CMOS

본문내용

- Scope
Front end process 로드맵은 트랜지스터(mosfet), DRAM스토리지 커패시터, 플래시 및 강유전체 RAM(FeRAM) 장치와 관련된 미래의 프로세스 요구 사항 및 잠재적 솔루션에 중점을 둔다. 지금부터 이어질 내용은 실리콘웨이퍼 기판, 접촉실리사이드화 프로세스 등의 도구, 재료 등이 포함된다. 특히 mosfet의 웨이퍼(starting materials), 표면 준비(surface preparation), 박막(Thin film), 플라즈마 식각(plasma etching)등이 있고 memory의 DRAM 커패시터(stack/trench capacitor), 플래시 메모리의 게이트 구조(flash memory gate structure), 상변화 메모리(phase change memory), feram등이 있다.
위의 내용과 더불어 각 기술의 기술요구 사항, 잠재적 솔루션에 대한 내용을 다룰 것이다. 또한 유일한 접근 방식이 아닌 혁신적이고 참신한 해결책을 찾고있다.
- Difficult challenges (재료 제한 장치 확장 시대에 대한 FEP의 대응)
Mosfet scaling은 무어의 법칙에 의해 예상치 못한 이득을 달성한 주요 기술이었다. 이러한 이득으로 인해 새로운 lithography장비, mask, PR물질, 식각 기술 등의 공정기술의 발전 덕이었다. 하지만 이러한 발전으로 더 작은 크기의 소자를 생성할 수 있었음에도 전공정기술이 소자의 발전을 따라가지 못하고 있다. 이러한 문제는 트랜지스터, 커패시터의 재료인 실리콘, 실리콘 이산화물 및 폴리실리콘이 근본적인 재료의 한계에 도달하여 새로운 재료의 도입이 필요했다. 이러한 상황을 ‘material-limited device scaling’이라고 한다.
또한 재료가 제한된 device scaling은 실리콘 웨이퍼 기판, 기본 평면 CMOS빌딩 블록,메모리 저장 구조 등이 포함된 모든 공정기술의 재료를 새롭게 요구했다.

참고 자료

Understanding Flash memory ... (eenewsembedded.com)
플래시 메모리와 NVMe (gluesys.com)
039 Flash 동작원리 - YouTube
메모리 반도체는 어떻게 데이터를 저장할까? [Part. 2 Flash Memory, New Memory] - Materials Square
반도체 메모리 기억장치의 종류와 특성 (DRA.. : 네이버블로그 (naver.com)
https://blog.naver.com/macinnovation/222668810763
https://www.skcareersjournal.com/146
https://m.blog.naver.com/leeneer/221852232213
https://blog.naver.com/wjsekdus945/222416518506
https://ybkstorage.tistory.com/entry/%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4-%ED%94%8C%EB%9E%98%EC%8B%9C-%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%ACFlash-Memory
https://blog.naver.com/klp0712/221078368725
https://blog.naver.com/puninuq/221077655773 -
NAND Flash의 동작 - Program, Erase, 읽기 동작 (tistory.com)
<30305F31B8F1C2F720B9D720C0D3BFF8B8EDB4DC2E687770> (koreascience.kr)
https://blog.naver.com/hmc8969/222787261137
https://sshmyb.tistory.com/168
https://photogrammers.tistory.com/69
https://m.blog.naver.com/drcooper/221985235114
https://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=ghyokim&logNo=222207440554
https://blog.naver.com/liltslyfe/222780120959
반도체 공학 10-35 CMOS(Latch up) - YouTube
https://m.blog.naver.com/nnfcblog/60200389291
https://en.wikipedia.org/wiki/Latch-up
https://tozest.tistory.com/entry/Latchup-%EC%9B%90%EC%9D%B8%EA%B3%BC-%EC%98%88%EB%B0%A9%EB%8C%80%EC%B1%85
https://www.seminet.co.kr/ms_pdf/667_20160106174436_201504_sr_st.pdf