전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]

목차

1. 실험 방법 및 결과
2. 비고 및 고찰

본문내용

5. 실험 방법 및 결과

1) 그림 14.1과 같은 구조와 아래의 도핑 농도를 가지는 n-channel MOSFET를 구성한다.

∙ 기판 농도는 1E16 cm-3, 소스, 드레인의 표면 농도는 1E20 cm-3이며, 접합 깊이는 0.3um, 게이트 전극 길이 L=1um, oxide 두께는 0.01um이다.
∙ 산화막은 다음과 같이 mesh를 설정할 수 있다. 는 산화막이며, 는 실리콘이다. 산화막은 전계의 분포 변화가 심하기 때문에 mesh를 10개 넣었다.
y.mesh loc=-0.01 node=1
y.mesh loc=0.0 node=10
y.mesh loc=0.3 node=30
y.mesh loc=0.5 node=40
y.mesh loc=3.0 node=50
∙ 산화막과 실리콘의 region은 다음과 같이 정의할 수 있다.
region num=1 ix.low=1 ix.high=40 iy.low=1 iy.high=10 oxide
region num=2 ix.low=1 ix.high=40 iy.low=10 iy.high=50 silicon
∙ 게이트 단자는 다음과 같이 정의할 수 있다.
$ 1=drain, 2=gate, 3=source, 4=body

참고 자료

없음