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LDD구조공정설계

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최초 등록일
2009.08.12
최종 저작일
2009.04
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소개글

LDD구조공정설계

목차

1.설계목적
2.설계 과정
3. 최종 결과 Source
4.doping 농도 비교
5.결과

본문내용

1.설계목적
NMOS 구조에서 핫케리어 문제 해결, 게이트 컨트롤에 따른 전류 구동능력을 향상시키기 위해서 Spacer를 이용한 LDD(Low Doped Drain) 구조를 사용한다. 이번 설계에서는 LDD 공정에서 Spacer의 역할을 확인하고 직접 LDD 구조를 설계 Tool을 이용해서 Simulation결과를 도출하고 공정방법을 이해하는 것을 목적
으로 한다.

2.설계 과정
case① Spacer etching LDD 구조 설계
Metal 밑의 도핑 농도 = 약 Spacer 밑의 도핑 농도 = 약
Spacer를 제거 후에 low doping이 이루어짐

중략..

5.결과
NMOS공정에서 LDD 구조를 만들기 위해서는 n-(low level doping)된 층과 n+ 된 층이 필요하다. 이 구조를 만들기 위해 Nitride가 페터닝된 Spacer가 필요하다. n- 층이 Spacer 아래에 도핑되어야 하기 때문에 Spacer를 생성하기 전 단계에서 Ion-implantation과 Drive-in 과정을 통해서 n-층을 만들어 준다. 그 다음 공정으로 Nitride로 Gate전극 양옆에 Spacer를 페터닝을 해주고, 또 다시 Ion-implantation과 Drive-in 을 통해서 n- 층보다 더 많은 양의 Dose를 사용함으로서 n+층을 만들어준다. 이 과정에서 Ion-implantation을 할때 그 전 공정에서 만들어준 Spacer가 Protection Layer 역할을 하여 Spacer 아래의 n- 층의 도핑을 막아준다. 이를 통해서 계단 형태의 n+와 n-의 도핑이 가능하다.
공정상에 주의할 점은 n- 층을 만들어 줄때 충분한 Drive-in 과정이 생략되게 되면 얇은 층의 n- 도핑영역을 만들기 어렵고, n+ 층을 만들어 줄때 Drive-in 과정에서 너무 높은 온도와 시간을 사용하게 되면 Pre-deposition 된 Donner가 Spacer 아래 부분까지 Diffusion 되면서 LDD 구조를 만들지 못하게 된다. 때문에 적당한 온도와 시간을 Drive-in시 설정해 주어야 한다.

참고 자료

없음
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