반도체공학-MOS diode설계 최종보고서
- 최초 등록일
- 2013.12.22
- 최종 저작일
- 2012.06
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목차
1. Ideal MOS diode 의 조건 및 Energy band diagram
2. 일반적인 MOS diode 의 제작 공정
3. Metal 종류의 선택과 선택 이유
4. Doping 농도의 계산과정
5. 결론
본문내용
▪ 설계 내용
MOS diode 의 특성을 이해하고, ideal MOS 구조를 설계하는데 필요한 Si 의 도핑농도와 metal electrode 를 설계한다.
- Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode 를 제작하고자 할 때, n-Si 과 p-Si 각각의 기판에 대하여 metal 의 종류를 선택하고, ideal MOS diode 의 조건을 만족하기 위한 n-Si 과 p-Si 의 도핑농도를 설계하시오.
(metal 의 workfunction 은 text book 이나 인터넷 검색을 통해 알아볼 것.)
▪ 설계 내용
설계보고서를 결과물로 제출하며, 설계보고서에는 다음의 내용이 포함되며, 서론, 본론, 결론에 포함될 내용은 다음과 같다.
1. Ideal MOS diode 의 조건 및 Energy band diagram
2. 일반적인 MOS diode 의 제작 공정
(text book 과 인터넷 검색을 통해 알아볼 것)
3. Metal 종류의 선택과 선택 이유
4. Doping 농도의 계산 과정
(Dopant는 상온에서 completely ionize된다고 가정)
5. 결과에 대한 총론
참고 자료
없음