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스퍼터링 기상반응법 evaporator Cr ITO 증착 Sputter 전기화학 ito glass
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"스퍼터링 박막형성" 검색결과 281-300 / 449건

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    생체재료학 연습문제 레포트
    들의 이온 스퍼터링에 대한 기초연구에 중점을 두고 있다. 고분자의 TOF-SIMS 스펙트럼은 고분자 형태, 작용기, 반복단위, 말단기, 그리고 가지친 사슬의 데이터를 얻어 고분자 ... 들은 재료의 원자 및 분자들과 충돌하여 수 백 A의 크기의 collision cascade를 형성하는데 표면의 일부는 표면 결합에너지 보다 큰 운동 에너지를 전달 받아 표면 밖 ... 화학적인 결합상태를 알 수 있다. 에너지원으로 X-선이 사용되어 절연체에 적용이 가능함으로 도체 및 반도체 절연박막의 분석에 큰 장점을 가지고 있다. 또한 이온빔으로 표면을 식각
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    | 리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2010.07.28 | 수정일 2023.06.26
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    [공학]PECVD 란
    , 새로운 결합을 만들어 박막을 형성하게 된다. 때로는 외부 공정 변수에 따라 가스상태에서 핵 형성 반응이 일어나기도 하고, 플라스마내의 불순물은 핵 site로 작용, 불필요한 먼지 ... 2와 같이 평형 평판형 구조를 갖고있으며, 웨이퍼는 접지 전극에 두어 이온 충돌에 의한 스퍼터링 효과를 최소화시키고 있다. PECVD에 의한 박막특성은 증착속도, 박막조성비 ... , 밀도, 굴절률, 막 두께의 균일도, 응력, 표면 덮음율(stepcoverage)과 에칭속도 등으로 평가한다. PECVD 방식으로 형성할 수 있는 여러 가지 박막들을 플라스마 공정관점
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    | 리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.04.29
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    ito(투명전도막)_원리 및 동향
    들을 드라이버와 연결하는 배선전극 및 이미지를 구현하는 화소전극으로 구성된다.기존의 평판디스플레이의 화소전극은 주로 ITO가 스퍼터링에 의해 유리기판상에 박막으로 코팅된 유리가 주로 사용 ... 시켜 접착성, 투과성 등의 새로운 기능을 부여하는 수단으로 이들 기능을 갖는 박막의 형성에 실질적인 응용분야로 확대되고 있다.? 이온빔 표면 처리이온빔을 통한 표면 처리 및 이온빔 ... 가지 성질을 만족시키는 박막이다.기존의 평판디스플레이의 경우, 금속 산화물 투명전극이 진공 공정을 통해 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정으로 제조된 박막트랜지스터
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    | 리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.02
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    건식도금(pvd, cvd)
    ource를 이용할 수 있는장점이 있다.증발원으로부터 기판에 증착되기까지의 박막증착 형성과정은 크게① 재료의 증발에 의한 기체상으로의 상변화② 증발원으로부터 기판까지의 원자 또는 ... 스퍼터링의 장ㆍ단점장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 면적에 걸친 고른 박막의 증착이 가능.b. 박막의 두께 조절이 용이.c. 합금 물질의 조성 ... 성.(3) 이온 도금- 이온도금은 고체물질을 가열 혹은 입자를 충돌시켜 원자, 분자로 분해하고 다시이것을 D.C나 R.F전원으로 이온화시켜 처리물질의 표면에 응축시켜서 박막을 형성
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    | 리포트 | 21페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.17
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    CVD&PVD
    기 안으로 주입되면 열이나 플라즈마 등으로부터 에너지를 받게 되어 분해되는데, 이때 원하는 물질이 기판 위에 도달하여 막을 형성하는 기술이다. 화학적 기상 성장을 이용하는 박막 ... 한 에너지원으로 이용하고 있는 반면에 PECVD는 플라스틱을 이용함으로써 그 만큼의 열에너지를 줄일 수 있게 되어 저온에서 박막을 형성 할 수 있다. 이러한 장점 때문에 SiO2 ... 박막이 형성되게 된다. 이어서 기상의 부산물들은 반응챔버를 빠져나간다.CVD의 장점으로는 저온공정이 가능하고, 불순물의 분포와 농도 조절가능하고, 두께 조절nm단위로 가능하고, 열
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.01
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    TFT와 FET 그리고 둘의 차이점
    을 분해하고, 형성된 가스 이온 상호간의 반응 및 유리에서 제공되는 열에너지의 도움으로 재결합하여 박막이 형성, 성장되는 원리이다.2) 식각기술물리적, 화학적인 반응을 이용하여 유리상 ... 에 PR에 의하여 형성된 Pattern대로 박막을 선택적으로 제거함으로써 실제의 박막 Pattern을 구현하는 방법으로, Pattern이 형성된 부분의 박막은 남게 되고 PR이 없 ... 되며, 전기장의 방향에 따른 이방성 식각이 특징이다.3) 사진패턴 형성 기술사진기술(포토리소그래피, Photolithography)은 마스크에 그려진 Pattern을 박막이 증착
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.04.06
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    나노구조물을 합성하는 방법중 저항가열에 의한 물리적 기상증착을 적용한 방법
    Fabrication of Metal Nano Structures by PVD Using Porous Alumina Film1. 실험 목적다공성 알루미나 박막을 주형으로 이용 ... 하여 나노구조물을 합성하는데 사용되는 CVD방법 대신 저항가열에 의한 물리적 기상증착을 적용 하여 다공성 알루미나 박막 주형의 세공직경과 벽 두께에 따라 합성되는 구조물의 형태를 조사 ... - 스퍼터링 (Sputtering) - 화학적 기상 증착 (CVD) ⇒ 저 생산율 고가장비의 소요, 나노 구조물들의 불규칙한 모양과 크기 및 배열, Substrate와 나노구조물
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    | 리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2007.02.14 | 수정일 2014.08.11
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  • 자료 표지
    스퍼터링
    되는 원자들은 기판(substrate)에 축적되어 박막을 형성하게 된다.스퍼터링이 일어나면 타겟에서 2차 전자, 중성의 반사 입자, 음 또는 양이온, 타겟 원자를 포함하는 입자 ... 만을 이용하여 스퍼터링을 하는 경우 리액티브 가스가 기판 표면을 때려 기판에서 오히려 선택적인 스퍼터링이 일어나서 stoichiometric 한 박막형성을 방해할 수 있다.(3 ... . 이 현상을 스퍼터링(sputtering) 현상이라고 부른다. 이 현상이 1842년 Grove에 의해서 발견된 후 박막 제작에의 이용은 1870년대부터 행해져 왔는데, 공업기술
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.10
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    [금속재료공학]FCCL
    박막을 테스터기가잡은 후에 위로 당기는 것인데 그러기 위해서는 그 두께가 최소한 10㎛ 가 되어야 박막을 잡고부착력 측정을 할 수가 있다. 그러나 스퍼터링 을 이용하여 그 정도 두께 ... 의 박막을 입히려면너무나 많은 시간이 소요되기 때문에 편의상 스퍼터링을 이용한 박막은 약 500㎚ 정도 입히고그 다음에 구리 도금을 이용하여 10㎛ 정도의 구리박막을 만들어 주 ... 었다.여기서 PI 판과 구리 박막 사이에 다른 금속을 스퍼터링 하여 박막을 입혔는데 사용된 금속이니켈과 크롬이었다. 이 같은 공정을 하는 이유는 PI 판위에 그냥 구리 도금을 한 것
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.08
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    진공과 진공펌프에 대해서~
    organic CVD), MICVD (Metal Inorganic CVD)형성되는 박막 용도, 반응실 형태 등에 따라 구분☞ PVD (Physical Vapor Deposition ... Deposition)스퍼터링 (sputtering)진공 증착법 (Evaporation)- CVD (Chemical Vapor Deposition)압력: LP-CVD (Low presure ... )와 CVD대해 언급하면, PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17
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    [전자재료, 반도체, 반도체공정]pvd와 cvd의 조사
    , 광분해. 산화환원, 치환 등의 화학반응에 의해서 소망하는 박막을 형성시키는 방법”이라고 할 수 있다. PVD기술이 진공 증발기술이나 스퍼터링 등의 고진공 중에서의 물리적 현상 ... 1. CVD란?CVD기술의 원리는 “형성시키려고 하는 박막재료를 구성하는 원소로 된 1종 또는 그 이상의 화합물, 단체의 가스를 기판위에 공급해 기상 또는 기판 표면에서의 열분해 ... 에 기초하는 박막형성법인데 비해, CVD법은 화학반응의 응용인 것에 특징이 있다. CVD기술에 의한 박막형성의 특징으로는, 원료가스의 유량을 제어함으로써 막두께를 또한, 원료선택
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.01.08
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  • 자료 표지
    박막의 제조방법
    하는 재열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정 ... and Hydrolysis 반응④ Carbides 와 Nitrides를 형성하기 위한 반응⑤ CVD의 전조물질6) CVD의 종류① PECVD(plasma enhanced ... 율(sputter yield)사. 플라즈마 보조 PVD(Plasma Assisted PVD)의 분류① DC 과정(가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)(나) 삼극
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    | 리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06
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    Thermal evaporation system
    방법의 장점은(1) 장치전체의 구성이 비교적 간단하다.(2) 매우 많은 물질에 쉽게 적용할 수 있다.(3) 박막이 될 수 있는 메카니즘이 비교적 단순하기 때문에 박막형성에 있 ... 와 박막재료가 어느 조합에 대해서 반응이나 확산을 일으켜 화합물이나 합금을 형성하는 문제이다. 왜냐하면 합금이 되면 융점이 떨어지고 증발원은 끊어지기 쉽기 때문이다.따라서 증발원 ... 는 것이 바람직하며, 이 방법은 다양한 크기와 형상의 증착 source를 이용할 수 있는 장점이 있다.증발원으로부터 기판에 증착되기까지의 박막증착 형성과정은 크게(1) 재료의 증발
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16
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  • 자료 표지
    투명전도막
    공공의 형성과 Sn4+ 이온의 In 자리 치환에 의한 형성으로 전기전도도의 성질을 나타내며, Sn의 적정 첨가량은 10wt%로 알려져 있다.● ITO 박막의 구조-> Bixbyite ... 때문에 활발히 연구되었던 Cd2SnO4 박막의 transmittance 측정 결과이다. 가시광선 영역에서 80~90 % 수준의 투과도를 나타내는 것을 볼 수 있다. Energy ... 우수한 TCO 재료들은 이론적 배경으로 재료를 설계하기보다는 여러가지 물질에 doping, alloying 등을 통해 찾아내는 식의 연구가 주로 진행되고 있다.- 종류● 금속 박막
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.09.20
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    [자연과학]박막과 MEMS
    한다. 장점으로는 막의 두께가 비교적 균일하며 내화재료 및 절연막의 형성도 가능하며 합금 target을 이용하여 합금 박막을 쉽게 형성할 수 있다는 것이다. 반대로 진공에서 견디지 못하 ... 에서는 증발 현상이 발생하며, 증발된 물질이 반대쪽의 기판부위에 이동하여 증착함으로서 박막이 형성되는 것이다. PLD는 target의 조성이 박막의 조성과 대단히 유사하여 다성분계 재료 ... 의 박막형성에 유리하며, 조성조절이 용이하며 기판에 도달되는 원자 및 분자의 에너지가 높은 양질의 박막형성에 유리하다. 그리고 모든 고체의 박막형성이 가능하며 증착속도가 대단히
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.11
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    [반도체 관련 장비] 스퍼터 원리와 DC,RF 스퍼터
    하게되고 결국에는 얇은 박막을 형성하게 되는데 위와 같은 공정을 그림 4에 나타내었다.표 1. 스퍼터링의 장단점{장점단점a. 넓은 면적의 target을 사용할 경우 wafer 전 ... frequency-sputtering)직류 인가 스퍼터링의 가장 큰 단점은 절연물질의 증착이 불가능하다는데 있다. 이러한 절연물질들을 스퍼터링에 의해 박막을 형성시키기 위해서는 직류 전원 ... 에 절연물을 형성함으로써 타겟의 오염을 유발시킬 수 있기 때문이다. 전형적인 직류 인가 스퍼터링의 구조를 그림 5에 나타내었다.(2-2) 라디오 주파 스퍼터링(radio
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.06
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    전착공정을 이용한 Ni 나노선 제조 및 특성분석 (예비레포트)
    된 이온이 음극의 물체 표면에 들러붙게 하여박막을 증착시키는 방법M+(금속의 이온) 이 e-(전자) 와 결합하여 결정격자를 이루며 전착되는 과정2. 전착의 원리전착도장은 전착도료 ... 에 전기 전도성만 주어진다면 전 부분에 균일하게 도막이 형성되기 때문에 고도의 방청성이 요구되는 자동차 및 부품과 가전분야등에서 주목 받고 있는 방식이다. 전착은 일반적으로 용액 중 ... 원자로 되는 전하이동과정(방전과정) 및 환원된 원자가 결정으로 형성되어 가는 결정화과정으로 되어 있다. 방전된 이온은 금속원자로 되고, 소지금속의 결정격자로 된다. 석출된 금속원자
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.23
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  • 자료 표지
    PVD의 정의 및 공정
    진공 환경에서 실험하는 것이다.PVD 방식으로 제조할수 있는 박막재료는, 금속, 합금을 비롯하여 화합물, 비금속 산화물등이 있다.2. PVD의 종류① 이온을 이용하지 않는 진공 ... )④ 증금형의 종류나 형상에 따라 이온플레이팅의 응용이 불가능한 경우도 많으므로 이러한 문제점의 개선이 요망된다.① 密着性진공증착이나 스퍼터링에 비해서는 우수한 밀착성이 얻어지지만 확산 ... 충분히 제거해 놓을 필요가 있다. 현재 행하여지고 있는 전처리로는 유기용제나 기타 약품에 의한 초음파세정, Ar이온에 의한 스퍼터링 등이 있다.또 중간막을 이용하는 것도 밀착성 개선
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.06.02
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  • 자료 표지
    [OLED, LED] Sputtering을 이용한 박막 증착
    수 있다는 점이 장점이다. 이러한 Sputtering 현상을 이용하여 wafer 표면에 금속막, 절연막 등을 형성하게 된다. 박막증착은 특히 반도체산업에서 핵심적인 분야인데 그동안 ... Sputtering을 이용한 박막 증착1. 실험목적Sputtering을 이용하여 박막을 증착해보고, Sputtering의 특성을 파악해본다. RF Sputter를 직접 다루 ... 이온 빔(ion-beam), 전자 빔(electron-beam) 또는 RF(Radio-Frequency) 스퍼터링(sputtering) 등을 이용해 왔으나 최근에는 엑시머 레이저
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.05
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    [공학] 전자 제품의 증착부품 설계시 고려사항
    튀어나온 원자가 (+)극인 모재 기판에붙어 박막이 형성된다.==>표면처리의 일종으로, 진공Chamber에서 소재를 음극으로하고 코팅재질을 양극으로해서, 강한 전압을 걸어 방전 ... ) 코팅온도 및 처리강종에 따라 다르지만 약 2-4시간내에 5 ∼ 15μ 의 코팅층이 형성된다.(2) 특 징1) 장점① 석출층의 종유가 많아 금속산화물, 질화물, 산화물 등을 피복 ... 으므로 열에 의한 영향이 없다.③ 여러 종류의 화합물을 피막을 얻을 수 있다.④ 구멍의 내면 등의 피복은 곤란하다.(2) 스퍼터링(Spputtering)1) 원리 : 높은 에너지를 갖
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.15
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