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스퍼터링 증착 evaporator Cr ITO 증착 Sputter 전기화학 ito glass
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"스퍼터링 박막형성" 검색결과 201-220 / 449건

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    태양광전지
    형 반도체로 window 층으로 사용되는 ZnO 박막이 P-N 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지밴드갭의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 위해서는 밴드갭이 두 물질 ... 을 사용하여 두께 약 500 Å정도의 박막으로 형성한다. CdS 박막은 2.46 eV의 에너지밴드갭을 가지며 이는 약 550nm의 파장에 해당한다. CdS 박막은 N형 반도체이며 In ... 다. B을 도핑하기도 하는데, 근적외선 영역의 광투과도가 증가하여 단락전류를 증가시키는 효과가 있다. ZnO박막은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.21
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    반도체공학의 공정
    )의 분류에 속하지 않는다. 이온 플레이팅은 증발에서 얻을 수 있는 빠른 증착 속도와 스퍼터링에서 얻어지는 치밀한 박막 미세조직과 화합물 형성능력을 조합한 혼성(Hybrid) 기술이 ... 의 강재에는 피막은 형성되지 않는다.PVD는 그 원리에 따라 증발(Evaporation)과 스퍼터링(Sputtering)으로 대별할 수 있다. 증발은 도금할 물질을 기화하는데 있 ... 어서 열에너지를 이용하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지를 이용해서 도금물질을 기화하는 방법이다. 증발은 열에너지를 공급하는 방법에 따라서 세부
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.09
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    증착기를 이용한 반도체 공정
    )과 증발(Evaporation)으로 나눌 수 있습니다. 증발은 증착할 물질을 기화하는데 있어서 열에너지를 이용하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지 ... 다른 기체 분자와 함께 박막을 형성하면서 박막의 순도를 떨어뜨리는 것도 막아야 합니다. 그래서 진공상태에서 증착을 시키게 되는 것입니다.① 저항 가열식 (Thermal ... 하고 있는 반면에 PECVD는 플라즈마를 이용함으로서 그 만큼 열에너지를 줄일 수 있게 되어 저온에서 박막을 형성할 수 있다. 이러한 장점 때문에 고온에서 사용못하던 폴리머 기판등
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21
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    메모리 반도체 제작 과정 및 이론 설명 ppt
    반도체 메모리 박막Contents 1. 웨이퍼 가공 공정 2. FRAM결정성장 PVD : Physical Vapor Depostion CVD : Chemical Vapor ... Photo Resist노광 (Exposure) 웨이퍼 표면 STE-PPER 를 사용하여 Mask 에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR 막이 형성된 웨이퍼 위에 회로 패턴을 사진 ... torrPlasma LPCVDPhysical vapor deposition PVD 스퍼터링법 DC 스퍼터 RF 스퍼터 바이어스 스퍼터 진공증착법 저항가열증착 전자빔증착 고추파가열
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    | 리포트 | 72페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2023.04.24
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    DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사
    PVD 기술로 대표되는 스퍼터링 증착 기술은 고융점 금속이나 조성이 복잡한 합금의 박막 형성이 쉽다는 특징이 있어서 ULSI의 여러 가지 제조 프로세서 등에서 진공 증발 기술을 대신 ... ], 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 스퍼터링(sputtering)은 높은 에너지(30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자 ... 플레이팅(Plating)증착기술로 나누어진다. PVD 기술은 목적하는 박막의 구성 원자를 포함 하는 고체의 타켓을 물리적인 작용(증발, 승화, 스퍼터링)에 의해 원자?분자
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 37페이지 | 6,000원 | 등록일 2008.01.16 | 수정일 2014.08.20
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  • 판매자 표지 자료 표지
    [공업화학실험] 식각실험 예비보고서
    공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이 ... 다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.3. 실험내용가장 ... 이 증착 재료인 타깃을 때려 타깃재료가 떨어져 나와 증착되는 스퍼터링이 있다. 물리적 증착은 주로 알루미늄과 같은 금속 박막을 얻는 데 사용되고 있다. 집적 회선의 배선을 위한
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.23
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    Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험
    Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험1. 실험 목표- Silicide ... 와 같은 macro-particle이 형성되지 않는다.? 저온 증착이 가능? 전자의 입사에 의한 기판의 손상? 에너지의 비효율성? 높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ... 에서는 비저항이 제일 낮은 Cu를 사용해 박막을 만들었다. Cu 박막은 비저항이 낮다는 장점을 가진 반면 Si 로의 빠른 확산으로 인해 Silicide를 쉽게 형성한다는 단점도 있
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25
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  • 자료 표지
    PECVD / SPUTTER
    가 중성 상태로 유입된 기체 화합물과 충돌하여 기체 화합물을 분해하고,형성된 가스 이온 상호간의 반응 및 유리 기판에서 제공되는 열에너지의 도움으로 재결합 하여 박막이 형성,성장 ... 면 관 끝 쪽이 거뭇하게 되어 있는데 이는 플라스마로부터 음극에 들어가는 이온에 의한 스퍼터링 현상이며 음극 재료인 원자가 튕겨 나갔기 때문이다. 이러한 현상을 응용한 것 ... 이 스퍼터링 기술이다.왼쪽 그림을 보고 설명하자면, 예를 들어 운동 에너지를 갖고 있는 이온이 음극 표면의 수천 개의 격자형 원자와 격렬하게 충돌하여 제 1층 또는 제 2층에 있는 원자
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.12
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  • 자료 표지
    cvd
    의 플라즈마는 전기저항이 낮아지게 된다. 이러한 자기적 특성을 이용하면 전압을 상승시키지 않고 높은 밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.3. PECVD스퍼터링으로 박막을 형성할 때 ... 의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 어떤 형태로든 최종적으로 기판에 남아 제품의 신뢰성에 깊이 관여하게 된다. 표면위로의 물질의 수송과 증착에 있어서의 과정에 대한 ... 는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16
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    박막 에칭
    다. 반도체 웨이퍼에 산화박막을 형성해서 포토레지스트 ( photoresist)로 패턴을 형성한 후 에칭으로 불필요한 박막을 제거한다. 에칭의 기법 습식 식각 (wet etching ... 한 부위만 방식 (防蝕) 처리를 한 후 부식시켜서 불필요한 부분을 제거하여 원하는 모양을 얻는다.○ 반도체공학 반도체공학 분야는 웨이퍼의 반도체 박막을 형상가공하는 기술에 응용되고 있 ... ) - 불산 액체를 사용 건식 식각 (dry etching) - 4불화 메탄 (tetrafluoromethane) 가스를 사용 동일하게 인쇄 회로 기판의 배선 형성을 위해 도체
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    | 리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.05.13
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    반도체공정순서 및 박막 증착법
    에피탁시는 특별한 종류의 박막 증착법입니다. 에피탁시란 고온에서 단결정 실리콘위에 수증기로부터 단결정 실리콘 층을 성장시키는 것이죠, 3가 염화물 혹은 4가 염화물(SiCl4 ... )과 기상 증착에 의하여 CVD에서 비슷한 반응기에 형성되는 부가적인 실리콘(Si)은 이미 존재하는 결정의 방향에 따라 성장이 되게 됩니다. 에피층의 도핑은 도펀트 역할을 하는 인화수소 ... (PH3), 혹은 B2H6등의 기체를 넣어 조절합니다.에피탁시 성장의 목적은 표면위에 일반적으로 전기적으로 활동하는 낮은 농도의 불순물의 층을 형성하기 위한 것입니다. 예를 들어 p
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.09.25
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    Flexible Display 정의(개요), 핵심 기술, 기술별 국내외 기술 개발 현황, 특허분석, 향후 시장성과 경쟁력 분석 발표 자료
    , LTPS TFT 및 OTFT(organic TFT) 가 검토 플라스틱 필름의 열팽창 계수가 약 50 ppm /℃ 정도임을 고려할 때 150 ℃ 이상의 온도에서 박막 형성공정이 진행 ... 되면 기판이 휘는 현상 과 박막이 기판으로부터 박리되는 현상이 발생 . 이를 제어하는 기술이 현재 이슈핵심 기술 공정이 복잡한 Poly-Si TFT 대신 유기물반도체를 이용 ... -Paper 디스플 레이가 가장 먼저 시장을 형성할 수 있을 것으로 예상핵심 기술 플렉서블 OTFT/E-Paper 디스플레이 기술의 대표적인 곳은 폴리머 비 전과 플라스틱 로직
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    | 리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.03.02
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    열증착
    에서 10μm정도의 두께를 가진 기판 상에 만들어진 고체 막으로 정의된다. 이와 같은 박막은 형성과정이 보통의 덩어리재료(Bulk)와 다르기 때문에, 구조차이에 의한 막 고유 ... 분위기에서 금속 wire를 폭발시키는 방법으로 박막을 형성하였다. 그 이후로 1887년 Nahrwold개 백금 wire를 Joule heating시키는 방법으로 박막을 얻 ... 었으며, 1888년 Kundt가 굴절률 측정방법으로 금속 박막을 얻고자 증발 증착법을 사용하였다. 박막의 형성 원리는 비교적 간단한데 진공중에서 금속, 화합물 또는 합금을 가열하여 증발
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08
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  • 자료 표지
    [공학기술]박막 공정,PVD,증착,진공증착,스퍼터링 보고서
    는 금속 뿐만 아니라 화합물, 절연체의 박막형성이 용이하며, 높은 에너지를 갖는 공정이므로 박막의 접착력이 크다. 또한 step coverage가 좋아서 균일한 성막이 가능하다. s ... 에서 자유롭게 운동하게 되며 기판에 입사되는 원자들은 증착층을 형성한다. 스퍼터링된 원자들은 운동량 전달에 의해 비교적 높은 운동에너지를 가지므로 기판 표면에서 증착층을 형성할 때 열 ... 화되고 활성화되며 스퍼터링된 원자들과 반응하여 질화물, 타화물 등의 화합물 피막을 형성한다. 이러한 공정을 반응성 스퍼터링(Reactive sputtering)이라고 한다.bias s
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    | 리포트 | 70페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.08.16
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    [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>
    어 대부분의 Sputtering 공정에서 이용되고 있는 추세이다.박막증착이 특히 핵심적인 분야인 반도체 산업에서는 RF 스퍼터링 혹은 Ion beam 스퍼터링 기술을 이용해왔으나 최근 ... 는 기술이다. 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라, 보다 얇으며, 양질의 박막이 요구되지만, 기존 박막 형성 기술로써는 그 요구를 만족시키기에는 한계가 있으며, 이 한계를 극복 ... 과 CVD 공정의 동향과 이용되는 산업에는 무엇이 있는지 조사하고 자신의 이론을 바탕으로 알아보자.2. Sputtering스퍼터링(Sputtering)은 PVD에 해당하는 증착법 중
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14
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    화합물 반도체 태양전지
    , CIGS 박막-배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 앞면 투명전극, 반사방지막을 순차적으로 형성시켜 만든다. 단위박막별로 다양한 종류의 재료와 조성, 또한 제조방법에서는 갖가지 물리적, 화학 ... , Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. Mo 박막의 제조는 DC 스퍼터링 가장 널리 이용되고 있다. Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하 ... 박막이 pn 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지밴드갭의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 형성하기 위해서는 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 버퍼층이 필요
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.13
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    PLA의 고유점도와 표면개질 측정
    에 의해 target쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다.FTS RF Sputtering(스퍼터링) 방전 ... 로 부착하는 기술 세라믹이나 반도체 소재 등에 전자 회로를 만들기 위해 고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막 thin film 이나 후막 thick film 을 형성하는 경우에 사용 ... 지 않아야 된다. 강의 경우 변태점보다 낮은 온도에서 처리할 수 있는 표면 개질 기술 중에 PVD와CVD는 공작물의 표면에 막을 형성 하는 것으로 그 목적을 달성 한다. 한편 질화
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    | 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.16
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    스퍼터링
    하여, 표면밖으로 튀어 나오게 된다. 이러한 현상을 스퍼터링 현상이라고 부르고 있다. 이 현상은 1842년 Grove에 의해서 발 견되고 박막에의 이용은 1870 년대부터 행해져 왔 ... 론 스퍼터링을 제안하게 되었다.1. 기본 이론글로방전에서 플라즈마를 형성하는 것은 음극에서 발생하는 2차전자이다.타깃 배면에 자석을 부착하여 전기장에 수직한 자기장을 형성 ... Sputteringwww.kyungwon.ac.kr방전 및 고전압차 례PVD and CVD스퍼터링이란....스퍼터링의 기본 원리스퍼터링의 종류Thin film Deposition
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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    나노튜브
    )기계적 강도 보강용 폴리머복합체, 연료전지분야등, 기존 모든 소재의 특성개질, 특성발현 용으로 적용가능SWCNT 또는 DWCNT 를 이용한 투명박막 전극(TIO 대체), - 전도 ... )을 첨가한 P형 실리콘반도체를 기본으로 하여 그 표면에 인(phosphorous)을 확산시켜 N형 실리콘 반도체층을 형성함으로서 만들어짐. 이 PN접합에 의해 전계(電界)가 발생 ... 하다가 PN접합에 의해 생긴 전계에 들어오게 되면 전자(-)는 N형 반도체에, 정공(+)은 P형 반도체에 이르게 된다.(그림 3)P형 반도체와 N형반도체 표면에 전극을 형성하여 전자
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.05
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    [신소재 설계입문] 생체 세라믹 재료를 이용한 인공뼈의 설계 보고서
    (Fiberous Monolithic) 공정에 기공형성제를 도입하여 다공질 섬유단상조직을 만들었다. 이를 통해 생체 불활성 세라믹재료의 단점인 파괴 인성을 향상시키고 세포가 자랄 수 ... (骨 小舟)라고 한다. 이것은 마치 건축물의 뼈대가 가로와 세로로 형성되어 건물을 지탱하는 것처럼 뼈 속에서 가로와 세로로 뻗어있어서 이것을 횡주(橫走)와 종주(縱柱) 라고 한다 ... 는데 이때 카본을 사용할 경우 Coating과정 중에 CO가 발생할 가능성이 있다. 하지만 이런 카본의 성질을 이용하여 기공형성제로 사용할 것이다.[28]나. 알루미나()알루미나
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    | 리포트 | 36페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.06.23
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