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스퍼터링 증착 evaporator Cr ITO 증착 Sputter 전기화학 ito glass
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"스퍼터링 박막형성" 검색결과 341-360 / 449건

  • 자료 표지
    [공학]Sputtering을 이용한 시간에 따른 ITO 증착의 특성
    율이 높은 절연 물질의 표면에 형성된 광투과율이 높은 박막 전극. 금, 플라티늄 등이 금속의 박막에, 산화 제이주석, 삼산화인듐, 이산화티탄 등이 반도체의 박막에 쓰인다. 투과도 및 ... 의 우수성을 알고보고 비교하고자 한다.실험장비ITO 타겟 기판(glass), 스퍼터링 장비, 4 Point probe, 알파 step, 비저항 측정기, 투과도 측정기, 비닐장갑 ... , 초음파 세척기, 질소건, 밀착 테이프, 가위관련이론1. PVD(물리적 기상도금)1) 원리 : 금속 또는 금속간 화합물을 증발하여 substrate에 응축 하여 피막 형성2) 용도
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.01.18
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  • 자료 표지
    [박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)
    Magnet 반응 최소화2 이온에너지 및 dose량 조절에 의한 스퍼터링 속도 조절 용이▶ 피막 형성1 모재표면으로 스퍼터링 된 원자의 이동 및 흡착2 흡착원자들의 표면이동, 충돌 및 결합 ... 확산 전무2 화합물 계면 : 금속간 화합물 또는 기타 화합물 형성반응3 확산계면 : 피막과 모재 사이에 상호 고용도에 의한 확산4 의확산 계면 : 모재 표면 원자의 스퍼터링 ... Mode : 3차원적인 island growth mode1 박막이 단위 면적당 표면에너지가 기지보다 높으면 cluster가 형성되어 성장2 격자불일치가 크면 V - W 형성. 이때
    Non-Ai HUMAN
    | 시험자료 | 5페이지 | 6,900원 | 등록일 2004.06.15 | 수정일 2014.06.30
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  • 자료 표지
    mram의 구동원리및 소개
    적으로 이루어지고 있으며, 현재 자기 터널링 접한구조를 형성할 수 있는 단계에 와 있다. 특히 KAIST는 RM동안 자기 터널링 접합소자 이외에도 자기기록용 자성박막으로서 연자성 ... )연구에 있어서 많은 진전이 있어 왔다. 가장 큰 관심 중의 하나가 MR비를 증가시키는 것이며, 이에 대한 집중적인 연구가 행해졌다. 이러한 연구의 결과 상온에서 통상의 스퍼터링 방법
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18
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    [전자재료]E-beam Evaporator
    Electron Beam Evaporator1. 전자빔 증착의 원리와 특징박막을 형성시키는 방법에는 크게 PVD법과 CVD법이 있는데, 특히 PVD법은 증착, 스퍼터링, 이온 ... 가 있을 수 있다.3단계의 증착층을 형성하는 과정에서는 박막 성장 방법에 관해 크게 3가지 이론이 있는데 Volmer-Weber Mode, Stranski-Krastonov Mode ... 플레이팅법으로 나누어지며 증착에는 저항열, 아크방전,전자빔,레이저 등을 이용하는 방법들이 있다.저항열을 이용하는 방법은 증발원과 박막재료가 직접 접촉하는 형식인데, 증발원이 박막재료
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.13
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  • 자료 표지
    [반도체공학]반도체 공정
    에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고결정구조가 완전 ... 공정(BEOL) ⇒ 조립공정(후공정) ⇒ 검사공정(후공정) ⇒ 신뢰성검사공정(후공정)⇒ 제품출하■ 소분류○ 기판공정(FEOL)에피택시얼층 형성 ⇒ 아이솔레이션(트렌치.LOCOS ... ) ⇒ 웰 형성(n웰.p웰) ⇒ 게이트산화막⇒ 게이트전극형성 ⇒ 스페이서형성 ⇒ 커패시터 구조형성(DRAM) ⇒ 소스드레인형성 ⇒배선 전 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒ 콘택트 홀
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05
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  • 자료 표지
    [신소재]진공증착법
    의 직진이 방해되고, 공간 중에서 이슬과 같은 미립자가 형성되고 말아 같은 모양으로 편평한 박막의 형성이 어렵게 된다.-공기분자가 박막 속에 들어가 불순물이 된다.-공기 중의 활성분자 ... 가 박막물질과 화합물을 형성한다.-기화 혹은 증발을 위한 가열장치나 증발물질과 공기분자가 반응하여 화합 물을 형성하여 정상의 증발이 불가능하게 된다.등의 장애를 발생시킨다.여기 ... - 서론 -박막의 제작기술은, 전세기 혹은 그 이전부터 존재하고 있었는데, 특히 최근에 매우 일반화 되어 대학, 기업, 연구소 등의 연구실이나 생산현장에 보급되어 왔다. 현대
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    | 리포트 | 102페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13
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  • 자료 표지
    [반도체 제조공정] 반도체 제조공정
    은 8의 절연막, 폴리실리콘막 및 W 등의 금속막은 CVD법에, A1, TiN 등의 금속 또는 도전성 막은 PVD법인 스퍼터링(Sputtering)에 의해 형성된다.SPUTTERING ... 하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지를 이용해서 도금물질을 기화하는 방법이다.스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체(주로 Ar, Kr, Xe 등)의 글 ... 전원을 이용해서 바이어스를 인가해야 한다. 방출된 원자들은 진공조 안에서 자유롭게 운동하게 되며 기판에 입사되는 원자들은 증착층을 형성한다. 스퍼터링된 원자들은 운동량 전달에 의해
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.11
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  • 자료 표지
    Sputtering의 종류와 메카니즘
    의 금속 박막 증착에 많이 사용되어지며, 경우에 따라서 Si, SiO2 등의 박막형성에도이용된다.스퍼터링 방법은 다음과 같은 장,단점이 있다.장점:- 넓은 면적에서 균일한 박막두께 ... 에 쌓이게 함으로 박막층이 만들어지게 하는 방법을 물리 기상증착법(PVD)이라고 한다.크게 스퍼터링(sputtering) 과 증발법(evaporation) 으로 나눌수 있다.- s ... 및 반도체 박막의 제작3. 전극 제작 : 전자 소자의 전극 형성4. 반사 방지막 형성 : 광 소자의 표면에 반사 방지막 형성5. 전도성 투명 전극 제작 등에 이용할 수 있다.1
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.11
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  • 자료 표지
    [공학] 건식도금에 대하여 CVD와 PVD
    에서 금속, 금속화합물 또는 합금을 가열증발시켜서 증발금속 또는 증발금속화합물을 목적물질의 표면에 응축하게 하여 박막:薄膜(thin film)을 형성시키는 방법을 진공증착법(또는 ... 은 소재(基板:기판에 엷은 금속 또는 금속화합물을 피복시킨다는 의미에서 박막(薄膜)제조기술(thin film technology)이라는 말을 많이 사용하고 있다.이 중 CVD 법 ... 대에는 반도체서는 안 될 기술로 되었다.한편 고융점의 텅스텐, 탄소, 탄화물, 질화물, 산화물, 규화물 등의 내산화성, 내마모성, 내식성 등의 우수한 피막을 형성하여 종래의 재료에 새로운
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.01
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  • 자료 표지
    [나노입자]나노 입자 제조 및 분석 방법
    시 기판과 target과의 거리는 중요한 인자(factor)가 된다. 여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering ... methode)라 하며 일반적으로 전도체의 sputtering에 사용된다. 절연체와 같은 부도체는 교류 전원을 사용하여 박막을 제조한다. 이때 교류전원은 13.56 ㎒의 주파수 ... 를 가지며 이를 RF(Radio Frequency)라 한다. 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링 법을 교류스퍼터링(RF sputterig)법이라 한다. RF s
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    | 리포트 | 32페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.05.28
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  • 자료 표지
    이온 플레팅_ION PLATING
    물질의 표면에 응축시켜서 박막을 형성하는 방법 입니다.이에 더해서 이 공간에 그 금속과 반응 합성시키고 싶은 성분원소를 가진 기체를 도입해서 마찬가지로 여기, 이온화시켜 기판표면 ... 되어 결정생성 및 성장을 하게 되어 초경박막이 형성된다.■ 장 비■ 응용분야● TiN일반적으로 가장 많이 사용되는 피막으로 Ti금속과 N2 gas를 배합하여 금색상을 내기 때문에 금도금 ... 에 이 원소이상으로 되는 화합물을 증착시킬 수도 있다일반적으로 이온플레이팅에 의해 형성된 막은 in-site cleaning process 확산층형성때문에 종래의 진공증착이나 습식도금
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.24
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  • 자료 표지
    [박막공학] Sputtering
    을 증착 입자에 포함시켜 박막 형성을 하는 기술로 개발된 것이 이온 플레이팅이다. 이온 플레이팅은 생성한 증착 입자의 일부를 이온화하여 가속하고 진공 중에 놓여진 기판에 증착 입자 ... 와 그 이온을 조사하여 기판 위에 박막을 형성한다.Fig 3. 이온 플레이팅의 개념도증착입자는 도가니의 가열이나 전자빈에 의한 가열로 생성한다. 그러므로 장시간의 운전이나 후막 형성 ... 시켜야 한다.⑦ RF 스퍼터링RF 스퍼터링 장치는 절연체의 박막을 증착시키기 위하여 개발되었다. 플라즈마의 발생 및 oscillating power source를 사용하므로 부도체
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22
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  • 자료 표지
    CVD법에 의한 CNT의 증착 및 특성
    . Si wafer의 전처리384-2. 나노 미립자 철촉매 형성384-3. CVD법에 의한 CNT 박막 형성404-3-1. RF plasma CVD법404-3-1-1. 기판 온도 ... Filament 화학기상증착법(HF-CVD)162-4-3. 수소원자의 역할172-5. 스퍼터링(Sputtering)183. 실험 방법 및 분석193-1. Magnetron ... 의 이동 정도에 따라서 그 박막의 결정화 정도와 결합력의 변화를 예측할 수 있다.3-4-4. XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석XPS 분석
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    | 리포트 | 73페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.10
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  • 자료 표지
    pvd와 cvd
    상태, 코팅 조업의 software 등이 중요합니다.PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 ... 기 때문에 다층박막의 새로운 소재를 필요로 하게 되었다.PVD법의 전형적인 예는 진공증착과 sputtering증착이다. 진공증착은 진공장치에 시료를 넣어 일정한 온도로 가열 ... 다. 이 방법에서는 통상의 진공증착에서는 증착이 곤란한 고용점 Mo, Pt나 W등을 형성할 수 있다. 이것들의 금속을 뛰어나게 하는 에너지는 수십 V이기 때문에 보통 100V
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28
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  • 자료 표지
    [공업화학공학] 광촉매결과 리포트
    다는 것을 이론적으로 확인해 이 문제의 해결을 위한 연구를 진행시키고 있다.3. PEC CELL의 종류 및 응용분야1)태양전지(CIS Cells)다결정 박막전지는 p-n이종접합 ... ")으로 입히고 투명전극 층인를 스퍼터링법으로 증착한 후 금속전극을 입힌다. 이미 4ft2 모듈 (module)에서 11%의 효율이 기록된 바 있으며 실험실에서는 17%를 상회 ... e을 형성하고용제를 표면에 입힌 후 400℃ 정도에서 열처리하면 대략 10%의 효율을 쉽게 얻을 수 있다고 알려져 있다.물성에 관한 일반적인 사항은 Zanio에 의해 정리된 바 있
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.01.28
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  • 자료 표지
    PVD & CVD
    20㎝크기의 피처리물에 균질한 피복을 할 수 있음) 이온빔 부식이나 특수한 피복층 형성시에 널리 이용된다.2. 이온 스퍼터링의 특징가. 표적재료가 판상으로 넓은 범위로 균일한 증기 ... 박막을 제조하는 기술은 크게 물리적 방식을 이용하는 Physical Vaccum Deposition(PVD)과 화학적 방식을 이용하는 Chemical Vaccum ... 의 물질을 기체상태로 만들어 기판에 직접 증착시키는 박막 제조 방식이다.PVD 방식으로 제조할 수 있는 박막 재료는 금속, 합금을 비롯하여 화합물, 비금속 산화물 등이 있다.이들 박막
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.13
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  • 자료 표지
    SOD(Spin-on dopant)법을 이용한 p-n Junction Solar Cell 제작 (실험 사전 보고서)
    )로로 전하(charge) 의 불균형이 생기고 이 때문에 전기장(electric field)이 형성되어 더 이상 carrier 의 확산이 일어나지 않게 된다. 이 다이오드에 그 물질 ... 함밀ls)? 비정질 실리콘 태양전지(a-Si) 는 가장 상업적으로 성공한 최초의 박막 형태의 태양전지이다. 그러나, 이 태양전지는 아직은 1980년대부터 예 상되어왔던 만큼의 효율 ... Cells)? 다결정 박막CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
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  • 자료 표지
    thin film process와 핵생성과정
    며, 이 물질을 박막태양전지에서도 유용하고. 활성화된 CVD플라즈마에 의해 증착된 SiO2 또는 SiO2/Si3N4의 비활성 막(반도체의 표면에 보호막을 씌움)은 반도체 산업 ... 에서 상당히 중요하다. 그의 논평에서 Yee는 반응적인 증발, 반응적인 스퍼터링, 반응적인 이온도금 그리고 기상도금의 선구자인 CVD로 한정되어지는 활성화된 반응의 증발을 포함 ... 에서의 형성은 필요하고 기상의 시간-온도-조성 조합의 경우 특히 중요하다. 예를 들어 비정질상태의 붕소는 다음 반응에 의해 기질강화를 위한 텅스텐 선이 형성되어진다.3/2H2(g)
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.09
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  • 자료 표지
    pvd,cvd
    PVD (Physical Vapor Deposition)PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 ... 없기 때문에 다층박막의 새로운 소재를 필요로 하게 되었다.PVD법의 전형적인 예는 진공증착과 스팟터증착이다. 진공증착은 진공장치에 시료를 넣어 일정한 온도로 가열하고 rotary ... 방법에서는 통상의 진공증착에서는 증착이 곤란한 고용점 Mo, Pt나 W등을 형성할 수 있다. 이것들의 금속을 뛰어나게 하는 에너지는 수십 V이기 때문에 보통 100V에서 Ar
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09
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  • 자료 표지
    [반도체]진공증착
    에 박막형성에 있어서 핵생성이나 성장이론과의 대응을 하기 쉽다.4)박막을 만들때 열적, 전기적 번잡함이 작기 때문에 박막형성시의 막의 물성연구에 적합하다.5)열역학적으로 평형조건 ... 할 수 있는 장점이 있다.증발원으로부터 기판에 증착되기까지의 박막증착 형성과정은 크게1)재료의 증발에 의한 기체상으로의 상변화2)증발원으로부터 기판까지의 원자 또는 분자의 이동3 ... (Evaporation)2)스퍼터링 (Sputtering)3)이온플레이팅 (Ion Plating)이 3가지로 나뉜다고 할 수 있습니다.진공증착법은 1857년에 Faraday가 처음
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26
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2025년 11월 10일 월요일
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