"웨이퍼공정"의 검색결과 입니다.

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집적회로공정 photolithography 웨이퍼 웨이퍼 제조 공정 리소그래피 wafer priming 삼성전자 경력 반도체 8대공정

"웨이퍼공정" 검색결과 2,621-2,640 / 2,703건

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[인사관리] OJT교육이란?

공정을 거의 마친 실리콘 웨이퍼를 고장난 기계에 넣었다. 고장이 발견되었을 때는 거의 1만달러 상당의 제품이 통과한 후였고, 이것들은 모두 폐기되어야 했다. 손해를 만회하려면 두

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.14

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[조직론]삼성전자 조직구조 변화와 성과

회사 흡수 합병1993.1 국내 전사업장, 환경관리 모범사업장 선정 6 반도체 전제품,전공정ISO9000인증 획득 12 세계 메모리반도체 시장점유율(10.8%)1위 1994.6 ... 7 세계 최초 300mm 웨이퍼 1G DDR D램 양산 9 세계 최초 70나노 4G NAND플래시 개발삼성전자의 경영이념 및 철학“인재와 기술을 바탕으로 최고의 제품과 서비스

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.04

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[국제경영전략] 캐논의 경영전략

을 변화 시켜 화상을 만들어 내는 니이가타식의 디스플레이 ● S E D → 고화질·저전력으로 주목을 끄는 SED ● ELTRAN → SOI 웨이퍼의 리사이클 생산 방법으로서 워터 제트법 ... 화를 진행 ● 크로메이트 프리 강판 → 토양오염이 염려 되어 있는 크로메이트를 사용하지 않음. 새로운 방장처리 기술을 확립Ⅱ. CANON 경영전략● CANON의 환경사업제조공정

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.13

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[절삭] 버(Burr) 형성 원리의 이해

의 치수 변화로써 다음 공정에 지장을 주는 경우가 많음예를 들면1)조립공정시 허용공차를 벗어날 경우, 조립이 불가능.2)공차내에 있다 하더라도 접촉면의 손상을 가져온다.(2)취성 ... .1)버 형성의 방지 및 최소화2)적정 버 제거 방법의 선택3)버 제거 작업공정의 효율화 및 자동화 실시(2) 절삭 가공에서 버 형성 최소화를 위한 방법은 절삭에 관련된 모든 사항 ... 과 관련이 있다.1)피삭재의 형상을 이용한 방법2)피삭재의 성질을 이용한 방법3)공정순서 변경에 의한 버 형성 위치를 변경4)적정 공구형상의 설계에 의한 방법5)절삭 조건의 적절

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.18

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[정보통신] IT SOC

– CBIC (Cell-Based IC)Gate-Array– 웨이퍼에 base array라는 트랜지스터 패턴을 미리 제작 – 칩 제작시 연결 레이어만 제작하여 트랜지스터 연결 ... Ip 재사용칩의 복잡도개발시간 (TTM)SoCIP 재사용설계방법 변천동향반도체 산업의 변화시스템 IC 시대메모리시대시스템기술공정, 생산기술기술차별화솔루션 비즈니스단품판매영업활동 ... 개/연생산규모사실상 표준화율, 개별효율, 개발투자회전율시장점유율, 제조효율, 설비투자회전율평가지표설계수율 향상, 설계공정 단축, 설계인력확보제조수율향상, 시장선점경쟁력전략IT

리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.04.01

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LED 기술의 현재동향과 발전가능성

까지 총 4단계로 나눌 수 있다. 최초 LED 기판 제작을 시작으로 LED 에피웨이퍼 및 에피칩 제조, LED 패키징 공정, LED 모듈 공정 등을 거쳐 LED BLU, LED 조명 ... 및 시스템 등 완제품을 생산하는 단계를 거친다. 하나의 LED 완제품을 만들기 위해 일련의 제조공정을 거쳐야 하는 것이다.우선 LED 기판은 LED 에피웨이퍼를 만들기 위한 원판 ... 을 거쳐 LED 에피칩이 생산된다. LED 에피웨이퍼는 알킬계 유기금속화합물과 수소화물계 가스가 열분해반응을 일으켜 반도체 기판인 웨이퍼(Wafer) 위에 박막을 형성하는 과정

논문 | 36페이지 | 3,300원 | 등록일 2010.03.23

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액정디스플레이

과 매우 유사함.공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정임.Wafer 대신에 유리를 사용 ... )(1) 액정디스플레이란?(ㄱ) TFT-LCD에 필요한 부품(ㄴ) TFT-LCD의 공정 기술(2) TFT-LCD의 발전 전망4. 느낀 점5. 참고자료1. 주제자신이 주변에서 쓰 ... 는 배향규제력(Anchoring force)의 정도는 배향의 안정성과 밀접하게 관련되어 있음.(ㄴ) TFT-LCD의 공정 기술 (반도체 공정 기술과 비교하여..)반도체 제작 공정

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.30

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[경영전략] 삼성전자의 반도체 시장에서의 생존 전략

‘88~’97‘98년 이후주요활동조립기술흡수Wafer가공기술 흡수공정기술 밀 설계기술흡수자체개발기술선도생산구조조정(System IC)제품개발조립생산시계용 칩트랜지스터64K, 256K ... 웨어와의 조화기계의 전자화로 수요 다양사업 특성소품종 다량 생산대규모 투자집중 추구공정의 극한기술 극복대기업형 사업구조다품종 소량생산제품의 칩세트화 구축시스템부문의 경쟁력 제고중소 ... ,1M DRAM4M, 16M,64M, 128M256M, 1GFRAM MCU부가가치 창출부분생산(조립)생산(Wafer 가공)생산연구개발연구개발생산연구개발생산삼성이 반도체 산업에서 성공

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.04.20

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LED와 OLED의 기술과 응용 논문 PPT자료

물질을 사용하지 않는다...PAGE:71-4 LED의 제조공정1) LED 기판 제작2)에피 웨이퍼 제작3)칩 제작4)패키징..PAGE:81-5 LED의 응용조명일반 조명(왼 ... LED1-1 LED의 정의1-2 LED의 역사1-3 LED의 발광원리 및 특성1-4 LED의 제조공정1-5 LED의 응용2 OLED2-1 OLED의 정의2-2 OLED의 역사2-3 ... OLED의 발광원리 및 특성2-4 OLED의 제조공정2-5 OLED의 응용..PAGE:31-1 LED 의 정의사전적 의미“반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입되는 소수

논문 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.01.27 | 수정일 2014.02.23

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트랜지스터에대해서..

[㎛]의 N형 Ge판 양면에 In을 합금한것이며,제어 가능한 베이스 폭이 약 5[㎛]정도 이므로 30[㎒]이하의 저주파용으로 사용된다.* 참조) 제조법N형인 얇은 Si웨이퍼의 양극 ... 에 In의 작은 덩어리를 밀착 시킨 후 열을 가하여 적당한 온도를 높여서 In이 Si웨이퍼에 녹아 들어 가게 한 것이다.이때 온도는 In 의 용융점 보다는 높고 ,Si의 용융점 ... 보다는 낮게 해야 한며 이러한 온도에 따라 In이 Si내로 침투해 들어가는 길이가 달라지므로 온도에 주의를 기울여야 한다.SI 웨이퍼에서 IN 이 침투해 들어가는 부분은 P형이 되

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.10.20

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[물리학] 이온주입공정

어야 하며, 이온빔(Ion beam)의 구경을 크게 하고 가속전압을 높일수록 설비제작 비용은 크게 높아진다. 특히 대부분의 이온주입 장치들은 실리콘웨이퍼를 가공하는 반도체 제조공정 ... 일부는 현재 상용화 되어있다.본 논문에서는 이온주입공정의 이론배경에 대해 설명하고 이온주입의 실용화를 위해 IBII(Ion Beam Ion Implantation, 이하 IBII ... 되고 있다. 제조비용이 높은 원인은 이온주입 설비와 공정의 두 가지 측면으로 나누어 생각할 수 있다. 이온주입 장치는 기본적으로 이온 발생원과 가속장치, 그리고 고진공장치를 갖추

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19

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[기업윤리 기업윤리] 기업의 사회적책임 사례

할 계획이다. 삼성전자는 한양대와 산학 연구로 차세대 반도체 소자인 「슈퍼 실리콘 웨이퍼」를 개발하기도 했다.(6)LG복지재단(http://foundation.lg.or.kr)LG복지 ... 를 제공해주고 있다.공정의 모든 운전현황 및 정보를 종업원 개인 PC에서 항상 볼 수 있는 시스템이 돋보인다. 환경오염물질 배출현황은 법규제치의 3분의 1수준에서 경보가 울리도록 자체 ... 제거하였다. 안전관리를 위하여 석유화학 공장에 필수적으로 설치되는 완전연소장치 (Flare Stack) 는 각 공정별로 별도로 설치함과 동시에 각각 2개의연소장치

리포트 | 15페이지 | 3,800원 | 등록일 2003.10.17

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[반도체] Spintronics FET

에서 Honeywell 사는 6인치 웨이퍼 상에 GMR 스핀밸브와 feature 크기 가 0.35㎛인 CMOS 반도체 공정기술을 이용하여 1 Mbit 급 MRAM의 시제 품을 소개 ... , 제조공정, 아키텍쳐 및 로직 설계 등을 포함한 총체적인 기반기술의 확립이 시급하다.Table 1. Comparison of Spintronics technology{2 ... 하고 처리하는 기술로서, 하이브리드형 소 자 및 자성반도체 기반소자. 현재의 반도체 공정기술 이용이 가능하기 때문 에 금속기반 소자보다 산업적 파급효과가 매우 큼.{▶ 양자 계산

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.16

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[증착법] 증착법

커피, 식품 포장, 네온사인 등 일상생활에 직접적으로 관련된 것뿐만 아니라 우리가 모르는 중에 사용하고 있는 대부분의 전자제품의 부품들이 진공공정과정을 통하여 만들어진다. 각종 ... puttering, LPCVD : low pressure chemical vapor deposition), 플라즈마 공정, 네온사인 등이 이 영역의 진공대에서 운용되고 있다.2) 고진공(high ... device의 소형, 경박화의 추세에 따라 급격히 확산되고 이싼. CVD는 증착하고 싶은 필름을 개스 형태로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 개스의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.07

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[금속] 실리콘 (Silicone)

하여 다이오드, 트랜지스터, 집적회로 등 많은 전자소자를 만든다.[3]반도체용 실리콘2. 규소봉 절단3. 웨이퍼 표면연마(1) 반도체용 실리콘 제조 공정1.단결정 성장4.회로 설계 ... 이며 Si가 높은 주철을 급냉하지 않는 한 편상 또는 공정흑연을 정출한다. 또 기지조직에 대하여는 ferrite 중에 고용하여 silico-ferrite를 만든다. Si가 15 ... Silumin합금이라 하고 10∼13%의 Si가 첨가된다. Si 용해도가 적어 열처리 효과없다. 용융점이 낮고(577℃의 공정온도) 유동성이 좋아 엷고 복잡한 사형 주물에 이용. 공정부근

리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.11

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[무역학개론] 한국반도체 산업의 현황과 전망 그리고 문제점

.PC시장 의존.설계기술 지향.ASIC 등 용도별 품목 다양성.시스템 및 소프트웨어와의 조화.기계의 전자화로 수요 다양사업 특성.소품종 대량생산.대규모 투자집중 추구.공정의 극한기술 ... 의 기술 발전의 가속화반도체 산업에서는 회로선폭이 미세화되면 칩의 크기가 작아져 동일 웨이퍼에서 생산할 수 있는 반도체 수가 늘어난다. 반도체 산업은 앞으로도 업계의 시장 경쟁 우위 ... 확보를 위한 경쟁이 치열해지면서 기술 발전의 가속화가 지속될 것으로 보인다. 공정기술의 경우 1995년 0.5m(미크론)급에서 1999년에 0.2m급으로 미세화가 진전되었고 현재

리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.02.09

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[환경보전] 환경보전과 에너지 개발

으로 단결정 실리콘 웨이퍼 생산업체인 (주)실트론에서 년간 300kW의 생산 규모를 갖추고 1993년부터 변환효율 13% 내외의 단결정규소 태양전지를 생산하여 국내 모듈 생산 업체 ... 연구개발은 왕겨탄 및 연소기 개발, 축산 페기물 메탄발효 부문에서 연구개발이 수행되어 왔으며 왕겨탄은 상업화 되었고, 축산폐기물 메탄발효 기술은 산업폐수 처리공정 (특히 주정폐수

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.18

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[집적회로] 집적회로에 관하여

을 생산할 수 있다. 그 기본적 이유는 다수의 같은 회로를 동시에 단일 Si 웨이퍼 위에 조립할 수 있기 때문이다. 이 공정을 일괄제작이라 한다.한 회로기판 위에 서로 배선으로 연결 ... 형성에 있어서 어려움이 따르고 작은 소자 크기와 큰 칩은 공정에 들어갈 때 극도로 깨끗한 환경을 요구한다.IC가 1960년대에 쌍극성 소자로 시작되었지만 점차적으로 MOS ... 메모리 같은 반도체 메모리 분야는 대략 시장의 25%, 마 이크로 프로세서는 약 25%, 그리고 ASIC 분야는 약 20% 정도이다.. 모놀리식 소자의 요소{. CMOS 공정

리포트 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2002.10.25

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한국전자전시회를 다녀와서

㎜ 웨이퍼를 사용해 1Gb DDR SD램이 양산 가능했던 것은 지난 1년 반동안 투철한 사명감과 헌신적인 자세로 전력 투구한 연구원들이 있었기 때문이라는 게 유제환 수석연구원은 설명이 ... 인치 제품 개발은 단순히 제품 개발으로 끝나는 것이 아니라 제조 공법에서도 큰 진전을 이루었다는 점에서 의미가 깊다. 71인치 제조 공정에서 PDP원판으로부터 42인치 PDP 여러 ... 만다. 김 상무는 “그러나 양산을 위해서는 소비전력도 더욱 줄여야 하며 공정수도 개선해야 한다”며 “지속적인 노력을 기울여 내년말 쯤에는 양산할 계획”이라고 설명했다. 그는 “이제

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.15

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[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다.그림에 {n ^＋소스(source)와 {n ^＋드레인(drain) 영역으로 표시되어 있듯이, 고농도로 도핑된 두 개 ... 에 제작되며, 전하 캐리어는 정공이다.NMOS와 PMOS 트랜지스터를 동시에 제조하는 반도체 공정 기술이 있는데, 우리는 이 기술을 상보형 MOS(complementary MOS

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.05

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