실험9,10_MOSFET기본특성,MOSFET바이어스회로_예비보고서

소개

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목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비
4. 관련 이론
5. 실험 방법
6. 예비보고사항

본문내용

1. 실험 제목
[실험9] MOSFET 기본 특성
[실험10] MOSFET 바이어스 회로

2. 실험 목적
[실험9] MOSFET 기본 특성
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

[실험10] MOSFET 바이어스 회로
MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다..

3. 실험 장비
1) DC 파워 서플라이: DC 파워 서플라이는 회로에 DC 전원을 인가할 수 있도록 하는 장치이다.
2) 디지털 멀티미터: 디지털 멀티미터는 회로의 각 부분의 전압, 전류 및 저항을 측정할 수 있는 장치이다.
3) 오실로스코프: 오실로스코프는 회로의 전압, 전류 등을 측정할 때 수치뿐만 아니라 파형도 시각적으로 확인할 수 있는 장치이다.
4) 함수발생기: 함수발생기는 회로에 주파수 또는 폭을 적용할 수 있는 장치이다.
5) 2n7000(NMOS):
6) 저항: 전류의 흐름을 제어하는 장치로서 전압과 전류를 옴의 법칙 V = IR로 저항값을 알 수 있다.
7) 커패시터: 전압이 높을 때 전하를 모으고 전압이 낮을 때 전하를 방출하는 소자이다.

참고자료

· 단계별로 배우는 전자회로 실험 (한빛아카데미, 이강윤)
· https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n7000%20datasheet&gad_source=1&gclid=CjwKCAjw4ri0BhAvEiwA8oo6F1ZGW-WVbsVbIzSdy3f73EY3tLRZA47uF0B3FvXE3vJNyQNe5L_StRoCz4sQAvD_BwE
· https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Fqp17p10%20datasheet&gad_source=1&gclid=CjwKCAjw4ri0BhAvEiwA8oo6F4iSzVQhEvR-6nnFcAjkAointCCIvw9Xu0duokCslBJ_2XewdplH2xoCUl0QAvD_BwE